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60V80A KNX3406A参数、规格、封装|原厂价格优势-KIA MOS管
MOS管60V80A KNX3406A产品特征RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V提供无铅和绿色设备低无线电数据系统开启，以减少传导损耗高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/2778.html 2021-04-30
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KNX3706A 60V50A N沟道MOSFET，免费送样 技术支持-KIA MOS管
KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求，100%EAS保证功能的可靠性得到认可。www.kiaic.com/article/detail/2777.html 2021-04-30
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KIA30N06B 60V25A中文资料 MOS管原厂现货直销-KIA MOS管
KIA30N06B是极高电池密度的最高性能沟槽N-ch MOSFET ,它为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KIA30N06B满足RoHS和绿色产品要求，100%的EAS保证了全部功能的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/2776.html 2021-04-30
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40V150A参数规格 KIA2804N MOS管原厂现货-KIA MOS管
40V150A参数规格 KIA2804N产品特征1、RDS（on）=3.0m@VGS=10V2、超高密度电池设计3、超低导通电阻4、快恢复体二极管5、无铅和绿色设备（符合RoHS）www.kiaic.com/article/detail/2774.html 2021-04-29
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30V85AMOS管，KNX3403A现货直供，免费送样-KIA MOS管
30V85AMOS管 KNX3403A产品特征RDS(on)=4.5mΩ@VGS=10V无铅绿色设备降低导电损耗高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/2773.html 2021-04-29
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晶圆、芯片概述以及晶圆与芯片有什么联系？-KIA MOS管
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经...www.kiaic.com/article/detail/2772.html 2021-04-28
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MOS管DS互换问题|D极与S极能否随意互换？-KIA MOS管
场效应管可分为结型场效应管（简称JFET）和绝缘栅场效应管（简称MOS管或MOSFET）两种。每种又可分为N沟道和P沟道两类，N沟道和P沟道场效应管工作原理相同，只是工作电压极性相反，这就像三极管有NPN型和PNP型之分一样。增强型和耗尽型之分，有关图形符号如图1。...www.kiaic.com/article/detail/2771.html 2021-04-28
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KIA2803A 替代AON6512 30V150A规格书 品质保证-KIA MOS管
KIA2803A，AON6512两个型号的具体参数、封装、电路特征等。（一）AON6512参数电流：150A电压：30V漏源电压：30V栅源电压：±20V雪崩电流：70A雪崩能量：123MJ漏源击穿电压：30V前向传导：85S输入电容：3430pF输出电容：1327pF反向转移电容：175pFwww.kiaic.com/article/detail/2770.html 2021-04-28
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KIA6N70 MOS管700V5.8A现货直销 原厂供应-KIA MOS管
这种功率MOSFET是使用KIA的先进的平面条纹DMOS技术生产的。这种先进的技术特别适合最小化状态上的电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下经受高能量脉冲。这些器件适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。www.kiaic.com/article/detail/2769.html 2021-04-27
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KIA100N03 30V90A中文资料 免费送样品质保证-KIA MOS管
1、此功率MOSFET是使用KIA的先进平面条纹DMOS技术生产的。这先进的技术已经专门针对最小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲。这些适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。www.kiaic.com/article/detail/2768.html 2021-04-27
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30V50A KIA50N03A替代NCE3050封装齐全 现货直销-KIA MOS管
NCE3050替代MOS管NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。www.kiaic.com/article/detail/2767.html 2021-04-27
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MOS管-散热器汇总(MOS管压条、压板)-KIA MOS管
在电源的设计中，由于MOS管处于频繁的开关状态，会产生较多的热量，导致mos管温度的升高，而温度对mos管能否正常工作有很大的影响。因此散热设计是电源设计的重要的容。为了将开关管产生的热量及时散发出去，不仅需要散热器的选材和结构，散热器和开关管之间的...www.kiaic.com/article/detail/2766.html 2021-04-26
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太全了！MOS管封装管脚外观详解-KIA MOS管
完成MOS管芯片制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整的电路。不同的封装、不同的设计，MOS管的规格尺寸、各类电性参数等...www.kiaic.com/article/detail/2765.html 2021-04-26
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MOS管耐压特性以及对栅极电荷的影响-KIA MOS管
功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS管的导通压降和开关速度是最佳的。测试耐压用示波器的高压探头测试。具体测试MOS的D-S（漏极接+，源极接GND），把示波器调到直流档，看最大值和峰峰值（这两者中...www.kiaic.com/article/detail/2764.html 2021-04-26