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结果: 找到相关主题 5229 个
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有源器件和无源器件的定义和区别详解-KIA MOS管
有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。简单地讲就是需要能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。www.kiaic.com/article/detail/5104.html 2024-07-25
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150A 60V场效应管现货,KNB2806A参数引脚图,规格书-KIA MOS管
KNB2806A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；具有100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准）等特性，稳定可靠、性能优越；在开关切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源中广...www.kiaic.com/article/detail/5103.html 2024-07-24
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varactor电容,变容二极管正负极判断,原理作用-KIA MOS管
Varactor电容，也称为?变容二极管，其电容值可以根据外加电压的变化而改变。变容二极管又称“可变电抗二极管”，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为...www.kiaic.com/article/detail/5102.html 2024-07-24
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压敏电阻选型详解,压敏电阻选型参数,计算-KIA MOS管
压敏电阻虽然能吸收很大的浪涌电能量，但不能承受毫安级以上的持续电流，在用作过压保护时必须考虑到这一点。压敏电阻的选用，一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。www.kiaic.com/article/detail/5101.html 2024-07-24
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150n06场效应管参数,KIA2806A参数代换,150A 60V现货-KIA MOS管
KIA2806A场效应管替代150N06B场效应管应用在逆变器、锂电池保护板、电源管理中，KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试、提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），稳定可靠；封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5100.html 2024-07-23
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同步整流,逆变器MOS管,KCX3406A场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管
KCX3406A是N沟道增强型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技术生产。漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，RDS（开启）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低栅电荷、低反馈电容、开关速度快、改进的dvdt功能，稳定可靠；改进的工艺和电池结构经过特别定制，以最大限度地降低导通...www.kiaic.com/article/detail/5099.html 2024-07-23
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电阻单位换算表，电阻单位换算关系-KIA MOS管
电阻从大到小的单位排列：MΩ（兆欧）、kΩ（千欧）、Ω（欧）、mΩ（毫欧）、μΩ（微欧）。电阻换算关系：1TΩ＝1000GΩ；1GΩ＝1000MΩ；1MΩ＝1000KΩ；1KΩ＝1000Ω（也就是一千进率）。www.kiaic.com/article/detail/5098.html 2024-07-23
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hy1603,MOS管代换,KNX3406A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KNX3406A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为80A，低电阻，在VGS=10V时，RDS（ON）=6.5m?（典型值），最大限度地减少导电损耗，提供卓越的开关性能；高雪崩、电流无铅和绿色设备可用，稳定可靠；在电源、DC-DC转换器中广泛应用，封装形式：DFN5*6、TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5097.html 2024-07-22
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lm324运算放大器,电路原理图分享-KIA MOS管
对于同相比例放大电路来说，输入负电压部分没有输出，因此我们要让输入负电压时输入到运放中仍然为正，为此我们需要在同相输入端叠加一个直流分量，这样就可以与来自负电压抵消，为了使正负电压对称，通常叠加分量取电源电压的一般，这样我们现在就可以设计此电...www.kiaic.com/article/detail/5096.html 2024-07-22
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mos管与igbt的区别,mos和igbt应用区别-KIA MOS管
MOS管是一种场效应管，由栅极、漏极和源极组成，栅极和漏极之间是一个p型或n型沟道。而IGBT是由一个n型沟道和一个pnp结构组成，它由一个门极、一个集电极和一个发射极组成，其中集电极和发射极之间是一个n型沟道。www.kiaic.com/article/detail/5095.html 2024-07-22
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STD35P6LLF6参数代换,KIA8606A场效应管中文资料,优质现货-KIA MOS管
KIA8606A采用先进的高单元密度沟槽技术的N沟道MOSFET，漏源击穿电压60V，漏极电流为35A，超低栅极电荷，提供卓越的开关性能；100%EAS保证、出色的Cdv/dt效应、绿色设备可用，稳定可靠；KIA8606A能够代换ST意法半导体STD35P6LLF6，为LED车灯、同步降压转换器应用...www.kiaic.com/article/detail/5094.html 2024-07-19
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mosfet栅极电阻,mos管栅极电阻的作用-KIA MOS管
MOS管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，广泛应用于模拟和数字电路中。其中，栅极电阻是MOS管中一个重要的参数，它对MOS管的性能和特性有着重要的影响。栅极电阻指的是在MOS管工作时，由于栅极与衬底之间存在一定的电阻而产生的效应。它是指在给定的偏置下...www.kiaic.com/article/detail/5093.html 2024-07-19
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电压跟随器电路图、原理图分享-KIA MOS管
电压跟随器（或称缓冲放大器、单位增益放大器或隔离放大器）是一种运算放大器电路，其输出电压等于输入电压（它“跟随”输入电压）。因此，电压跟随器运算放大器不会放大输入信号，并且电压增益为 1。www.kiaic.com/article/detail/5092.html 2024-07-19
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STF140N6F7场效应管代换,60V 70A,KIA3506A参数管脚图-KIA MOS管
KIA3506A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流为70A，VGS=10V ,RDS(on)=6.5mΩ@ VGS=10V；具有超低电阻、高UIS和UIS 100%测试，减小损耗，稳定可靠；KIA3506A可以代换ST意法半导体STF140N6F7在电动车控制器、硬开关和高频电路、不间断电源中广泛应用。KIA3506A封...www.kiaic.com/article/detail/5091.html 2024-07-18