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高边驱动与低边驱动图文分析-KIA MOS管
高边驱动、低边驱动驱动负载有两种基本方法：低边驱动，高边驱动。低边驱动通常用于与动力总成相关的负载，例如电机，加热器。而高边驱动经常用于燃油泵和车身相关功能，如座椅，照明，雨刷和风扇等。www.kiaic.com/article/detail/2749.html 2021-04-20
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MOS驱动感性负载-PWM电路分析-KIA MOS管
MOS驱动感性负载-PWM电路通常的做法都是PWM信号直接到MOS管G极，这样做正常功能不会有问题，但异常时，如输出PWM的控制器故障或MCU死机，端口恰好一直持续高电平，那MOS就一直导通，感性负载磁饱和后大电流发热，甚至有可能烧毁线圈和MOS管。www.kiaic.com/article/detail/2748.html 2021-04-19
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移动电源系统中MOS管和肖特基二极管怎么选？-KIA MOS管
移动电源、MOS管、肖特基二极管移动电源设计并不复杂，大部分工作在于根据主控芯片选择充放电回路中的MOS管、肖特基二极管、电阻器、电容器和电感器及其相关参数。本文介绍典型移动电源类感性负载电源系统原理及PCB布线。www.kiaic.com/article/detail/2747.html 2021-04-19
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MOS管怎么放电？MOS管充放电原理解析-KIA MOS管
一、基本原理MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话，时间常数就大了。这样如果开关频率很高的话，在脉宽的时间内管子很...www.kiaic.com/article/detail/2746.html 2021-04-19
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三相桥式整流电路工作原理及开关电源整流电路-KIA MOS管
1.三相桥式全控整流电路在任何时刻都必须有两个晶闸管导通，而且这两个晶闸管一个是共阴极组，另一个是共阳极组的，只有它们能同时导通，才能形成导电回路。2. 三相桥式全控整流电路就是两组三相半波整流电路的串联，所以与三相半波整流电路一样，对于共阴极组...www.kiaic.com/article/detail/2745.html 2021-04-16
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并联式开关电源工作原理详解-KIA MOS管
图1-11-a是并联式开关电源的简单工作原理图，图1-11-b是并联式开关电源输出电压的波形。图1-11-a中Ui是开关电源的工作电压，L是储能电感，K是控制开关，R是负载。图1-11-b中Ui是开关电源的输入电压，Uo是开关电源输出的电压，Up是开关电源输出的峰值电压，Ua是...www.kiaic.com/article/detail/2744.html 2021-04-16
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开关电源的浮地驱动及其它基本电路原理图分析-KIA MOS管
在驱动电路设计中，经常会提到MOS管需要浮地驱动，那么什么是浮地驱动呢？简单的说就是MOS管的S极与控制IC的地不是直接相连的，也就是说不是共地的。以我们常用的BUCK电路为例，如下图：控制IC的地一般是与输入电源的地共地的，而MOS管的S极与输入电源的地之间...www.kiaic.com/article/detail/2743.html 2021-04-16
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搞定恒流电源电路设计的六个提示-KIA MOS管
基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成，输入级提供参考电流，输出级输出需要的恒定电流。恒流源电路就是要能够提供一个稳定的电流以保证其它电路稳定工作的基础。即要求恒流源电路输出恒定电流，因此作为输出级的器件应该是具有饱和输出电流的伏安特性。...www.kiaic.com/article/detail/2742.html 2021-04-15
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三相全桥MOS管驱动电路调试记录-KIA MOS管
未接入全桥时，电流转电压测量波形包含噪声，周期约为17us左右，幅值为120mV左右，振荡周期约为1.3us左右，如下图所示。经过运放放大10倍后的波形中噪声减弱，猜测是因为运放内部的频带限制使高频噪声衰减，同时猜测该高频噪声来自于开关电源。www.kiaic.com/article/detail/2741.html 2021-04-15
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电子电路|触摸开关电路图分析-KIA MOS管
1.桥触摸开关图1所示的电阻桥触摸开关采用了LM339，LM339是一种四电压比较器（内部有4个完全相同的电压比较器），该电路只应用了其中的一个，工作电压范围宽达232V。用手触摸靠得很近但不接触的双金属片时，LM339第2脚输出低电平信号，使发光二极管LED1导通发光...www.kiaic.com/article/detail/2740.html 2021-04-15
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分析为什么NMOS比PMOS用的多-KIA MOS管
NMOS管的工作原理，是通过控制导电沟道，以此来控制源漏电流。在栅极加上正电压Vgs，衬底的电子会被带正电的栅极吸引，电子充斥在源端和漏端之间，形成了导电沟道，两边就可以通了。当Vgs电压以高频率变化的时候，形成的导电沟道的厚薄也会变化。这个导电沟道的...www.kiaic.com/article/detail/2739.html 2021-04-14
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MOSFET的FT，如何定义？FT计算-KIA MOS管
MOSFET-FT定义在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)www.kiaic.com/article/detail/2738.html 2021-04-14
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亚阈值电流及亚阈值摆幅/阈值电压-KIA MOS管
亚阈值电流是在MOS管理想的电流－电压特性中，当Vgs小于 Vt 时，漏极电流 Id 为0。亚阈值电流，或称亚阈值漏电流（英语：subthreshold leakage），是金属氧化物半导体场效应管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区（或称亚阈值状态）时，源极...www.kiaic.com/article/detail/2737.html 2021-04-14
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MOS器件作为电容，电容的值应该由什么决定?-KIA MOS管
电容在电路设计中是一个基本又必不可少的部分，除了作为旁路，滤波，去耦或隔直等作用，在一些电路中也可以作为运算电路单元，完成信号的存储和传递。在集成电路设计中，电容的实现方式主要有MIM、PN结电容、Metal寄生电容和MOS电容等。www.kiaic.com/article/detail/2736.html 2021-04-13