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反型层是半导体材料中的一层,在某些条件下,多数载流子的类型在一定条件下变化。在通常的MOS器件中,反型层构成导电沟道,是器件导通的原因,表面反型状态对MOS器件至关重要。
www.kiaic.com/article/detail/3089.html 2021-10-08
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在半导体的制造中,始终遵循着摩尔定律,于是集成电路的尺寸持续减小,于是MOSFET的沟道长度也相应地缩短,这就导致了MOSFET管中的S和D(源和漏)的距离越来越短,因此栅极对沟道的控制能力变差,这就意味着栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度变大,于是使得...
www.kiaic.com/article/detail/3088.html 2021-10-08
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通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态,器件的栅电压定义为阈值电压,它是MOSFET的重要...
www.kiaic.com/article/detail/3087.html 2021-09-30
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当 MOSFET 的 Vgs 接近其阈值电压 Vth 时,MOS 管工作在弱反型(或亚阈值区),在结构上类似于两个背靠背的二极管相连。这样我们分析时,可将其看成横向的BJT的结构,与一般的BJT不同的是,这里的基极电压是栅电压在栅电容和耗尽层电容之间的分压。
www.kiaic.com/article/detail/3086.html 2021-09-29
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车载电源随着社会生活水平的提高,我们对汽车的要求已经从简单的代步工具转化为了集娱乐、生活、办公等多功能的移动场所。如需完成以上生活、工作、娱乐任务,笔记本电脑等电子设备一定是不可或缺的。
www.kiaic.com/article/detail/3085.html 2021-09-29
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全球“芯片短缺”持续蔓延,半导体企业又遭重创,由于全球“芯片荒”迟迟未缓解,美国商务部上周再次举行半导体高峰会,包括台积电、三星、英特尔等半导体大厂都与会。报道引述韩媒消息,此次美国态度强硬,以提高芯片“供应链透明度”为由,要求台积电、三星等...
www.kiaic.com/article/detail/3084.html 2021-09-29
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消费电子市场的火爆场面拉动了快充的内需,而快充的兴起也带动了MOSFET的需求增长。用于整流同步的MOS管,可以保证在快充电源提高电压来达到高电流高功率充电时的用电安全性。而低电压高电流充电的“闪充”对整流同步的MOS管要求更为严苛,MOS管用量也呈上升趋...
www.kiaic.com/article/detail/3083.html 2021-09-28
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在IC版图设计中除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外,还要增加一些与LVS(电路匹配)无关的图形,以减小中间过程中的偏差,我们通常称这些图形为dummy layer。
www.kiaic.com/article/detail/3082.html 2021-09-28
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二极管的单向导通性、大于某电压就导通等基本特性我们非常熟悉,但是随着工作的深入会发现仅知道这些是不够的,特别是大功率设备或者面临EMI的问题时。所以我们需要对二极管有个更深入的认识,今天就着重讲述二极管的开关过程(也叫二极管的动态特性)及其带来...
www.kiaic.com/article/detail/3081.html 2021-09-28
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开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源。开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。
www.kiaic.com/article/detail/3080.html 2021-09-27
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电源管理芯片(Power Management Integrated Circuits),是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片.主要负责识别CPU供电幅值,产生相应的短矩波,推动后级电路进行功率输出。
www.kiaic.com/article/detail/3079.html 2021-09-27
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运算放大器(简称“运放”)是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中,通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。由于早期应用于模拟计算机中用以实现...
www.kiaic.com/article/detail/3078.html 2021-09-27
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400V6A MOS管 KNX4540A产品特征1、RoHS兼容2、RDS(ON),typ.=0.8Ω@VGS=10V3、低门电荷减小开关损耗4、快恢复体二极管
www.kiaic.com/article/detail/3077.html 2021-09-26
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在逆变电路接感性负载的情况下,感性负载中的电流不能突变。在换相时,为了维持电感上的电流,IGBT中的电流会转移到反并联的二极管上,以维持电流的持续流动。
www.kiaic.com/article/detail/3076.html 2021-09-26