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mos管器件与应用,mos管文章目录大全,与分析详解！
MOS工艺技术的飞速发展，存集成电路制造产业中占有越来越重要的地位，而其中的MOS模拟集成电路也因此得以快速发展。MOS工艺能实现低电源电压、低功耗的系统，迎合了当前模拟电路的发展趋势。www.kiaic.com/article/detail/501.html 2017-11-13
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mos击穿,mos管击穿的原因及解决方法-分析大全
（1）穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐渐增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，发生电流较大。另一方面，耗尽层展广大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。（2）穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时，此刻源端的载流子注...www.kiaic.com/article/detail/509.html 2017-10-27
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MOS管的三个极,G、S、D分别代表是什么？详解
MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发热严重，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，如果G信号驱动能力不够，将严重影响波形跳变的时间.www.kiaic.com/article/detail/147.html 2017-10-26
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mos管 mos管电压如何正确选择步骤-重点分析
当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型...www.kiaic.com/article/detail/504.html 2017-10-23
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高压mos管,常用高压mos管型号、电压、参数等！
TO-92Part NumbeID（A)VDSS(V)MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)www.kiaic.com/article/detail/498.html 2017-10-17
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mos管漏极电流电压与什么有关
漏极电流与VGS呈指数关系 至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时，在栅氧化膜下方构成反型层（沟道），在漏极-源极间有电流活动，这种状态称为强反型状态。  www.kiaic.com/article/detail/445.html 2017-09-12
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mos管模型及三个小信号参数
小信号等效电路 模仿电路解析包括直流解析和交流小信号解析。这里导入小信号解析时所需要的小信号等效电路。小信号等效电路模型是使计算简单化的线性模型。三个小信号参数gm、gmb、go 如前所述，模仿电www.kiaic.com/article/detail/394.html 2017-08-18
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如何正确理解mos管衬底偏置效应
由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M2的阈值电压比M1高。www.kiaic.com/article/detail/389.html 2017-08-16