场效应管和IGBT有什么区别-场效应管型号大全-KIA 官网

KIA mos场效应管原厂家，场效应管和IGBT的区别，IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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www.kiaic.com/article/detail/685.html         2018-02-25

场效应管型号选型参数、型号、电压、参数等

主要适用于：开关电源、报警器、控制器、安定器、电表、电动工具、逆变器、充电器、保护板、电动车等

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www.kiaic.com/article/detail/499.html         2017-11-13

场效应管,耗尽型场mos效应管的工作原理-详解！！

耗尽型场效应管根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸收到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，构成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结

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www.kiaic.com/article/detail/505.html         2017-10-30

场效应管｜薄膜晶体管(TFT)：​

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场效应管｜薄膜晶体管(TFT)：?

www.kiaic.com/article/detail/280.html         2017-06-26

强场效应管｜场效应管

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强场效应管｜场效应管

www.kiaic.com/article/detail/266.html         2017-06-20

KIA半导体推出碳化硅场效应管（SiC-MOSFET）

近些年来，随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨，在高电压工业设备领域中，可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。其中，与现有的Si功率半导体相比，可支持更高电压、有助于实现小型化且更加节电的SiC功率半导体备受瞩目。

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www.kiaic.com/article/detail/53.html         2016-04-18