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单位面积容值相同的单位面积容值,电容值 MIM < MOM,MIM 约是1/3 MOS电容值。
www.kiaic.com/article/detail/4231.html 2023-05-09
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MOS 电容:两端结构的mos管,电容值不精确,可以实现随控制电压变化而变化的容值,上下极板接法不可互换。
www.kiaic.com/article/detail/4230.html 2023-05-09
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HID氙气灯 KIA08TB70D-描述该系列是最先进的设备,设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。
www.kiaic.com/article/detail/4229.html 2023-05-09
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在CMOS工艺中,通常采用平板电容和MOS电容两种不同的类型,此外还有与偏置电压有关的PN结非线性电容和引线寄生电容等。
www.kiaic.com/article/detail/4228.html 2023-05-08
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在电路设计零极点计算中,我们经常需要对MOS管的栅电容进行理论估算,栅电容Cgg=Cox*W*L,W和L我们可以直接从器件参数得到,接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值。
www.kiaic.com/article/detail/4227.html 2023-05-08
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MOS管电容分别由氧化层电容和半导体电容串联组成,Cox为固定电容值,和电容极板的厚度以及面积有关。Cs为可变电容,与MOS管的工作状态有关。
www.kiaic.com/article/detail/4226.html 2023-05-08
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KNP2915A TO-220 150V130A-描述:SGT MOSFET技术先进的沟槽MOS技术低栅极电荷RDS低(ON)
www.kiaic.com/article/detail/4225.html 2023-05-06
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方法一:dc扫描 AVDD 从-3扫到3Vtools-result Brower-dcOpinfo-选定M0的Cgg
www.kiaic.com/article/detail/4224.html 2023-05-06
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当MOSFET工作在开关状态时,随着VGS的通/断,MOSFET是在截止区和可变电阻区来回切换的,在切换过程中可能会经过饱和区。
www.kiaic.com/article/detail/4223.html 2023-05-06
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KIA3510A 75A 100V-特征RDS(打开)=9mΩ(典型值)@VGS=10V100%雪崩测试可靠且坚固提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)
www.kiaic.com/article/detail/4222.html 2023-05-05
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利用CMOS反相器为传输门的控制端提供一对互补的控制信号,这种电路结构实现了可控单刀单掷开关的功能,因而被称为双向模拟开关,图中符号EN端子称为模拟开关的控制端,当使能端接入高电平的时候,控制开关闭合,使能端接入低电平信号的时候,控制开关处于断开的...
www.kiaic.com/article/detail/4221.html 2023-05-05
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将两个MOS管的源极直接相连做为输入端子,漏极连接在一起做为输出端子,由于这种MOS管的漏极和源极完全可以互换使用,因而这种电路的输入端与输出端也可以互换,这就是具有信号传输双向特性的CMOS传输门,简称TG门。
www.kiaic.com/article/detail/4220.html 2023-05-05
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三态门(Three-state gate)是一种重要的总线接口电路。也常常出现在芯片的引脚上,在 设计DFT/边界扫描(Boundary scan)的情况下 需要了解芯片的pin脚的几种形式,其中就包括三态输出。
www.kiaic.com/article/detail/4219.html 2023-05-04
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OC门电路的工作原理:1)当INPUT输入高电平,Ube>0.7V,三极管U3导通,三极管U4的b点电位为0,U4截止,OUTPUT输出高电平;
www.kiaic.com/article/detail/4218.html 2023-05-04