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根据锂电池电压将充电过程分为四个阶段:阶段一为预充电,先用0.1C的小电流对锂电池进行预充电,当电池电压≥2.5V时转到下一阶段。阶段二为恒流充电,用1C的恒定电流对锂电池快速充电,点电池电压≥4.2V时转到下一阶段。
www.kiaic.com/article/detail/4525.html 2023-10-11
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1.电源部分--电源部分一般由开关电源构成。2.充电控制部分--电动车使用的一般是硫酸蓄电池,任何电池都对充电电压以及充电电流敏感,所以需要充电控制。
www.kiaic.com/article/detail/4524.html 2023-10-11
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MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件,其作用是控制电流的流动,从而实现电路的控制和调节。
www.kiaic.com/article/detail/4523.html 2023-10-10
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电气字母符号1、L:火线(红色导线)2、N:零线(蓝色导线)3、PE:地线(黄绿双色导线)
www.kiaic.com/article/detail/4522.html 2023-10-10
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跨导(Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;跨导是指电子元件的输出端电流与输入端电压之间的比值。跨导通常用gm表示。
www.kiaic.com/article/detail/4521.html 2023-10-10
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KIA50N03A场效应管是采用KIA半导体先进工艺制造,具有较低的导通电阻、优越的开关性能、极高的雪崩击穿耐量,可最大限度地减少导通损耗,卓越高效。KIA50N03A可完美替代NCE3050,非常适合应用于小家电控制板;
www.kiaic.com/article/detail/4520.html 2023-10-09
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DFN封装是一种先进的双边或方形扁平无铅封装工艺,即双框架芯片封装。它具有小体积、高密度、热导性好等优点,被广泛应用于集成电路封装领域。
www.kiaic.com/article/detail/4519.html 2023-10-09
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短沟道效应(short-channel effects),当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时,晶体管出现的一些效应。
www.kiaic.com/article/detail/4518.html 2023-10-09
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MOS管KIA2300漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ,封装形式:SOT-23,?可替代SI2300以及NCP1117?,KIA2300具有较低的导通电阻、优越的开关性能、可最大限度地减少导通损耗,高效高质。
www.kiaic.com/article/detail/4517.html 2023-10-08
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原理图就是表示电路板上各器件之间连接原理的图表。原理图的实质就是电路板的模拟电路设计图,反应的是电路板上各个元器件之间的物理接线关系、电子元器件的电气特性等。
www.kiaic.com/article/detail/4516.html 2023-10-08
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寄生电容(parasitic capacitance),也称为杂散电容,是电路中电子元件之间或电路模块之间,由于相互靠近所形成的电容,寄生电容是寄生元件,多半是不可避免的,同时经常是设计时不希望得到的电容特性。
www.kiaic.com/article/detail/4515.html 2023-10-08
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KNX3203B漏源击穿电压100V, 漏极电流最大值为30A ,RDS(on) =3.1mΩ(typ)@VGS=10V,封装形式:TO-252,能够匹配代换svt035r5nd和nce03h11k型号参数场效应管。
www.kiaic.com/article/detail/4514.html 2023-09-27
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可控硅(SCR)又称晶闸管,是一种大功率电器元件。由电源、晶闸管的阳极和阴极、白炽灯组成晶闸管主电路;由电源、开关S、晶闸管的门极和阴极组成控制电路(触发电路)。晶闸管一旦导通,门极即失去控制作用,故晶闸管为半控型器件。
www.kiaic.com/article/detail/4513.html 2023-09-27
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当使用高频信号传输时,米勒效应可能会导致输出信号的失真,而且各向同性的元件(比如二极管、晶体管等)产生的电容不可避免地引入了米勒效应,从而提高了误差和噪声,甚至还会导致系统的不稳定。
www.kiaic.com/article/detail/4512.html 2023-09-27