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NMOS分立负载开关电路图文分享-KIA MOS管
典型的负载开关系统应用如下。包括一个电源和多个需要不同负载电流的负载。系统必须通过多个电源开关独立控制这些负载，包括打开时间、打开的速度等。该电源开关可以使用离散的MOSFET电路或集成的负载开关来实现。www.kiaic.com/article/detail/4245.html 2023-05-22
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PMOS分立负载开关电路图文分享-KIA MOS管
下图是一个非常简单的分立负载开关电路，只需要用到一个PMOS管和一个GPIO信号，GPIO连接到MOS管的栅极。当GPIO为高电平时，MOS管关闭。当GPIO为低电平的时候，MOS管打开。www.kiaic.com/article/detail/4244.html 2023-05-22
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轨道交通 变频器 充电桩-KSZ040N120A、KSZ080N120A高效稳定-KIA MOS管
KIA MOS管厂家生产的碳化硅MOSFET-KSZ040N120A、KSZ080N120A拥有卓越的性能和高可靠性，能够在各种应用、环境中高效稳定运行；两款产品主要应用于轨道交通、变频器、充电桩等领域。www.kiaic.com/article/detail/4243.html 2023-05-15
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PMOS应用上电控制、电池防反接、模块电源开关-KIA MOS管
电源开关选择 PMOS (上图Q1) 的原因：因为 PMOS 是 Vgs＜0 时，D、S 之间导通，而 PMOS 的源极 (S) 经常接着是要通过的电压，比如电池的 3.7V~4.2V，这样只需栅极 (G) 的电压一定范围小于源极的电压，PMOS 就可以导通，经常使用如上图，通过一个 NMOS 下拉到地...www.kiaic.com/article/detail/4242.html 2023-05-15
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【负电压电路】负电压产生电路图分享-KIA MOS管
一个负电压产生电路：利用电容充电等效出一个新电源，电容串联在GND后，等效为电源2，则产生负电压。www.kiaic.com/article/detail/4241.html 2023-05-15
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电动车防盗报警器MOS管热销7910 -28A -100V-KIA MOS管
报警器MOS管 7910 -28A-100V-概述1、采用CRM(CQ)先进的沟槽技术2、极低通阻RDS(on)3、符合JEDEC标准www.kiaic.com/article/detail/4240.html 2023-05-12
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负电压的产生电路图原理分析-KIA MOS管
上面的电路是一个最简单的负压产生电路。使用的原件是最少的，只需要给它提供1kHz左右的方波就可以了，相当简单。这里需要注意这个电路的带负载能力是很弱的，同时在加上负载后电压的降落也比较大。www.kiaic.com/article/detail/4239.html 2023-05-12
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【电源电路】几种产生负电源的方法分享-KIA MOS管
电源电路是电路设计的重要环节，一般情况下，单电源能实现功能的用单电源就行，可选的方案很多，DC-DC、LDO等芯片很多。有时候，单电源无法满足需求时，就必须用到负电源。www.kiaic.com/article/detail/4238.html 2023-05-12
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MOS管RDS(on)与VGS(th)温度特性图文分析-KIA MOS管
可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。www.kiaic.com/article/detail/4237.html 2023-05-11
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600V快恢复二极管KIA06TB60D HID安定器专用 TO-252参数-KIA MOS管
HID 600V KIA06TB60D该系列是最先进的器件，设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。www.kiaic.com/article/detail/4236.html 2023-05-11
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结电容Cgd Cgs Cds与分布参数Ciss Crss Coss-KIA MOS管
结电容”的定义适用于所有的FET，并不局限于VMOS，也适用于所有的VMOS晶体管，只是测定方法与标识方法有差异。实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与封装之间的分布电容。www.kiaic.com/article/detail/4235.html 2023-05-11
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超结MOSFET输出电容迟滞效应产生原因-KIA MOS管
从图5可以发现，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应，与其漏极源极所加电压VDS直接相关，这种效应大多发生在低压阶段，这也表明，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应和超结柱状结构在低于100V发生的三维耗尽有关。www.kiaic.com/article/detail/4234.html 2023-05-10
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超结功率MOSFET输出电容迟滞效应分析-KIA MOS管
理论上，ZVS软开关过程中，COSS电容充放电，基本上没有损耗。实际应用中却发现，功率MOSFET在ZVS软开关过程中，COSS电容充放电过程存在一定的额外损耗，无法恢复存储在输出电容COSS中的全部能量，这个现象称为超结功率MOSFET输出电容的迟滞（滞洄）效应。www.kiaic.com/article/detail/4233.html 2023-05-10
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MOS管寄生电容如何形成？图文详解-KIA MOS管
1. 势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）；www.kiaic.com/article/detail/4232.html 2023-05-10