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电容降压电路,电容降压LED驱动、锂电池充电电路-KIA MOS管
电容降压电路是一种常见的小电流电源电路，具有体积小、成本低、电流相对恒定等优点。?将交流市电转换为低压直流的常规方法是采用变压器降压后再整流滤波，当受体积和成本等因素的限制时，最简单实用的方法就是采用电容降压式电源。www.kiaic.com/article/detail/4773.html 2024-02-04
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【电路精选】整流二极管rc吸收电路设计KIA MOS管
此处的RCD吸收设计，可以这样认为：为了吸收振荡尖峰，C应该有足够的容值，已便在吸收尖峰能量后，电容上的电压不会太高，为了平衡电容上的能量，电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的参数搭配，是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时...www.kiaic.com/article/detail/4772.html 2024-02-04
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irf830场效应管参数,引脚图,830场效应管参数代换-KIA MOS管
HD安定器热销型号KIA830场效应管具有漏源电压高达500V和漏极电流达到5A的强大性能，其开启状态下的电阻为1.0Ω，能够提供稳定可靠的电流流动。KIA830场效应管封装形式有：TO-220、TO-252两种www.kiaic.com/article/detail/4771.html 2024-02-03
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耗散功率是什么，耗散功率计算公式分享-KIA MOS管
晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。www.kiaic.com/article/detail/4770.html 2024-02-03
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体效应,体效应公式,MOS管体效应衬偏效应-KIA MOS管
上式反应了增大VSB会导致 Vt的增加，尽管VGS保持恒定的情况下也会增大ID 。换句话说，VBS同样能控制ID的大小，因此体极和栅极具有相同的控制ID的能力，这个效应称为体效应 。这里 γ 称为体效应参数。www.kiaic.com/article/detail/4769.html 2024-02-03
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充电模块,500v 13a mos管,KNX6450A场效应管参数-KIA MOS管
KNX6450A场效应管漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON），典型=0.40Ω@VGS=10V；具备低栅极电荷，最小化了开关损耗，能够稳定可靠地工作，同时具备快速恢复体二极管，提供了更高效的性能表现。www.kiaic.com/article/detail/4768.html 2024-02-02
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mos管调光电路，led调光电路，简易好用-KIA MOS管
MOS管的栅极放了一个电容，当按按键1的时候，电源通过R1给电容充电，，MOS管栅极的电压慢慢增大，流过MOS管的电流也慢慢增大，LED慢慢变亮。中间若松开按键，则LED会保持当前的这一亮度。www.kiaic.com/article/detail/4767.html 2024-02-02
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led亮度调节电路,简单好用,原理图分享-KIA MOS管
LED的亮度取决于输出电压。由于稳压器是可变的，因此LED的亮度也是可变的。电位计P1用于粗略调整，而P2用于以更精细的分辨率调整亮度。稳压器电路的输出可在0至4.3伏范围内变化。www.kiaic.com/article/detail/4766.html 2024-02-02
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调光器模块mos管,KNX7650A场效应管,500V 25A参数资料-KIA MOS管
KNX7650A场效应管采用高级平面工艺制造，具备漏源电压500V和漏极电流25A的特性，RDS（ON）（典型值）为170mΩ@VGS=10V，封装形式：TO-220F、TO-3P；KNX7650A是一款在电气设备、调光器模块、充电模块领域的专用MOS管。www.kiaic.com/article/detail/4765.html 2024-02-01
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可控硅触发电路，原理、电路图收藏-KIA MOS管
可控硅由关断转为导通，除阳极要承受正向电压外，门极还要加上适当的触发电压，改变触发脉冲输出时刻便可达到改变输出直流电压的目的。为门极提供触发电压和电流的电路叫触发电路。在设计可控硅（SCR）触发电路时，可控硅（SCR）整个区域的运行很大程度上取决于...www.kiaic.com/article/detail/4764.html 2024-02-01
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反相器符号，反相器符号图分享-KIA MOS管
反相器之所以叫反相器，是因为输出和输入信号的相位相反，而跟随器的相位相同。反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。www.kiaic.com/article/detail/4763.html 2024-02-01
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步进马达驱动MOS管,75nf75场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA75NF75场效应管漏源击穿电压为80V，漏极电流为80A，RDS（ON）参数为7mΩ（典型值）@VGS=10V，能够最大限度地减少导电损耗。这款场效应管还具备无铅和绿色设备的特点，符合环保要求。它采用了先进的技术，以确保低Rds开启，减少了导电损耗，使其具备更高的效...www.kiaic.com/article/detail/4762.html 2024-01-31
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多节电池保护电路,锂电池保护电路图-KIA MOS管
锂电池充放电控制芯片对电池组内的每一节电池电压进行采样，并与内部的精密基准电压进行比较，当任意一节电池处于过压或欠压状态时，芯片就会进行相应的控制，以防止进一步充电或放电，图中，Q1、Q2为P沟道MOSFET管，分别控制充电和放电电流。www.kiaic.com/article/detail/4761.html 2024-01-31
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耗尽层是什么？PN结、耗尽层图文分析-KIA MOS管
耗尽层（depletion region），又称耗尽区、阻挡层、势垒区（barrier region），是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。www.kiaic.com/article/detail/4760.html 2024-01-31