开关电源中的尖峰吸收电路详细分析-KIA MOS管

开关电源的主元件大都有寄生电感与电容，寄生电容Cp一般都与开关元件或二极管并联，而寄生电感L通常与其串联。由于这些寄生电容与电感的作用，开关元件在通断工作时，往往会产生较大的电压浪涌与电流浪涌。

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www.kiaic.com/article/detail/3109.html         2021-10-14

尖峰脉冲吸收电路图文分享-KIA MOS管

从上图可以看到，尖峰脉冲吸收电路就是一个RC吸收电路。至于在DC/DC哪里加RC吸收电路，这里有一个规律，就是在开关管开/关的时候，跟电感形成一个回路。

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www.kiaic.com/article/detail/3108.html         2021-10-14

轻松解决反激开关管的Vds电压尖峰问题-KIA MOS管

首先来看看MOS应力公式：（理想化处理，不影响结论）Vds=Vin+n*Vo+Vspike=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5这里两个主要参数的意义：1、Lk是变压器漏感（实际还应包含PCB寄生电感）；2、C1为RCD钳位电容（实际还应包含MOS DS两端的电容，一般远小于C1，故忽略）。

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www.kiaic.com/article/detail/3107.html         2021-10-13

VDMOS与COOLMOS的区别分析及应用-KIA MOS管

SJ MOSFET的技术主要有两种，其一为由英飞凌（Infineon）开发的多磊晶技术，藉由掺杂（doping）磊晶在磊晶层上形成岛状的掺杂区域，使该区域扩散形成一个氮掺杂（N-doped）平面。

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www.kiaic.com/article/detail/3106.html         2021-10-13

IGBT：平面型与沟槽型结构特性详解-KIA MOS管

很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的，而沟槽栅IGBT的电流就是在垂直方向上流动的。其实这是一个误解，不论平面型还是沟槽型的IGBT，电流都是在垂直方向上流动的。

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www.kiaic.com/article/detail/3105.html         2021-10-13

教你正确测量MOSFET尖峰电压图文详解-KIA MOS管

测量开关电源输出纹波和功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候，通常要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号，如图1所示。

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www.kiaic.com/article/detail/3104.html         2021-10-12

电源切换电路-PMOS串联二极管作用分享-KIA MOS管

当只有3V电源时，VOUT采用3V供电；当5V电源有效时，切换至5V供电。

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www.kiaic.com/article/detail/3103.html         2021-10-12

混合集成电路特点、应用详细解析-KIA MOS管

混合集成电路（HIC），是单独的装置，例如半导体器件的构造的小型化的电子电路（例如晶体管，二极管或单片集成电路）和无源元件（例如电阻器、电感器、变压器和电容器），并粘结到基板或印刷电路板（PCB）上。

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www.kiaic.com/article/detail/3096.html         2021-10-11

​“缺芯”危机爆发主因|我国自主芯片机遇-KIA MOS管

受疫情和经贸环境等多重因素影响，自2020年起，全球芯片产业逐渐出现产能紧张情况。“缺芯”危机的爆发主要由于三大原因：一是全球汽车产业强劲复苏带来芯片需求增加。我国作为全球最大的汽车产销国，年产销量约占全球1/3，我国汽车产业的率先复苏，对全球汽车...

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www.kiaic.com/article/detail/3095.html         2021-10-11

常用的稳压二极管应用电路图文分享-KIA MOS管

稳压二极管主要用来构成直流稳压电路，这种直流稳压电路结构简单，稳压性能一般。下图所示是稳压二极管构成的典型直流稳压电路。电路中，VZ1是稳压二极管，R1是VZ1的限流保护电阻。

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www.kiaic.com/article/detail/3094.html         2021-10-11

双场效应管推挽功率放大器解析-KIA MOS管

由于单场效应管功率放大器存在效率低、输出功率小等缺点，所以我们必须在提高功放的效率和增大输出功率方面下功夫。双场效应管推挽功率放大器就是为此而设计的。

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www.kiaic.com/article/detail/3093.html         2021-10-09

静态分析场效应管的放大电路-KIA MOS管

根据偏置电路形式，场效应管放大电路的直流通路分为自给偏压电路和分压式偏置电路。

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www.kiaic.com/article/detail/3092.html         2021-10-09

关于MOS平带电压详细分析-KIA MOS管

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平带电压（Flat band voltage）就是在MOS系统中，使半导体表面能带拉平（呈平带状态）所需要外加的电压。平带状态一般是指理想MOS系统中各个区域的能带都是拉平的一种状态。

www.kiaic.com/article/detail/3091.html         2021-10-09

分析MOS管G极串联电阻如何抑制谐振-KIA MOS管

这个是典型的MOS管驱动电路，串联了10Ω电阻。尽管从电路图上看去，上面既没有电感，也没有电容。但实际上是，我们PCB总要将线从驱动芯片拉到MOS管，线宽12mil，长度10mm的走线寄生电感是9．17nH。实际电路中10mm走线太正常了，所以寄生电感肯定是存在的。

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www.kiaic.com/article/detail/3090.html         2021-10-08