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开关电源电感电压波形过冲、下冲-KIA MOS管
过冲和下冲原理是一样的，这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间，可以等效为上图开关闭合的瞬间。可以理解给了一个阶跃信号，因此电压过冲是该RCL电路对阶跃输入电压的输出响应。www.kiaic.com/article/detail/3580.html 2022-06-10
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【MOSFET干货】消除推挽过冲讲解-KIA MOS管
在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而，如图1所示，尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以及互补MOSFET开启时，n通道功率MOSFET的漏极也会出现尖峰电压。www.kiaic.com/article/detail/3579.html 2022-06-09
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MOS管RC缓冲电路参数计算详解-KIA MOS管
为了降低开关节点产生的尖峰电压，可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中，整流二极管关断（高边开关导通）时，RC缓冲电路可将二极管的接合部、寄生电感、寄生电容、PCB版图的电感中积蓄的电荷放电，并通过电阻转换为热，从而降低尖峰电压。www.kiaic.com/article/detail/3578.html 2022-06-09
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【电子精选】RC吸收电路的设计-KIA MOS管
保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，从而保证开关管正确可靠地运行；并降低EMI的水平。www.kiaic.com/article/detail/3577.html 2022-06-09
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RC阻容吸收计算公式及硬件设计-KIA MOS管
阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件(如避雷器)。其可以看作一个典型的串联RC保护电路，R、C、L同时起作用。www.kiaic.com/article/detail/3576.html 2022-06-08
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【集成电路设计】MOS管的fT频率分析-KIA MOS管
MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。www.kiaic.com/article/detail/3575.html 2022-06-08
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【图文分享】MOS管参数μCox计算方法-KIA MOS管
首先在原理图中放上器件，以NMOS为例子，同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度，还有将对应器件电压也设置成变量，设成变量方面后面仿真条件下修改参数。www.kiaic.com/article/detail/3574.html 2022-06-08
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KCX3303SMOS管 30V95A DFN5*6 原厂送样-KIA MOS管
RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V先进的沟槽技术低栅电荷高电流能力符合RoHS和无卤素标准www.kiaic.com/article/detail/3573.html 2022-06-07
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【H桥驱动模式】单极模式、双极模式-KIA MOS管
根据对桥臂上MOS的PWM控制方式不同，分为三种控制模式：受限单极模式、单极模式、双极模式。www.kiaic.com/article/detail/3572.html 2022-06-07
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4个MOS管驱动的全桥电路原理-KIA MOS管
全桥电路在实际的项目中运用的也比较多(比如电机，半导体制冷片等)，有时候全桥芯片会达不到我们的需求(比如功率特别大的时候)，这时就需要搭建一个符合我们需求的电路。www.kiaic.com/article/detail/3571.html 2022-06-07
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PWM调速原理图文详解-KIA MOS管
脉冲宽度调制(PWM)，是英文“Pulse Width Modulation”的缩写，简称脉宽调制，是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。www.kiaic.com/article/detail/3570.html 2022-06-06
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常用的H桥电机驱动模块实例分析-KIA MOS管
这个模块有一个板载5V稳压器，该稳压器可使用跳线的方式进行使能。如果电机电源电压高达12V，我们可以启用5V稳压器，并且5V引脚可以用作输出，例如给Arduino板供电。www.kiaic.com/article/detail/3569.html 2022-06-06
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【电子精选】H桥电机驱动电路原理图-KIA MOS管
从上图中可以看到，其形状类似于字母“H”，而作为负；载的直流电机是像“桥”一样架在上面的；所以称之为“H桥驱动”。4个开关所在位置就称为“桥臂”。在电路中可以做电子开关的有三极管和MOS管。可以使用这两种器件代替开关从而实现。www.kiaic.com/article/detail/3568.html 2022-06-06
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【图文详解】三种H桥驱动方式-KIA MOS管
1、受限单极驱动（高端驱动）负载与GND相连。即H桥的上半桥臂用PWM控制，而下半桥臂常开。www.kiaic.com/article/detail/3567.html 2022-06-02