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混合集成电路详解,混合集成电路分类,特点-KIA MOS管
混合集成电路是将半导体集成工艺与薄/厚膜工艺结合而制成的集成电路。是半导体集成电路外围元件的再集成，或称为二次集成。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装...www.kiaic.com/article/detail/4912.html 2024-04-23
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30n06参数代换,30n06场效应管参数,30n06引脚图中文资料-KIA MOS管
KIA30N06B场效应管是一款先进高密度沟槽技术的电子元件，漏源击穿电压60V，漏极电流25A，具有出色的性能指标，?在VDS为60V时，其RDS(on)仅为25mΩ，表现出超低的电阻特性、良好的Cdv/dt效应下降，为电路提供了更稳定的工作环境、100%的EAS保证具有更高的可靠性...www.kiaic.com/article/detail/4911.html 2024-04-22
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电压反馈详解,电压反馈和电流反馈判断-KIA MOS管
电压反馈（voltagefeedback-VFB），在模拟电路中，若反馈量与输出电压（有时不一定是输出电压，而是取样处的电压）成正比则为电压反馈；若反馈量与输出电流（有时不一定是输出电流，而是取样处的电流）成正比则为电流反馈。www.kiaic.com/article/detail/4910.html 2024-04-22
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atx电源电路图分享，atx电源详解-KIA MOS管
ATX电源（ATX Power Supply）是计算机的工作电源，作用是把交流220V的电源转换为计算机内部使用的直流5V，12V，24V的电源。www.kiaic.com/article/detail/4909.html 2024-04-22
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场效应管6035参数,大功率350V,开关电源MOS管KIA6035A-KIA MOS管
KIA6035A场效应管的漏源击穿电压高达350V，漏极电流可达11A，适用于各种高压应用场合，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率、高坚固性和快速切换能力，能够在各种恶劣环境下稳定工作、还具有指定的雪崩...www.kiaic.com/article/detail/4908.html 2024-04-19
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晶振电路的作用,原理,有源无源晶振电路图-KIA MOS管
晶振电路是用于产生稳定频率的电子电路，晶振电路使用了一块称为晶体谐振器（Crystal Resonator）的英晶体。晶体谐振器具有谐振频率，在电路中通过激励晶体谐振器，它会以其固有的谐振频率开始振荡。这种振荡频率非常稳定，主要作用是提供一个精确而稳定的时钟...www.kiaic.com/article/detail/4907.html 2024-04-19
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印刷电路板的化学方程式,印刷电路板制作过程-KIA MOS管
印刷电路板PCB（PrintedCircuitBoard），又称印刷电路板、印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，主要作用是连接和支持电子元器件，并实现它们之间的电气连接。由于它是采用电子印刷术制作的，故被称为“印刷”电路板。www.kiaic.com/article/detail/4906.html 2024-04-19
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4820场效应管参数引脚图,200V 9A,KNX4820B中文资料-KIA MOS管
KNX4820B场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流9A，采用了专有新型平面技术，是一款高性能的器件，RDS（ON），典型=250mΩ@VGS=10V，保证了稳定的工作状态、低栅极电荷的最小化设计，有效降低了开关损耗，提升了能效、配备快速恢复体二极管，有效提高器件的响应速...www.kiaic.com/article/detail/4905.html 2024-04-18
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图文收藏|电气符号大全,电气符号大全图解-KIA MOS管
电气图形符号由一般符号、符号要素、限定符号和方框符号组成。读懂电路图首先应建立图形符号与电气设备或部件的对应关系以及明确文字标识的含义，才能了解电路图所表达的功能、连接关系以及工作流程。我们在识读电路图时，了解清楚了这些常用的图形符号，工作中...www.kiaic.com/article/detail/4904.html 2024-04-18
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什么是mos管的静态参数,静态特性？详解-KIA MOS管
漏源击穿电压。（D端-S端所能承受电压值，受制于内藏二极管的耐压，条件：VGS=0，ID=250uA时，与温度成正比）是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。www.kiaic.com/article/detail/4903.html 2024-04-18
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40v pmos管,P40v MOS管,场效应管TO-252/DFN5X6-KIA MOS管
RDS(ON)=3.2mΩ (typ.) @ VGS=-10V漏极电流 (ID) ：-100A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-40V栅极电荷（Qg）：115 nC功耗 (PDM) ：83Wwww.kiaic.com/article/detail/4902.html 2024-04-17
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星三角启动电路图,星三角启动电路原理-KIA MOS管
图为星三角降压启动电路图，QS为断路器，KM1主接触器，KM2星形连接接触器，KM3角形连接接触器，FR热继电器，KT时间继电器（通电延时型），SB1停止按钮，SB2启动按钮。www.kiaic.com/article/detail/4901.html 2024-04-17
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lc振荡电路四个过程,lc振荡电路充放电过程-KIA MOS管
振荡电路是由一个电容器与一个自感线圈串联而成的，称为 LC 电路（LC circuit）。LC振荡电路通过利用电感和电容元件之间的电磁相互耦合，实现了电能和磁能的相互转换，从而产生振荡电流。www.kiaic.com/article/detail/4900.html 2024-04-17
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P30v mos管,30V PMOS管,低压MOS场效应管,国产厂家-KIA MOS管
P30v MOS,KPE4403A参数引脚图漏极电流 (ID) ：-5.0A漏源击穿电压 (VDS(ON)) ：-30V栅极电荷（Qg）：6.5 nC功耗 (PDM) ：1.5WRDS(on)=40mΩ(typ)@ VGS=10 Vwww.kiaic.com/article/detail/4899.html 2024-04-16