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7610参数PDF手册,KIA7610A场效应管参数引脚图,25A 100V-KIA MOS管
KIA7610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用了先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻，提供杰出的性能、结工作温度175℃，具备较高的耐高温性能，适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度在电路转换中能够迅速响应，确保电路效...www.kiaic.com/article/detail/4887.html 2024-04-10
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dc电流详解，ac电流和dc电流有什么区别-KIA MOS管
直流电（DC，direct current），又称“恒流电”，恒定电流是直流电的一种，是大小和方向都不变的直流电。直流电是电荷的单向流动或者移动，通常是电子。电流密度随着时间而变化，但是通常移动的方向在所有时间里都是一样的。作为一个形容词，DC可用于参考电压（...www.kiaic.com/article/detail/4886.html 2024-04-10
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MOS管的特点，mos管的特性是什么-KIA MOS管
开关特性：首先MOS管是压控器件，作为开关使用时，NMOS管只要满足Vgs大于Vgs（th）即可导通。开关损耗：MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗，导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的，一般导通电阻都比较小。导通特性：导通的意义是作为开关，相当于开关闭...www.kiaic.com/article/detail/4885.html 2024-04-10
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tip122参数引脚图,tip122参数及代换,KIA6410A中文资料-KIA MOS管
KIA6410A场效应管漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，同时还具备改进的dv/dt能力，确保快速切换的稳定性、以及100%的EAS保证让用户放心使用，而且作为绿色设备，符合环保要求；KIA6410A封装形式：TO-220、TO-252、...www.kiaic.com/article/detail/4884.html 2024-04-09
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mos管体二极管方向,mos管体二极管的作用-KIA MOS管
典型的MOSFET包括源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。在功率MOSFET中，通常还有一个额外的区域，称为体区（Bulk或Body），这个区域与源极相连。由于MOSFET的制造工艺，源极和体区之间会形成一个PN结，这个PN结就相当于一个二极管。这就是所谓的体二...www.kiaic.com/article/detail/4883.html 2024-04-09
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场效应管和mos管区别|场效应管和mos管怎么区分-KIA MOS管
场效应管-FET和MOS管-MOSFET在结构、工作原理和应用方面有所区别。场效应管(FET)是一个更广泛的概念，包括结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FET)；在MOS管(MOSFET)中，栅极由金属层(M)、氧化层(O)和半导体材料(S)组成，这种结构使得MOS管在低...www.kiaic.com/article/detail/4882.html 2024-04-09
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6n70场效应管参数,KIA6N70H大功率开关mos管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，具有低栅电荷（典型16NC）、高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、具备提高dv/dt能力的特点，多种封装形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便应用。www.kiaic.com/article/detail/4881.html 2024-04-08
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mos管是什么？mos管是什么器件？-KIA MOS管
MOS管，全称金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，MOSFET。MOS管是一种半导体器件，工作原理是基于其内部的绝缘栅结构，通过电压控制电流的流动。具有高输入阻抗、低噪声增益和快速切换速度等特点，主要用作电子...www.kiaic.com/article/detail/4880.html 2024-04-08
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速度饱和效应详解,什么是速度饱和效应-KIA MOS管
速度饱和效应：在强电场环境下，载流子的漂移速度随电场强度的增加而增加的幅度逐渐降低，并最终趋于饱和状态的现象。www.kiaic.com/article/detail/4879.html 2024-04-08
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2804场效应管参数,引脚图,150A 40V参数,KNX2804C-KIA MOS管
KNX2804C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流150A，采用先进的沟槽MOS技术，具有极低的导通电阻RDS（接通），能够实现高效的电路控制；2804场效应管RDS（ON）为3.0mΩ，在10V的VGS条件下表现出优异的性能，在电机控制、驱动系统、电池管理以及不间断电源等领域有...www.kiaic.com/article/detail/4878.html 2024-04-07
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pc817引脚图,pc817引脚图及功能,参数-KIA MOS管
PC817光耦合器，由一个红外发射二极管（IRLED）和一个与其光耦合的光电晶体管组成，具有隔离、放大和变换信号等功能，在电子电路中应用广泛。PC817利用光耦合效应，在输入端产生光信号，经过传输和放大后在输出端转变成电信号。这实现了输入和输出的隔离和变换...www.kiaic.com/article/detail/4877.html 2024-04-07
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肖特基势垒详解，肖特基势垒二极管-KIA MOS管
肖特基势垒（Schottky Barrier），是指具有整流特性的金属-半导体接触，即具有大的势垒高度，以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性，是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。www.kiaic.com/article/detail/4876.html 2024-04-07
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3407场效应管参数规格书,80A 70V,KIA3407A中文资料-KIA MOS管
KIA3407A场效应管采用了先进的沟槽工艺技术，漏源击穿电压70V，漏极电流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V时）；封装形式：TO-220、TO-263。www.kiaic.com/article/detail/4875.html 2024-04-03
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741芯片引脚图功能图,lm741芯片参数特点-KIA MOS管
LM741是一款通用运算放大器芯片，它具有通过两个引脚进行零偏移调整的能力；被认为是电压跟随器电路的最合适选择，因为没有闩锁；LM741的共模输入电压范围也非常高，无需使用外部组件来实现稳定性。www.kiaic.com/article/detail/4874.html 2024-04-03