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新型锂电池5分钟内完成充电-KIA MOS管
美国康奈尔大学科学家研制出一款新型锂电池，可在5分钟内完成充电，速度快于市场上其他同类电池，且历经数千次充放电循环后仍能保持性能稳定，有望缓解电动车驾驶员的“里程焦虑”。www.kiaic.com/article/detail/4746.html 2024-01-24
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开关电源分析,电路组成,工作原理图文-KIA MOS管
开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。www.kiaic.com/article/detail/4745.html 2024-01-24
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电源模块选型1200v,KNX42120A场效应管参数-KIA MOS管
电源模块热销KNX42120A高压场效应管具有漏源击穿电压高达1200V和漏极电流可达3A的特点，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；还具有低栅极电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，可以有效地减少开关损耗，快速恢复体二极管，使其具备更高的性能，...www.kiaic.com/article/detail/4744.html 2024-01-23
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mos管的gidl效应,MOSFET泄漏电流详解-KIA MOS管
MOS管的GIDL效应是指在栅极电压较高的情况下，绝缘层下的沟道区域会发生漏电现象的现象。这种现象是由于高电场导致绝缘层中的电子发生穿隧效应，从而形成漏电流。GIDL效应会导致器件的功耗增加、性能下降，并可能引起电流漂移现象。www.kiaic.com/article/detail/4743.html 2024-01-23
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MOS管泄漏电流,各种漏电流,减小泄露方法-KIA MOS管
结漏泄漏电流为：当晶体管关断时，通过反偏二极管从源极或漏极到衬底或者阱到衬底；这种反偏结泄露电流主要由两部分组成：（1）由耗尽区边缘的扩散和漂移电流产生；（2）由耗尽区中的产生的电子-空穴对形成；www.kiaic.com/article/detail/4742.html 2024-01-23
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10-16串保护板mos管,KNX3308B场效应管参数,80V 80A-KIA MOS管
KNX3308B是一款高性能的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（ON）值仅为7.2mΩ（typ）在VGS为10V时，这使得它成为电源和DC-DC转换器等应用领域的理想选择；KNX3308B是保护板专用MOS管，在10-16串保护板中热销，低导通电阻、最大限度地减少导电损耗，...www.kiaic.com/article/detail/4741.html 2024-01-22
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纯电阻电路,公式,和非纯电阻电路的区别-KIA MOS管
纯电阻电路是指电流通过导体时，因导体的电阻把电能转化为热能的电路。纯电阻电路是除电源外，只有电阻元件的电路，或有电感和电容元件，但它们对电路的影响可忽略。电压与电流同频且同相位。电阻将从电源获得的能量全部转变成内能，这种电路就叫做纯电阻电路。...www.kiaic.com/article/detail/4740.html 2024-01-22
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B值是什么，热敏电阻的B值详解-KIA MOS管
B值是指热敏电阻特定温度下阻值与该温度下对数阻值的斜率的倒数，通常以K为单位。B值越大，温度系数越小，温度变化时电阻值的变化幅度也就越小。热敏电阻是一种温度感应元件，其电阻值会随着温度的变化而发生改变。www.kiaic.com/article/detail/4739.html 2024-01-22
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3串,4串保护板接线,保护板专用KNX3204A参数-KIA MOS管
KNX3204A场效应管是一种高性能的电子元件，非常适合应用于锂电池保护板。该场效应管具有漏源电压40V和漏极电流100A的特点，可以承受较大的电压和电流。其特殊设计的新沟槽技术使其具备低门电荷，从而减小了开关损耗。此外，它还具备快恢复体二极管，能够更快地...www.kiaic.com/article/detail/4738.html 2024-01-19
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单结晶体管符号,原理,单结晶体管触发电路-KIA MO管
单结晶体管是一种利用PN结特性的半导体器件，它的工作原理基于PN结的电子输运和控制。单结晶体管主要由三个区域组成：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector），这些区域分别对应不同的半导体类型：P型、N型和N型。www.kiaic.com/article/detail/4737.html 2024-01-19
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bat54c参数,bat54c 5V转3.3V,bat54c电路-KIA MOS管
bat54c参数直流反向耐压(Vr): 30V平均整流电流(Io): 200mA正向压降(Vf): 1V @ 100mA反向电流(Ir): 2μA @ 25Vwww.kiaic.com/article/detail/4736.html 2024-01-19
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汽车LED透镜MOS管,KNX3703A场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KNX3703A是一款采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型场效应管，这款mosfet是具有超低导通电阻的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、卓越的开关性能。KNX3703A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，RDS（开启）（典型值）=7.5mΩ，VGS=10V，封装形式：D...www.kiaic.com/article/detail/4735.html 2024-01-18
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串联电路电压,串联电路电压公式、规律-KIA MOS管
串联电路的总电压等于各部分电路两端电压之和。串并联电路的电压规律是电路连接的一种理论知识，分为串联电路和并联电路，其中串联电路的总电压等于各部分电路两端电压之和，在并联电路中各支路用电器两端的电压相等，且等于总电压。www.kiaic.com/article/detail/4734.html 2024-01-18
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延时电路图，555延时电路图设计分享-KIA MOS管
555构成的简易长延时电路当按下按钮SB 时，12V 的电源通过电阻器Rt 向电容器Ct 充电，使得6 脚的电位不断升高，当6 脚的电位升到5 脚的电位时，电路复位定时结束。www.kiaic.com/article/detail/4733.html 2024-01-18