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mos管测量好坏方法,mos管测量好坏图解-KIA MOS管
一般在判断好坏的时候先对MOS管放电，放电的目的就是使G极（栅极）和S极（源极）电位相同，放电直接在G极和S极之间用导线短接一下就可以了，也可以串接个电阻。www.kiaic.com/article/detail/4851.html 2024-03-22
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mmbt5551参数,mmbt5551引脚图,mmbt5551规格书-KIA MOS管
频率：300 MHz额定电压(DC)：160 V额定电流：600 mA耗散功率：350 mW击穿电压(集电极-发射极)：160 Vwww.kiaic.com/article/detail/4850.html 2024-03-22
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si2302场效应管参数,引脚图,si2302中文资料-KIA MOS管
漏极电流（ID）：3 A漏-源极电压（VDSS）：20 V漏-源极通态电阻（RDS(on)）：0.06 Ω耗散功率（PD）：1.25 W封装：SOT-23www.kiaic.com/article/detail/4849.html 2024-03-21
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power mosfet电力场效应晶体管特点、结构详解-KIA MOS管
电力MOS场效应管-分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。 是一种单极型的电压控制全控型器...www.kiaic.com/article/detail/3019.html 2024-03-21
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mosfet属于什么器件？mosfet原理作用-KIA MOS管
MOSFET属于单极性器件。MOS管，金属氧化物氧化物场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor FET，简称MOS-FET，是应用场效应原理工作的半导体器件，属于电压控制型半导体器件。www.kiaic.com/article/detail/4848.html 2024-03-21
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mos管开启条件,n沟道p沟道mos管开启条件-KIA MOS管
MOS属于电压控制型器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程中也是需要电流的，因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs以及Cds。对于N沟道增强型MOSFET，开启条件是漏源电压（Vds）大于开启电压（Vgs(th)），同时栅源电压（Vgs）也大于开启电压（Vgs(th)）。...www.kiaic.com/article/detail/4847.html 2024-03-21
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10N80E参数,10n80参数及代换,KIA10N80H参数引脚图-KIA MOS管
10N80E参数,10n80参数引脚图漏极电流（ID）：10A漏极和源极电压（VDSS）：800V漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.85Ω耗散功率（PD）：42W封装：TO-220Fwww.kiaic.com/article/detail/4846.html 2024-03-20
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国产mos管厂家,国内mos管厂家品牌-KIA MOS管
广东可易亚半导体科技有限公司主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。www.kiaic.com/article/detail/4845.html 2024-03-20
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nmos和pmos的区别,nmos pmos怎么区分-KIA MOS管
MOS管根据导电性质不同可分为NMOS和PMOS两种。NMOS和PMOS的结构相似，都是由n型和p型半导体夹杂着一层氧化膜构成的。不同之处在于，NMOS的氧化膜上覆盖着一层金属，通常是钨或铜，而PMOS则覆盖着一层氮化硅或氧化铝等绝缘材料。www.kiaic.com/article/detail/4844.html 2024-03-20
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7n80场效应管参数,7n80c场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA7N80场效应管是一款性能出色的电子器件，具有极高的可靠性和稳定性，7n80漏极电流7A，漏源击穿电压800V，RDS(on)仅为1.4Ω@ VGS=10V，栅极电荷低，仅为27nC，快速切换，操作高效，还具备高坚固性，经过100%雪崩测试，改进的DV/DT功能，进一步提升了性能表现...www.kiaic.com/article/detail/4843.html 2024-03-19
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开关电源MOS的失效原因及预防措施-KIA MOS管
雪崩失效：MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。www.kiaic.com/article/detail/4842.html 2024-03-19
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三端稳压器怎么测量,三端稳压器测量好坏方法-KIA MOS管
将可调电阻RP左旋到头，使ADJ端子电压为0，用数字万用表或指针万用表的电压挡测量，滤波电容C1两端电压应低于1.25V。然后，慢慢向右旋转RP，使C2两端电压逐渐升高，C1两端电压也要逐渐升高，最高电压接近 37V。否则，说明LM317存在异常。www.kiaic.com/article/detail/4841.html 2024-03-19
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3n80c场效应管参数,3n80c场效应管代换,中文资料-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管性能优越，漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，表现出强大的功率承受能力；在开启状态下，静态电阻RDS为4.8?，在栅极电压为10V时具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保了快速的响应速度；还具有高坚固性，能够在恶劣环境下可靠工作；以...www.kiaic.com/article/detail/4840.html 2024-03-18
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什么是数字集成电路,数字集成电路详解-KIA MOS管
数字集成电路是基于数字逻辑（布尔代数）设计和运行的，基于逻辑门搭建的，用于处理数字信号的集成电路。数字电路是用来处理0和1的信号的，在数字电路中，就只有0和1这两个状态。数字电路通过复杂的逻辑门设计，通过简单的0和1这两个状态的组合，就能实现非常复...www.kiaic.com/article/detail/4839.html 2024-03-18