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MOSFET半桥驱动电路应用实例分析-KIA MOS管
通过公式1算出电容值应为1μF左右，但在实际应用中存在这样的问题，即当占空比接近100%（见图3a）时，由于占空比很大，在每次上桥关断后Vs电压不能完全回零，导致自举电容在每个PWM周期中不能完全被充电。www.kiaic.com/article/detail/3566.html 2022-06-02
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【实用电路】LED驱动电源电路图分享-KIA MOS管
220V交流电经电容C1、R1降压限流后在A、B两点的交流电压约为15V，由VD1～VD4.进行整流，在C2上得到约14V的直流电压作为高亮度发光二极管VD5～VD8的工作电压，发光二极管的工作电流约为14mA。www.kiaic.com/article/detail/3565.html 2022-06-02
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【MOS驱动】PCB布线技巧图文详细-KIA MOS管
开关电源在布线上最大的特点是拓扑引起的高频（高压）强电流与控制级的弱电信号交织在一起，首先要保证强电流的存在不干扰电源内部的控制信号，其次要尽量减少对外部的干扰（EMC）。www.kiaic.com/article/detail/3564.html 2022-06-01
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【分享】基于BUCK-BOOST拓扑的LED驱动电路-KIA MOS管
当LED发光二极管驱动电路需要的电压输入范围比较宽时，这时候选用BUCK电路或者BOOST电路可能都不太合适，基于BUCK-BOOST拓扑的电源驱动电路就能解决这个问题了www.kiaic.com/article/detail/3563.html 2022-06-01
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【图文】提升MOS管驱动电路抗干扰性能-KIA MOS管
在实际调试MOS管驱动电路时，如果大家用示波器测一下MOS管gate极的波形，就会发现MOS管每次打开时，其栅极波形会出现类似于正弦波的阻尼振荡，这不仅使得MOS开关不稳定，降低其抗干扰能力，也会增大开关损耗，那么为什么会出现？如何解决呢？www.kiaic.com/article/detail/3562.html 2022-06-01
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MOS管3503 70A30V参数 KCX3503S原厂直销-KIA MOS管
MOS管3503 70A30V参数-特征RDS（开）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V先进的沟槽技术低门电荷高电流能力www.kiaic.com/article/detail/3561.html 2022-05-31
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【收藏】几种简单的音调电路图分享-KIA MOS管
本次的音调控制电路，其中Ai为缓冲放大级，用以降低前级输出的负担。该电路的低频转折频率为30Hz，高频转折频率为1kHz，控制范围为±20dB.使用运算放大器不仅能设计出具有高低音控制功能的音调电路，而且也能设计出具有高中低音控制功能的音调控制电路，实...www.kiaic.com/article/detail/3560.html 2022-05-31
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【电路设计】过热保护电路图分享-KIA MOS管
以电机过热保护为例，由PTC热敏电阻和施密特电路构成的控制电路。图中，RT1、RT2、RT3为三只特性一致的阶跃型PTC热敏电阻器，它们分别埋设在电机定子的绕组里。正常情况下，PTC热敏电阻器处于常温状态，它们的总电阻值小于1KΩ。www.kiaic.com/article/detail/3559.html 2022-05-31
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【电路分析】MOSFET的门源极并联电容-KIA MOS管
1.该电路用于高边开关，当MOS_ON 网络拉低到地时，开关Q1导通；2.电路中D3作用为钳位Q1门源电压在12V左右，以保护Q1；www.kiaic.com/article/detail/3558.html 2022-05-30
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【MOS管选型】MOSFET应用方案分析-KIA MOS管
DC-DC电源中常用的基本降压转换器依靠两个MOSFET来执行开关功能（下图），这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量开释给负载。www.kiaic.com/article/detail/3557.html 2022-05-30
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米勒效应对MOSFET开关过程有什么影响？-KIA MOS管
下面以图10中电机控制电路来说明米勒效应对MOSFET开通关断过程的影响。在图10控制电路中，上管导通时，VDD通过Q1、Q4对电机进行励磁；上管关断时，电机通过Q4、Q3进行去磁。www.kiaic.com/article/detail/3556.html 2022-05-30
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MOSFET di/dt和dv/dt分开控制方法-KIA MOS管
功率 MOSFET 的开通过程中可以分为 4 个阶段，关断过程的基本原理和开通过程相类似，以前的文章对其进行过非常详细的叙述，N 沟道功率 MOSFET 放在低端直接驱动的波形如图 1 所示。www.kiaic.com/article/detail/3555.html 2022-05-27
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【分享】dV/dt对MOSFET动态性能的影响-KIA MOS管
MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。如果dv/dt太大，可能发生振铃，进而可能导致MOSFET损坏。www.kiaic.com/article/detail/3554.html 2022-05-27
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【MOSFET失效模式】什么是dv/dt失效？-KIA MOS管
dv/dt失效是由于MOSFET关断时流经寄生电容Cds的瞬态充电电流流过基极电阻RB，导致寄生双极晶体管的基极和发射极之间产生电位差vBE，使寄生双极晶体管导通，引起短路并造成失效的现象。www.kiaic.com/article/detail/3553.html 2022-05-27