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20n50场效应管,20n50h,500v20a,KIA20N50HF批发-KIA MOS管
原厂特价现货21n50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用先进的沟槽技术制造，低导通电阻RDS(开启) 0.21Ω，低栅极电荷70nC，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，在应用中高效稳定可靠；专为高压、高速...www.kiaic.com/article/detail/6307.html 2026-04-03
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500v5a,场效应管5n50,dfn5x6,KIA5N50SY原厂现货-KIA MOS管
原厂特价批发现货KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低电荷、低反向传输电容，开关速度快，在应用中高效低耗，?以及坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的...www.kiaic.com/article/detail/6304.html 2026-04-02
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5n50,5n50场效应管,500v5a,to252,KIA5N50HD现货-KIA MOS管
原厂优质现货KIA5N50HD场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流5A，用先进的沟槽技术生产，低导通电阻RDS(导通) 1.0Ω，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，提高效率；具有低栅极电荷，开关速度快?以及在峰值电流或脉冲宽度方面表现出卓越的性能，高效稳定，...www.kiaic.com/article/detail/6298.html 2026-04-01
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500v5a场效应管,5n50现货,to252,KIA5N50SD批发-KIA MOS管
原厂特价现货KIA5N50SD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，采用先进的沟槽技术生产，低导通电阻RDS(导通) 1.38Ω，最大限度地减少导通损耗，提高效率；具有坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美、二极管的特...www.kiaic.com/article/detail/6301.html 2026-04-01
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35P10,-100v-35a,p沟道,KIA35P10BD场效应管现货-KIA MOS管
原厂优质P沟道MOS管KIA35P10BD漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 45mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；具有低交叉干扰、快速开关，在应用中高效稳定；100%经雪崩测试、dv/dt响应能力...www.kiaic.com/article/detail/6295.html 2026-03-30
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80v70a mos,3508mos管,KNB3508A场效应管现货批发-KIA MOS管
原厂现货KNB3508A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流70A，采用先进的沟槽技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 7.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲、?100%雪崩测试，可靠且坚固耐用，快速切换，在...www.kiaic.com/article/detail/6292.html 2026-03-27
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30v90a mos,3303场效应管现货,dfn5x6封装,KNY3303A-KIA MOS管
原厂优质现货KNY3303A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A，?采用先进的平面条形DMOS技术生产，极低导通电阻RDS(导通) 3.1mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开关性能；具有改进的dv/dt能力、快速切换，在应用中高效稳定可靠，环保无铅；适...www.kiaic.com/article/detail/6289.html 2026-03-26
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40v130a场效应管,2904mos管现货,KNP2904A特价-KIA MOS管
原厂特价现货KNP2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(导通) 2.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉干扰、快速开关，高效低耗；100% 已通过雪崩测试、dv/dt响应能力提升，...www.kiaic.com/article/detail/6282.html 2026-03-25
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3404r场效应管,40v80a mos管,to252封装,KAND3404R批发-KIA MOS管
原厂优质车规级场效应管KAND3404R漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(导通) 5.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、低交叉干扰、快速开关，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100%...www.kiaic.com/article/detail/6286.html 2026-03-25
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30v150a参数,dfn5x6封装,KNY2803T场效应管原厂现货-KIA MOS管
KNY2803T场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测...www.kiaic.com/article/detail/6279.html 2026-03-23
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30vmos管,2803场效应管,30v150a,KND2803T现货批发-KIA MOS管
原厂现货KND2803T场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷、高输入阻抗、低功耗、开关速度快，高效低耗；优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测试，在...www.kiaic.com/article/detail/6276.html 2026-03-20
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电源mos,30v150a,2803场效应管,KNB2803T原厂现货-KIA MOS管
专业电源MOS管原厂现货KNB2803T场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有超低栅极电荷、开关速度快，以及优异CdV/dt效应衰减、100% ΔVds已测试、100%UIS已测试，...www.kiaic.com/article/detail/6270.html 2026-03-18
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2803mos管,2803场效应管,30v150a,KNB2803S原厂好价-KIA MOS管
原厂现货场效应管KNB2803S漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有低Crss、开关速度快，高效低耗，以及100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保应用稳定可靠；广泛应用于逆变器、BMS、电源管理领域...www.kiaic.com/article/detail/6264.html 2026-03-16
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3080mos,3080场效应管,KND3080现货特价促销-KIA MOS管
原厂特价场效应管KND3080漏源击穿电压30V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术制造，提供卓越的开关性能；极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有超低栅极电荷，高输入阻抗、开关速度快，以及??CdV/dt效应显著下降、100% ΔVds...www.kiaic.com/article/detail/6261.html 2026-03-13