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耗尽层是什么？PN结、耗尽层图文分析-KIA MOS管
耗尽层（depletion region），又称耗尽区、阻挡层、势垒区（barrier region），是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。www.kiaic.com/article/detail/4760.html 2024-01-31
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无线充mos,47A 600V场效应管KCX9860A参数引脚-KIA MOS管
高压场效应管KCX9860A漏源击穿电压600V，漏极电流47A；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性；KCX9860A封装形式：TO-220F...www.kiaic.com/article/detail/4759.html 2024-01-30
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场效应管是什么控制器件？场效应管详解-KIA MOS管
场效应管是一种控制型半导体器件，是一种输入电阻很高的半导体器件，它是利用输入电压控制输出电流的，它的输入端几乎不需要电流，所以它是一种电压控制元件。www.kiaic.com/article/detail/4758.html 2024-01-30
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滤波器电路,滤波器电路设计,滤波电路图分享-KIA MOS管
滤波电路的基本作用是让某种频率的电流通过或阻止某种频率的电流通过。另外是尽可能减小脉动的直流电压中的交流成分，保留其直流成分，使输出电压纹波系数降低，波形变得比较平滑。根据幅频特性所表示的通过或阻止信号频率范围的不同，滤波器可分为低通滤波器（...www.kiaic.com/article/detail/4757.html 2024-01-30
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pc电源,pd电源,9A 900V场效应管,KNX4890A参数引脚图-KIA MOS管
pc电源,pd电源MOS管KNX4890A采用专有新型平面技术，漏源电压900V，漏极电流9.0A，RDS（ON）=1.2Ω（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性，是一款高效优质的大功率场效应管。www.kiaic.com/article/detail/4756.html 2024-01-29
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反向击穿电压是什么,二极管反向击穿电压-KIA MOS管
当pn结反向偏置时，耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此，由于量子隧穿效应，电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。www.kiaic.com/article/detail/4755.html 2024-01-29
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ht7550,ht7550参数引脚图,ht7550-1中文资料-KIA MOS管
输出类型：固定 最大输入电压：24V 输出电流：100mA 输出电压（最小值/固定值）：5Vwww.kiaic.com/article/detail/4754.html 2024-01-29
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78l08三端稳压管,78l08参数引脚图,100mA SOT-89-KIA MOS管
KIA78L08是单片固定电压调节器集成电路。它适用于需要高达100mA供电电流的应用。KIA78l08三端稳压管其特点是输出电流高达100mA，无需外部零件，内置热过载停机保护和短路电流限制功能。其封装采用SOT89封装。www.kiaic.com/article/detail/4753.html 2024-01-26
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锂电池保护板组成,工作原理,原理图分享-KIA MOS管
一般的锂电池保护板由控制IC、MOS管、电阻电容、保险丝FUSE等组成。其中控制IC，在一切正常的情况下控制MOS开关导通，使电芯与外电路沟通，而当电芯电压或回路电流超过规定值时，它立刻控制MOS开关关断，保护电芯的安全。www.kiaic.com/article/detail/4752.html 2024-01-26
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MOS管为什么会被静电击穿,原因及解决-KIA MOS管
反向击穿（Reverse Bias Breakdown）：当在MOS管的栅极和源/漏极之间施加反向电压时，电场强度可能足够大，使氧化层内的电子能够穿越氧化层，形成导通通道，导致漏电流增加。www.kiaic.com/article/detail/4751.html 2024-01-26
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PD电源,mos管30v 85a,KNX3403B场效应管中文资料-KIA MOS管
PD电源热销MOS管KNX3403B是一种N沟道增强型功率Mosfet场效应晶体管，使用KIA的LVMosfet技术生产。KNX3403B经过改进的工艺和单元结构经过特别定制，漏源击穿电压30V，漏极电流85A，RDS（打开）典型值=4.5mΩ（典型值）@VGS=10V，可最大限度地减少导通电阻，提供...www.kiaic.com/article/detail/4750.html 2024-01-25
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cmos电平，cmos电平与ttl电平转换-KIA MOS管
CMOS电平是在CMOS逻辑电路中用来表示逻辑状态的一种电压水平。CMOS电路利用NMOS和PMOS这两种互补类型的半导体材料来实现逻辑功能。1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。www.kiaic.com/article/detail/4749.html 2024-01-25
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x电容和y电容详解,x电容和y电容的作用,区别-KIA MOS管
X电容是跨接在电力线两线之间，即“L-N”之间，X电容器能够抑制差模干扰，通常采取金属化薄膜电容器，电容容量是uF级。X电容多数是方型，也就是类似于盒子的形状，在它的表面一般都标有安全认证标志、耐压字样(一般有AC300V或AC275V)、依靠标准等信息。www.kiaic.com/article/detail/4748.html 2024-01-25
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MOS管23a 1200v,KNK74120A场效应管,逆变器专用-KIA MOS管
KNK74120A场效应管采用高级平面工艺，漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗以及加固多晶硅栅极结构，KNK74120A场效应管封装形式：TO-264。www.kiaic.com/article/detail/4747.html 2024-01-24