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结果: 找到相关主题 5229 个
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光耦驱动mos管电路图,电路原理分享-KIA MOS管
一个采用正激隔离变压器实现电气隔离的驱动电路。控制芯片采用了UC3844，其输出为高电平时，输出电流经过R4、C1给变压器初级线圈励磁。次级线圈为高电平输出，通过驱动电阻R1来驱动MOS管导通。www.kiaic.com/article/detail/4951.html 2024-05-13
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mos管防反接电路图,防反接电路原理-KIA MOS管
电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。www.kiaic.com/article/detail/4950.html 2024-05-13
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3409参数,3409场效应管参数引脚图,KIA3409中文资料-KIA MOS管
KIA3409采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（导通）和低栅极电荷。3409场效应管适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3409不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。VDS(V)=-30VID=-2.6Awww.kiaic.com/article/detail/4949.html 2024-05-11
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音调电路,音调控制电路,电路原理图分享-KIA MOS管
这是一个简单的音调控制电路。这个电路是被动式的，它不需要电源，对音频电平没有放大作用，并且有一定的削弱。该电路被构造成两个T形过滤器，以同样的方式作为灵活的低音和高音音调控制。两个T型过滤器左臂连接到音频输入端，右臂连接到地，中心点连接输出端。...www.kiaic.com/article/detail/4948.html 2024-05-11
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mos管失效原因,六大失效原因及解决措施-KIA MOS管
1、雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。预防方法--MOS管选型时，耐压要留足的余量--加吸收电路，吸收过高的VDS尖峰www.kiaic.com/article/detail/4947.html 2024-05-11
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8205MOS管,8205场效应管参数,场效应管8205a资料-KIA MOS管
8205MOS管,8205场效应管参数漏源电压：20V漏极电流：5.0A栅源电压：±12V脉冲漏电流：20A总功耗：2Wwww.kiaic.com/article/detail/4946.html 2024-05-10
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场效应管直流调速电路,PWM直流电机调速-KIA MOS管
图中，由U1a、U1d组成振荡器电路，提供频率约为400Hz的方波/三角形波。U1c产生6V的参考电压作为振荡器电路的虚拟地。这是为了振荡器电路能在单电源情况下也能工作而不需要用正负双电源。www.kiaic.com/article/detail/4945.html 2024-05-10
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场效应管功放的优缺点有哪些？-KIA MOS管
场效应管功放使用场效应管作为放大元件，相较于普通晶体管等其他元件，它具有失真度低、交叉失真小等特点。高输入阻抗：场效应管的输入阻抗非常高，可以达到10^8Ω～10^9Ω，这意味着它在放大器中可以提供极低的噪声。www.kiaic.com/article/detail/4944.html 2024-05-10
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3414参数,3414场效应管参数,3414场效应管代换-KIA MOS管
KIA3414采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压20V，漏极电流4.2A，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3414无铅（符合ROHS和Sony 259规范），是一款高性能的绿色产品。3414场效应管具有出色的封装，封装...www.kiaic.com/article/detail/4943.html 2024-05-09
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半波整流电路,半波整流电路原理,电路图-KIA MOS管
半波整流电路是利用二极管的单向导通特性来进行整流的电路，除去半周、剩下半周的整流方法，叫半波整流。半波整流电路可将交流电转换为直流电。它只能使正半周的输入信号输出为正向单向导通电流，而负半周则被完全剔除。这种电路涉及一个二极管和一个负载电阻。...www.kiaic.com/article/detail/4942.html 2024-05-09
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mos管的功率,mos管功率损耗,mos管功率计算-KIA MOS管
MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。计算公式为：Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c)，其中Tcmax是允许的最大温度，Tc是MOS管的结点温度，Rth(ch-c)是热阻。www.kiaic.com/article/detail/4941.html 2024-05-09
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3402场效应管参数,80A 20V,KNX3402A规格书中文资料-KIA MOS管
KNX3402A是一款漏源击穿电压20V，漏极电流80A的高性能场效应管，RDS（开启）（典型值）=3.0m? @ VGS=4.5伏，超低Rdson的高密度电池设计，保证了电路的高效能运行，完全表征雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，具有高EAS，为设备的稳定性提供了保障，能够满...www.kiaic.com/article/detail/4940.html 2024-05-08
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mos管的参数,mos管的主要参数理解-KIA MOS管
V(BR)DSS漏源破坏电压V(BR)DSS（有时候叫做VBDSS）指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。超过此值，管子面临损坏。www.kiaic.com/article/detail/4939.html 2024-05-08
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mos管的输出特性曲线,三个区,图文详解-KIA MOS管
截止区：当满足Ugs＜Ugs(th)，MOS管进入截止区。截止区在输出特性最下面靠近横坐标的部分，表示MOS管不能导电，处在截止状态。截止区也叫夹断区，在该区时沟道全部夹断，电流Id为0，管子不工作。www.kiaic.com/article/detail/4938.html 2024-05-08