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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5318 个

  • 650v超结mos,650v mos管,acdc转换器,KCF6265A参数-KIA MOS管

    超结MOS管KCF6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造,低导通电阻RDS(on) 0.33Ω,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲;具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,稳定...

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    www.kiaic.com/article/detail/5946.html         2025-09-28

  • 肖特基势垒二极管SBD工作原理,应用-KIA MOS管

    肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成,有点接触型和面结合型两种管芯结构。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等,半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。

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    www.kiaic.com/article/detail/5945.html         2025-09-28

  • 正弦波逆变器原理,正弦波逆变器电路图-KIA MOS管

    正弦波逆变器将直流电转换为与电网相似的标准正弦波交流电,广泛应用于太阳能、电动车充电和移动电源等领域。直流输入:逆变器接收来自直流电源(如蓄电池、太阳能电池)的电能。高频开关电路:通过功率半导体器件(如IGBT、MOSFET)组成的开关电路,将直流电转...

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    www.kiaic.com/article/detail/5944.html         2025-09-28

  • 650v超结,11a650v,to263封装,KCB6265A参数-KIA MOS管

    超结MOS管KCB6265A采用KIA半导体先进的超级结技术制造,低导通电阻RDS(on) 0.33Ω,可以最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲;具有低栅极电荷、高坚固性、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,稳定...

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    www.kiaic.com/article/detail/5943.html         2025-09-26

  • 碳化硅mos管的基本结构,应用详解-KIA MOS管

    碳化硅mos管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是第三代半导体材料电力电子器件,三个脚分别为栅极(G),漏极(D)和源极(S)。碳化硅MOS为电压型控制器件,具有耐高温,开关速度快,工作频率高等特点。

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    www.kiaic.com/article/detail/5942.html         2025-09-26

  • 储能逆变器工作原理图文详解-KIA MOS管

    储能逆变器是一种将直流电转化为交流电,并能够将电能储存于电池中的设备。储能逆变器在应对电网电力波动和提高电力系统供电质量方面具有非常重要的作用。它可以控制电池与电网之间的输电功率,并且在电网短暂掉电时保证负载的持续供电。储能逆变器不仅具备并网...

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    www.kiaic.com/article/detail/5941.html         2025-09-26

  • 2908场效应管,2908mos管参数,to263封装,​KCB2908A-KIA MOS管

    KCB2908A场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流130A,采用先进的SGT技术设计,极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ,出色的栅极电荷,可最大限度地减少导电损失,减少开关损耗;具有高坚固性、快速切换,提高效率;100%雪崩测试、改进的dv/dt能力,性能稳定可靠;广泛应用...

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    www.kiaic.com/article/detail/5940.html         2025-09-25

  • 高电平转低电平方法,高电平转低电平电路-KIA MOS管

    当S1A为低电平的时候,MOS管Q3导通,S1A与S2A导通,S2A端被拉低到0V,实现两端都为低电平。当S1A为高电平的时候,MOS管Q3关断,S2A端由上拉电阻(上图中的 R28)拉高成高电平,实现两端都被高电平。

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    www.kiaic.com/article/detail/5939.html         2025-09-25

  • 绝缘栅型场效应管和结型场效应管详解-KIA MOS管

    结型场效应管(JFET)、绝缘栅型场效应管(MOSFET),结型场效应管分为N沟道和P沟道;绝缘栅型分为增强型和耗尽型(N沟道和P沟道)。JFET和MOSTFET之间的主要区别在于,通过JFET的电流通过反向偏置PN结上的电场引导,而在MOSFET中,导电性是由于嵌入在半导体上...

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    www.kiaic.com/article/detail/5938.html         2025-09-25

  • fet类型:JFET,MOSFET,MODFET,MESFET详解-KIA MOS管

    FET(场效应晶体管)主要分为结型场效应管(JFET)、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和金属-半导体场效应管(MESFET)、调制掺杂场效应管(MODFET)等。

    www.kiaic.com/article/detail/5937.html         2025-09-25

  • mos管的作用和工作原理图文-KIA MOS管

    MOS管在开关电路中扮演着重要的角色。其优异的电性能使得它能够高效地控制电路的通断,实现精确的开关功能。

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    www.kiaic.com/article/detail/5936.html         2025-09-23

  • 充电器mos管,2904mos,​to263封装,KCB2904A场效应管-KIA MOS管

    KCB2904A场效应管漏源击穿电压45V,漏极电流130A,采用先进的SGT技术,极低导通电阻RDS(ON)2mΩ(典型值),最大限度地降低导通电阻,减少开关损耗;具有低功率损耗,高功率密度,提升最大电流承载能力,易于并联,优异的低Ciss特性,在高频应用中更快地响应...

    www.kiaic.com/article/detail/5935.html         2025-09-22

  • ​直流电机驱动器工作原理详解-KIA MOS管

    直流电机驱动器是通过调节直流电机的输入电流,从而控制电机的转速和转矩;主要由电源、控制器、驱动器和电机组成,控制器根据输入信号发出控制指令,驱动器根据指令调节电机的电流,进而控制电机的运动。

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    www.kiaic.com/article/detail/5934.html         2025-09-22

  • buckboost电路原理,buckboost拓扑结构-KIA MOS管

    开关导通时,能量从输入直流电源(通过开关)传输给电感,没有能量传输给输出端。开关关断时,电感储能(通过二极管)传输到输出端,没有直接来自输入直流电源的能量。

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    www.kiaic.com/article/detail/5933.html         2025-09-22

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