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bjt和fet的区别、比较分析-KIA MOS管
BJT中的B是指“双极性（bipolar）”，意思是其内部同时存在电子和空穴这两种极性的导电载流子；而FET却是“单极性（unipolar）”元件，其导电仅靠一种载流子：N沟道场效应管中仅有电子导电，P沟道场效应管中仅有空穴导电。www.kiaic.com/article/detail/4862.html 2024-03-28
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80n120参数,KSZ080N120A中文资料,充电桩MOS管-KIA MOS管
碳化硅MOS管KSZ080N120A参数：28A，1200V；RDS（ON）仅为80mΩ，在VGS为20V，TJ为25°C时达到典型值，具有低导通电阻和高阻断电压的特点；在低电容条件下能实现高速开关；具备强大的雪崩强度，可应用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压DC-DC转换器以及电池...www.kiaic.com/article/detail/4861.html 2024-03-27
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功率放大电路,功率放大电路的类型,特点,作用-KIA MOS管
功率放大电路是以输出较大功率为目的的放大电路。功率放大电路包含一个输入级，其任务是将输入信号放大到一定程度，然后将其传递到一个输出级，该输出级将信号进一步放大并驱动负载。www.kiaic.com/article/detail/4860.html 2024-03-27
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c945参数与管脚图,c945引脚图功能-KIA MOS管
c945电气参数:集电极-发射极电压VCEO：50V集电极-基极电压VCBO：60V发射极-基极电压VEBO：5Vwww.kiaic.com/article/detail/4859.html 2024-03-27
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40n120参数及代换,变频器MOS管KSZ040N120A参数-KIA MOS管
碳化硅MOS管KSZ040N120A具有60A 1200V的参数特性，RDS（ON）仅为40mΩ（典型值）在VGS=20V，TJ=25℃条件下，在高电压下能够拥有较低的导通电阻，同时表现出优异的高速开关性能。40n120具有雪崩耐量，可靠性高，适用于轨道交通、变频器、充电桩等领域。www.kiaic.com/article/detail/4858.html 2024-03-26
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lm339引脚图及功能,lm339参数,lm339电路图-KIA MOS管
LM339(四路差动比较器)由14个引脚和4个独立的电压比较器组成，LM339是在电压比较器芯片内部装有四个独立的电压比较器，是常见的集成电路，主要应用于高压数字逻辑门电路；利用lm339可以组成各种电压比较器电路和振荡器电路。www.kiaic.com/article/detail/4857.html 2024-03-26
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电源效率是什么？电源效率计算公式-KIA MOS管
开关电源在实际工作中输入与输出转换是有一定的能量损耗的，并不会完全无损耗转换，电源效率就是用来衡量能量转换损耗的一个重要指标。电源效率是指输出功率与输入功率之比，计算公式是：η = P_out / P_inwww.kiaic.com/article/detail/4856.html 2024-03-26
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p06p03lvg电压引脚,p06p03lvg代换,KPE4703A锂电池保护板-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏极电流-8A，漏源击穿电压-30V，具有优异的性能表现；导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，在栅极电压为10V时；超低的栅极电荷，能够有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率，KPE4703A能够替代尼克森的p06p03lvg型号进行使用，可靠稳定。www.kiaic.com/article/detail/4855.html 2024-03-25
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MOS管尖峰电压,MOS管尖峰产生原因-KIA MOS管
在MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而在寄生电容中产生大的位移电流Cdv/dt，形成电流尖峰；在MOS关断过程中，通道内产生电流瞬变，di/dt，瞬变电流在寄生电感端产生尖峰电压Ldi/dt。www.kiaic.com/article/detail/4854.html 2024-03-25
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mos管制作led亮度调节,led调光电路-KIA MOS管
这个电路主要用到了一个电容的充电回路，这里需要引入一个时间常数，如果刚给电路通上电，并且按下左面的开关，那么电流会通过R1和R2和按钮开关给电容充电，这个充电过程并不是一瞬间就完成的，是有一个过程，如果想充到电源电压的0.63倍(既1-1/e，在这个电路中...www.kiaic.com/article/detail/4853.html 2024-03-25
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9n90c场效应管参数,9n90c代换,9n90参数引脚图-KIA MOS管
KIA9N90场效应管是一款性能卓越的功率器件，具有9A的电流承受能力和高达900V的电压额定值；RDS（开启）仅为1.12Ω，在VGS=10 V时表现出色；具有低栅极电荷，典型值为70 nC，以及低Crss，典型值为14pF，能够在电路设计中更加灵活可靠。www.kiaic.com/article/detail/4852.html 2024-03-22
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mos管测量好坏方法,mos管测量好坏图解-KIA MOS管
一般在判断好坏的时候先对MOS管放电，放电的目的就是使G极（栅极）和S极（源极）电位相同，放电直接在G极和S极之间用导线短接一下就可以了，也可以串接个电阻。www.kiaic.com/article/detail/4851.html 2024-03-22
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mmbt5551参数,mmbt5551引脚图,mmbt5551规格书-KIA MOS管
频率：300 MHz额定电压(DC)：160 V额定电流：600 mA耗散功率：350 mW击穿电压(集电极-发射极)：160 Vwww.kiaic.com/article/detail/4850.html 2024-03-22
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si2302场效应管参数,引脚图,si2302中文资料-KIA MOS管
漏极电流（ID）：3 A漏-源极电压（VDSS）：20 V漏-源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω耗散功率（PD）：1.25 W封装：SOT-23www.kiaic.com/article/detail/4849.html 2024-03-21