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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5137 个

  • 场效应管特性详细解析-KIA MOS管

    场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点,而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性,即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼),一般的晶体管是不容易做到这一点的,电子管是根本不可能达到这一点。

    www.kiaic.com/article/detail/2687.html         2021-03-19

  • 场效应管器件开关比理解分析-KIA MOS管

    开关比的定义:开关比是反应器件对电流的调控能力的,定义为器件开状态电流与关状态电流的比值。场效应晶体管中,在源、漏电压不变的情况下,加门压和不加门压时测得的源漏电流之比成为“开关电流比”。该量可以用来衡量门压对导电沟道的控制能力。

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    www.kiaic.com/article/detail/2686.html         2021-03-19

  • 场效应管如何控制电流大小?-KIA MOS管

    场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIonFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。

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    www.kiaic.com/article/detail/2685.html         2021-03-18

  • MOS管电流源驱动原理分析-KIA MOS管

    MOS管电流源驱动原理分析:在传统电压源驱动方式下,开关管VT门极电容充电的过程中,充电电流、Cin 两端电压Ugs变化如图1所示,to时刻门极平均电流Ig达到峰值Ugate / RG,随后快速下降,在t1~t2时刻由于发生miller电容效应,Ugs不变,此时电流i可近似看成常数

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    www.kiaic.com/article/detail/2684.html         2021-03-18

  • MOS管 IGBT|全桥驱动电路-KIA MOS管

    信号发生电路比较简单,主要是产生两路带死区互补的方波信号,一定要互补带死区的方波信号,否则会造成MOS/IGBT误导通,造成MOS/IGBT管损坏。常见的信号发生电路有单片机、FPGA等处理芯片控制,也可以使用信号发生专用芯片控制两路信号的产生,如UCC3895。

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    www.kiaic.com/article/detail/2683.html         2021-03-18

  • 3.3V和5V电平双向转换—MOS管电路分析-KIA MOS管

    电平转换在电路设计中非常常见,因为做电路设计很多时候就像在搭积木,这个电路模块,加上那个电路模块,拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况,所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。

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    www.kiaic.com/article/detail/2682.html         2021-03-17

  • MOS管栅极反并联二极管及MOS管并联理论-KIA MOS管

    经常会看到MOS驱动电路中栅极电阻会反并联一个二极管。MOS使用在半桥电路中的情况特别多,而半桥电路要求上下管具有死区时间,可能由于之前电子技术还不够先进,控制芯片无法生成互补的带死区时间的PWM信号,只能通过MOS“慢开快关”来生成死区。在栅极电阻上反...

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    www.kiaic.com/article/detail/2681.html         2021-03-17

  • 三极管与MOS管作为开关管时如何选择?-KIA MOS管

    三极管与MOS管、开关管:MOS管和三极管是电子电路的基础,也是集成电路的基础。为了更容易理解它们的工作原理,这里用形象图示一下它们的原理和特点。MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。

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    www.kiaic.com/article/detail/2680.html         2021-03-17

  • KNX3725A|250V50A 逆变器|MOS管原厂直销-KIA MOS管

    MOS管KNX3725A,250V50A-特征:专有新平面技术;RDS(ON),typ.=45mΩ@VGS=10V;低栅极电荷最小化开关损耗;快速恢复体二极管。MOS管KNX3725A,250V50A-应用领域:1、DC-DC转换器;2、开关电源和电机控制

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    www.kiaic.com/article/detail/2679.html         2021-03-16

  • 三极管驱动继电器|必看干货-KIA MOS管

    三极管驱动继电器:继电器线圈需要流过较大的电流(约50mA)才能使继电器吸合,一般的集成电路不能提供这样大的电流,因此必须进行扩流,即驱动。图示1为用NPN型三极管驱动继电器的电路图,图中阴影部分为继电器电路,继电器线圈作为集电极负载而接到集电极和正电...

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    www.kiaic.com/article/detail/2678.html         2021-03-16

  • 干货|MOS管应用电路实例分析-KIA MOS管

    MOS管应用电路:MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开关的电路中。1. 电平转换或者隔离电路电路设计时,不同的子系统之间无可避免的需要数字信号传递,不同的系统之间或者设备之间,数字接口电平经常不一致,故需要用到电平转换电路;

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    www.kiaic.com/article/detail/2677.html         2021-03-16

  • IIC为何使用开漏输出和上拉电阻-KIA MOS管

    推挽输出:输出逻辑0,则N-MOS激活;输出逻辑1,则P-MOS激活。开漏输出:在不接上拉电阻时,输出逻辑0,则N-MOS激活;输出逻辑1,P-MOS不会激活,不会输出高电平。在接上拉电阻时,输出逻辑0,则N-MOS激活;输出逻辑1,P-MOS激活,可以输出高电平。

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    www.kiaic.com/article/detail/2676.html         2021-03-15

  • 解析充电桩中MOS管的应用-KIA MOS管

    由于电动汽车的不断发展,也推动着相关产业上下游的迅速崛起,如:充电桩、MOS管等行业,由于充电桩与大型房地产企业、商业连锁机构、交管局划定的路边停车管理单位、其它具有车位的管理单位签署合作建站及运营管理协议(投资方负责投放充电站与管理,机构负责...

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    www.kiaic.com/article/detail/1024.html         2021-03-15

  • 电子电路|芯片功耗如何计算?-KIA MOS管

    芯片功耗:功耗本质上就是电学术语中的功率,不同于一般简单的电学器件,芯片的整体功耗很难通过简单的电流,电压或者电阻值的的相乘来计算。其原因在于,由于芯片作为具有复杂功能的器件,其功耗会根据其不同时段的不同行为,不同的外部条件而发生很大的变化。...

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    www.kiaic.com/article/detail/2675.html         2021-03-15

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