a - 广东可易亚半导体科技有限公司

cmd5940参数,cmd5940场效应管代换,KIA23P10A原厂现货-KIA MOS管

KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术，性能优越；漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，低导通电阻RDS（ON）值为78mΩ（在VGS=10V时为典型值），能够有效降低功耗；100%EAS保证、超低栅极电荷和出色的Cdv/dt效应下降，...

0 次查看 cmd5940参数 cmd5940场效应管代换

www.kiaic.com/article/detail/5118.html 2024-07-31

薄膜电容器详解,薄膜电容器的作用-KIA MOS管

薄膜电容(Film Capacitor)器又称塑料薄膜电容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜为电介质。薄膜电容广泛被使用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端...

0 次查看薄膜电容器详解薄膜电容器的作用-KIA MOS管

www.kiaic.com/article/detail/5117.html 2024-07-31

ao4410参数,ao4410场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管

最大耐压：30V最大电流：18A导通电阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V最大反馈电容 (Crss)：542pF

1 次查看 ao4410参数

www.kiaic.com/article/detail/5116.html 2024-07-31

75nf75场效应管代换,75nf75场效应管参数,引脚图-KIA MOS管

KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低Rds开启，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，减少导电损耗、提升效率；无铅和绿色设备的特点，符合环保要求；高雪崩电流，在运行时承受更高的冲击负载，提供更稳定和可靠的性能；在电动车控制器、逆变器...

0 次查看引脚图-KIA MOS管 75nf75场效应管代换 75nf75场效应管参数

www.kiaic.com/article/detail/5115.html 2024-07-30

hy4008场效应管参数代换,KIA2808A参数引脚图规格书-KIA MOS管

KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V，200A参数的高性能功率器件，KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，RDS（开启）=4.0m?（典型值），减小损耗提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环...

1 次查看 hy4008场效应管参数代换

www.kiaic.com/article/detail/5114.html 2024-07-30

开关电源死区时间是什么？详解-KIA MOS管

死区时间（Dead Time）是指在开关管转换过程中，关闭管与开启管之间需要相应一段时间（通常为几纳秒到数微秒不等），以保证两个管之间不会同时导通而导致短路的现象。

0 次查看

www.kiaic.com/article/detail/5113.html 2024-07-30

p75nf75场效应管参数代换,KNX3308A参数引脚图-KIA MOS管

KNX3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低rds开启，RDS（ON）值为6.2mΩ，以减少导电损耗，具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，能够替代HY1906、SRP75NF75、FH80N08场效应管在电...

1 次查看 p75nf75场效应管参数代换

www.kiaic.com/article/detail/5112.html 2024-07-29

led封装详解,led封装工艺流程图分享-KIA MOS管

LED封装是指将发光二极管芯片与支持电路、散热结构等元件进行组装，并通过封装材料进行密封，以提供保护和散热的过程。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。

0 次查看 led封装详解

www.kiaic.com/article/detail/5111.html 2024-07-29

MOS管和继电器的区别、优缺点详解-KIA MOS管

继电器是一种电磁开关，?通过电磁力使机械触点接通或断开电路；MOS管是一种电子开关，?通过控制栅极电压来调节通道的导电能力。?

1 次查看

www.kiaic.com/article/detail/5110.html 2024-07-29

75V 150A场效应管,KIA2807N参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管

KIA2807N场效应管采用超低导通电阻的高密度电池设计，漏源击穿电压75V，漏极电流为150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低导通电阻、100%雪崩测试、可提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），具有优越的开关性能，在DC-DC转换器和离线UPS、开关电源中的高效同步整...

0 次查看原厂现货-KIA MOS管 75V 150A场效应管 KIA2807N参数引脚图

www.kiaic.com/article/detail/5109.html 2024-07-26