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MOS管在硬件电路开发中的应用分享-KIA MOS管
N-MOS广泛应用于设备通断的控制。例如上图的LED灯控制和电动马达的控制。GPIO口拉高，MOS管就导通，LED灯亮、马达转动。GPIO拉低，MOS管就关闭，LED灯灭，马达就停止转动。www.kiaic.com/article/detail/3594.html 2022-06-16
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【电路分享】MOS管在电源控制中的应用-KIA MOS管
图中有两个型号的MOS管，Q1是N沟道MOS管（型号是FDN335N），Q2是P沟道MOS管（型号是AO3401）。MOS是通过控制栅极和源极之间的电压差（Vgs）来实现导通和截止的。www.kiaic.com/article/detail/3593.html 2022-06-16
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【负载开关】PMOS开关电路图分享-KIA MOS管
如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS<VGSth导通，R5负载上电，关断时负载下电。电路中R3为三极管Q2的限流电阻，R4为偏置电阻，R1R2为Q1的栅极分压电阻，C1C2为输出滤波电容。www.kiaic.com/article/detail/3592.html 2022-06-16
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关于NMOS+PMOS开关电路失效分析-KIA MOS管
PMOS+NMOS作为开机信号，开机要求为高电平开机，最小电压为1.8V，耐压可达17V，为使可靠，选择5V左右（14V4通过100K和56K分压，设计者是这么想的）。但生产时发现此开机按键并不起作用，表现为按下开机按键和不按开机按键都是不开机。www.kiaic.com/article/detail/3591.html 2022-06-15
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开关电源RC吸收电路图文分析-KIA MOS管
这里由于电容具有开关电源开启瞬间短路的性质，所以R12和R15的后级都被短路了，等效电容C0为E3、E5电容并联再与C2串联。而电容串联的计算是等效为电阻并联的计算，即串联的电容越小，等效电容越小，所以我们直接按最小的电容C2进行计算，即等效电容C0为1.2nF，...www.kiaic.com/article/detail/3590.html 2022-06-15
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连续模式PFC功率MOSFET电流有效值、平均值计算-KIA MOS管
在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流斩波为和输入正弦波电压同相位的、具有正弦波包络线的开关电流波形，从而提高输入的功率因数，减小输入谐波分量。www.kiaic.com/article/detail/3589.html 2022-06-15
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MOS管3203 30V100A参数 TO-252封装 原厂送样-KIA MOS管
MOS管3203 30V100A参数-特点RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术极低通阻RDS(通)符合JEDEC标准www.kiaic.com/article/detail/3588.html 2022-06-14
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MOS管散热、功率、电流参数关联分析-KIA MOS管
MOS管有如下参数：Operating Junction ：Tmin-Tmax。Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。www.kiaic.com/article/detail/3587.html 2022-06-14
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【MOS管驱动电路图】电机干扰与防护处理-KIA MOS管
1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s （源）。www.kiaic.com/article/detail/3586.html 2022-06-14
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MOS管栅极电阻的功耗计算详解-KIA MOS管
驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管寄生电容为1nF，栅极串联电阻为20Ω，这个电阻消耗的功率是多大？www.kiaic.com/article/detail/3585.html 2022-06-13
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【电路精选】MOS管门极驱动电路图文-KIA MOS管
由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量缩短激励脉冲上升时间至关重要。激励脉冲的上升时间主要取决于MOS管的导通速度。www.kiaic.com/article/detail/3584.html 2022-06-13
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反激式开关电源变压器设计要点-KIA MOS管
反激式变压器适合小功率电源以及各种电源适配器。但是反激式变换器的设计难点是变压器的设计，因为输入电压范围宽，特别是在低输入电压，满负载条件下变压器会工作在连续电流模式，而在高输入电压，轻负载条件下变压器又会工作在不连续电流模式。www.kiaic.com/article/detail/3583.html 2022-06-13
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【电子精选】振铃现象的解决方法（二）-KIA MOS管
并行匹配，即使负载端的阻抗与传输线的阻抗匹配。并行匹配是在负载端附近并行接入特定的元件来使负载的阻抗降低到与传输线相匹配的范围内。其主要有以下三种接入方式。www.kiaic.com/article/detail/3582.html 2022-06-10
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【电子精选】振铃现象的解决方法（一）-KIA MOS管
振铃现象属于信号完整性问题，其解决方法通常为端接匹配技术。进行信号完整性的分析需用到IBIS 模型和EDA工具，其中IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)模型是一种基于V/I曲线的对1/O BUFFER快速准确建模的方法www.kiaic.com/article/detail/3581.html 2022-06-10