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25n06场效应管参数代换,60V 25A,KIA30N06B参数引脚图-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，RDS（开启）=25m?@VDS=60V，具有超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应下降以及100%EAS保证、绿色设备可用，稳定可靠，能够在各种应用场景下发挥稳定的作用；KIA30N06B能够代换25n06...www.kiaic.com/article/detail/5090.html 2024-07-18
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大功率变压器电路,原理图,工作原理详解-KIA MOS管
大功率变压器是交流电源变换的一种，由一个或多个整流器、滤波器及大功率开关器件组成。在直流电压的供电系统中，将交流电转换为直流电的装置称为整流器；而在直流电压的供电系统中，将直流电转换为交流电的装置就称为滤波器。www.kiaic.com/article/detail/5089.html 2024-07-18
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光耦驱动继电器电路图文分享-KIA MOS管
光耦合器(opticalcoupler，OC)，光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。以光为媒介来传输电信号，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，...www.kiaic.com/article/detail/5088.html 2024-07-17
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光伏逆变器MOS管,ru40190r参数代换,KIA2404A场效应管-KIA MOS管
KIA2404A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流190A；超低导通电阻RDS（开启）（TYP）=2.2m?@VGS=10 V，提高开关效率降低损耗；100%雪崩试验、无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），稳定可靠，适合应用在光伏逆变、电鱼机、DC-DC转换器和离...www.kiaic.com/article/detail/5087.html 2024-07-16
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什么是电压电流转换电路,电压电流转换电路原理-KIA MOS管
电压电流转换电路的原理是利用欧姆定律和基尔霍夫电路定律。欧姆定律表明，电流和电阻成正比，电压和电阻成反比。基尔霍夫电路定律则表明，在一个电路中，电流的总和等于零，电势差的总和也等于零。www.kiaic.com/article/detail/5086.html 2024-07-16
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ovp过压保护,ovp和ocp什么意思,一文详解-KIA MOS管
OVP 全称 Overvoltage Protection，即过压保护，当电压超过预设水平时关闭电源或暂停输出，对后级电路起到了保护作用,避免因输入电压过高导致后级电路损坏。应用于电子产品中电源输入口处，防止输入电源电压异常过高损坏电子产品。www.kiaic.com/article/detail/5085.html 2024-07-16
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p沟道mos管-100a -40v,KPX3204B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KPX3204B场效应管采用先进的高单元密度沟槽，漏源击穿电压-40V，漏极电流-90A，极低导通电阻VGS=-10V时，RDS（ON）=3.2mΩ（典型值）；超低栅极电荷，高效率低损耗，100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降、绿色设备可用，可靠稳定；封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5084.html 2024-07-15
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信号地详解,信号地与电源地的区别-KIA MOS管
SGND（信号地）对应两块芯片亦或模块间的通信信号回流所流过的路径；电源地对应电源回路电流的路径。SGND（信号地）通常是传感器的地。通常SGND（信号地）和GND（电源地）不可以共用，因为GND上流过的大电流会产生电压差，引起干扰，会使信号产生误判，把高电平...www.kiaic.com/article/detail/5083.html 2024-07-15
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判断mos管的工作状态方法分享-KIA MOS管
mos管的三个工作状态：截止状态：当VGS（栅源电压）小于VGS(TH)（阈值电压）时，MOS管处于截止状态。此时，漏极电流ID很小，相当于管子不导通。www.kiaic.com/article/detail/5082.html 2024-07-15
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ipd036n04l场效应管代换,KIA3204A参数引脚图,原厂原装-KIA MOS管
KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流100A，超低导通电阻，RDS（开启）=3.8 mΩ@VGS=10V，减小损耗；100%雪崩测试、无铅和绿色器件可用（符合RoHS标准），可靠稳定；广泛应用于电机驱动器、交换机系统中，封装形式：TO-220、TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5081.html 2024-07-12
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ujt,单结晶体管触发电路,原理图,工作原理-KIA MOS管
以此作为单结晶体管电源，其目的是使单结晶体管振荡器在每个梯形波结束时刻，由于电源电压为零，使电容上电压亦为零，在下一个梯形波开始时刻，电容c均是从零压开始充电到峰点电压，因而每个梯形波所产生的第一个脉冲所需要的时间均相同，而梯形波过零时刻与晶...www.kiaic.com/article/detail/5080.html 2024-07-12
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ujt,单结晶体管图形符号,工作原理详解-KIA MOS管
单结晶体管（UJT）又称基极二极管，只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区，两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法...www.kiaic.com/article/detail/5079.html 2024-07-12
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nce30p30k,30A 30V场效应管,KIA30N03B参数引脚图-KIA MOS管
KIA30N03B采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，超低栅极电荷RDS（开启）=15m?@VDS=30V，减小损耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、100%EAS保证、绿色设备可用，可靠稳定；广泛应用于同步降压转换器、DC-DC电源系统、负载开关中...www.kiaic.com/article/detail/5078.html 2024-07-11
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电机驱动mos管,27A 800V TO264,KNK7880A参数引脚图-KIA MOS管
电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低栅极电荷最小化开关损耗；该器件采用先进平面工艺，高效率低损耗；坚固的多晶硅栅极结构，可靠稳定，适用于BLDC电机驱动器、电焊机、高效开关电源、电源分流器、...www.kiaic.com/article/detail/5077.html 2024-07-11