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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5184 个

  • TTL反相器:TTL接地是高电平还是低电平?-KIA MOS管

    T1:第一个管子作用与其他管子都不同,电源仅连到管子基极,这个三极管可以简单看成是两个并联的二极管。而且因为左右是并联关系,两边电压会相互牵制。

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    www.kiaic.com/article/detail/4116.html         2023-03-13

  • MOS管、三极管引脚悬空问题分析-KIA MOS管

    MOS管栅级一定不能悬空,MOS管每一级之间都会产生感应电容,G同S极D极可看成绝缘的,G极悬空后,感应电压没有释放回路,从而控制mos管导通。MOS管前端电压不受控制直接加在后端电路上了。

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    www.kiaic.com/article/detail/4115.html         2023-03-13

  • ​【电路分享】缓冲电路/延时上电电路-KIA MOS管

    当左端VCC上电时,由于C1通过R1充电(电容两端电压不能突变),导致R1两端电压为高电平,此时MOS管阈值电压尚未达到,所以MOS管为关闭状态。

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    www.kiaic.com/article/detail/4114.html         2023-03-10

  • RC串联、并联、串并联电路图文详解-KIA MOS管

    如下图所示,输入电压加于RC串联电路两端,输出电压取自于电阻R或电容C。由于电容的特殊性质,对下图(a)和(b)不同的输出电压取法,呈现出不同的频率特性。

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    www.kiaic.com/article/detail/4113.html         2023-03-10

  • RC串联延时电路电容充电时间计算-KIA MOS管

    在电路设计中经常会用到将电阻和电容正极连接,电阻另一端接上电源,电容负极接地。电阻和电容连接点为功能点,常用于延时驱动晶体管或是使能IC。

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    www.kiaic.com/article/detail/4112.html         2023-03-10

  • DCDC电源的延时计算图文分享-KIA MOS管

    参数说明:3.3指芯片EN引脚最大电压,本案例中3.3V弱上拉,可认为3.3V是EN引脚最大电压1.2指芯片EN引脚使能电压,本案例取典型值1.2V

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    www.kiaic.com/article/detail/4111.html         2023-03-09

  • 【电路分享】PMOS管构建电源延时供电电路-KIA MOS管

    图1的延时时间通过C250,C251,R90来调整,VBUS断开后利用C250,C251储存的电压,来给Q2的栅极提供高电平,使Q2暂时无法导通。随着C250,C251的电压逐渐降低,Q2的VGS满足Q2导通,VCC4V0_D有电压。D6用于防止C250上的电压通过其他电路泄掉。

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    www.kiaic.com/article/detail/4110.html         2023-03-09

  • MOS管开通关断:LC振荡电路及寄生参数-KIA MOS管

    当gs两端接上开通电压,如果没有电阻Rg,会产生很强的振荡,因此必须增加栅极电阻Rg消除这种振荡,但是电阻也不宜过大,过大的电阻会使开通时间过慢,开关损耗增加,因此需要统筹兼顾来选择Rg的阻值。

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    www.kiaic.com/article/detail/4109.html         2023-03-09

  • 双向Buck-Boost变换器软开关实现-KIA MOS管

    在对双向Buck-Boost电路进行理论分析时,我们都会假设L和C这两类无源器件的值很大。电感L很大就意味着低压侧的电感电流纹波很小,电容C很大就意味着低压侧和高压侧的电压纹波很小。

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    www.kiaic.com/article/detail/4108.html         2023-03-08

  • 【开关电路】什么是硬开关和软开关?-KIA MOS管

    理想开关状态下,开关器件的端电压为0或流过开关管的电流为0,而两者的过渡状态下,电压、电流均不为0,两者出现交叠,因此会产生开关损耗,而电压和电流变化速度很快,波形会产生明显过充,从而产生了开关噪声,如图1a所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/4107.html         2023-03-08

  • 开关电源环路补偿图文分析-KIA MOS管

    开关电源是一种典型的反馈控制系统,其有响应速度和稳定性两个重要的指标。响应速度就是当负载变化或者输入电压变化时,电源能迅速做出调整的速度。

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    www.kiaic.com/article/detail/4106.html         2023-03-08

  • MOS管三个引脚区分及作用图文详解-KIA MOS管

    栅极(G):MOS管的控制引脚,G的全称是Gate,当在栅极(G)施加电压后,栅极(G)和硅衬底之间的SiO2绝缘层中就会产生一个栅极(G)指向硅衬底的电场。氧化物层两边形成一个电容,门极电压等于对电容充电,受电压吸引,电容另一边聚集大量电子,形成导电沟道,MOS管开始...

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    www.kiaic.com/article/detail/3429.html         2023-03-08

  • 双向Buck-Boost变换器的结构、原理-KIA MOS管

    非隔离双向Buck-Boost变换器是双向DC-DC变换器的最基础拓扑,也是工业界最常用的拓扑,它由2个开关管、1个电感、2个电容组成。其电路结构如图1非隔离双向Buck-Boost变换器结构所示。

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    www.kiaic.com/article/detail/4105.html         2023-03-07

  • 【电路分享】双向Buck-Boost电源-KIA MOS管

    工作过程:当Q1导通时,电源V2工作,电感L1进行储能,电路电路电流逐渐增大,电容C1进行充电操作;当Q1截止时,由于电感特性会阻碍电流变化,电感L1成为能量源释放能量,电容C1仍然处于充电状态,然而由于负载始终在消耗能量,使得电容C1两端电压始终低于输入电...

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    www.kiaic.com/article/detail/4104.html         2023-03-07

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