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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5172 个

  • 【电路设计】运放的有效防护分享-KIA MOS管

    运放的内部防护主要分为三类 1)运放输入端接了二极管防护-A类(如下图2图)2)运放没有任何的防护措施-B类3)运放输入端在接保护电阻的同时还串联了电阻-C类(如下1图)

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    www.kiaic.com/article/detail/4259.html         2023-05-29

  • 锂电池保护板MOS管KCB3010A 100V120A 4.0mΩ热销-KIA MOS管

    KCX3010A N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的双沟道降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量。这是适用于电机驱动器和高速开关应用的设备。

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    www.kiaic.com/article/detail/4258.html         2023-05-26

  • 【保护电路】过流保护电路设计分享-KIA MOS管

    利用采样电阻是我们常用的设计方式,通过采样电阻进行电流检测然后输出控制信号。现在也有很多集成的IC专门来进行高低边电流检测的,

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    www.kiaic.com/article/detail/4257.html         2023-05-26

  • 保护电路设计:过温保护电路分享-KIA MOS管

    稳压管给U103MAX6501提供5V电压,温度正常时,U103的五脚输出高电平,当温度超过保护点时U103的五脚输出低电平,当温度恢复后,U103的五脚输出高电平。

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    www.kiaic.com/article/detail/4256.html         2023-05-26

  • 过压保护电路:浪涌电压保护、脉冲电压保护-KIA MOS管

    选择时,应注意VR>V0,且VC<Vmax。以保证TVS管正常工作时,这样电压正常,TVS管不工作时不会消耗电流大,同时电压过高时,TVS管工作时可以正常保护后端器件不会损坏。

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    www.kiaic.com/article/detail/4255.html         2023-05-25

  • 【电路分享】输出过压保护电路图-KIA MOS管

    输出过压保护电路:当有高于正常输出电压范围的外加电压加到输出端或电路本身故障(开环或其他)导致输出电压高于稳压值时,此电路会将输出电压钳位在设定值。

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    www.kiaic.com/article/detail/4254.html         2023-05-25

  • 【开关电源】输入欠压保护电路精选-KIA MOS管

    当电源输入电压高于欠压保护设定点时,A点电压高于U4的Vref,U4导通,B点电压为低电平,Q4导通,Vcc供电正常;当输入电压低于保护电压时,A点电压低于U4的Vref,U4截止,B点电压为高电平,Q4截止,从而Vcc没有电压,此时Vref也为低电平,当输入电压逐渐升高时,...

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    www.kiaic.com/article/detail/4253.html         2023-05-25

  • 电容充放电时间常数RC计算分享-KIA MOS管

    对于电路时间常数RC的计算,可以归纳为以下几点: 1).如果RC电路中的电源是电压源形式,先把电源“短路”而保留其串联内阻;

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    www.kiaic.com/article/detail/4252.html         2023-05-24

  • 【电路设计】泄放电路分析图文-KIA MOS管

    泄放电路就是将一部分能量转换成热或者其它形式能量的电路。单板断电后,LED灯长时间没有熄灭,就是对储能器件的能量没有合理的泄放掉。

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    www.kiaic.com/article/detail/4251.html         2023-05-24

  • MOS管电平转换电路、电源切换电路-KIA MOS管

    1、当SDA1输出高电平时: MOS管Q1的Vgs = 0, MOS管关闭,SDA2被电阻R3.上拉到5V。

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    www.kiaic.com/article/detail/4250.html         2023-05-24

  • NMOS物理结构-NMOS的结构、原理详解-KIA MOS管

    沟道内的电子就是NMOS导电的关键,只要VD>VS,电子从S流向D,电流就会从D流向S。

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    www.kiaic.com/article/detail/4249.html         2023-05-23

  • 600V无刷电机的MOS管驱动电路设计-KIA MOS管

    在设计开发无刷电机的应用电路,较为经典的电路设计是选用MOS管的H桥方案,因为H桥方案最大的特点通过4个MOS管,就可以实现无刷电机的正转与反转、速度调节的控制。

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    www.kiaic.com/article/detail/4248.html         2023-05-23

  • ​MOS管搭建长按按键开关机电路图-KIA MOS管

    1.**设备开启时,**按下按键“KEY”,此时mos管导通,漏极变成5V,整个系统供电,MCU正常工作,并检查“KEY1”引脚电平,当为低电平时,可在程序中加入延时,而后再次判断该引脚电平,仍然为低电平时,控制“Power_Ctrl”引脚为高电平,此时,即可松开KEY按键,...

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    www.kiaic.com/article/detail/4247.html         2023-05-23

  • 集成负载开关、参数、特性详细分析-KIA MOS管

    (1)导通FET是负载开关的主要元件,它决定了负载开关可处理的最大输入电压和最大负载电流。负载开关的导通电阻是导通FET的特性,将用于计算负载开关的功耗。导通FET既可以是N沟道FET,也可以是P沟道FET,这将决定负载开关的架构。

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    www.kiaic.com/article/detail/4246.html         2023-05-22

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