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电源线生产工艺流程【图文详解】-KIA MOS管
拉丝是生产电线电缆的第一道工序。 电线电缆常用的铜、铝棒，在常温下，用拉丝机穿过一个或几个拉伸模孔，以减小截面，增加长度，增加强度。www.kiaic.com/article/detail/4554.html 2023-10-25
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20n50场效应管参数,引脚图,20n50场效应管代换-KIA MOS管
KNX7150A漏源击穿电压高达500V，漏极电流为20A；RDS（on）,typ.（典型值）=0.24Ω@Vgs=10V，封装形式：TO-3P、TO-220、TO-220F，KNX7150A可以作为20n50场效应管代换使用，优质国产品牌产品。www.kiaic.com/article/detail/4553.html 2023-10-24
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rc低通滤波器,rc低通滤波器截止频率-KIA MOS管
低通滤波器指的是滤掉高频信号，对低频的信号阻抗小，因此电容的位置是对地，高频信号在电容上阻抗小，高频信号通过电容泄放到地。www.kiaic.com/article/detail/4552.html 2023-10-24
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可变电阻器详解,电阻器的原理、符号-KIA MOS管
电阻器是用于控制电流流过的电阻元件，原理是利用物质的电阻性质来控制电路中的电流。可变电阻器是阻值可以调整的电阻器（Variable Resistor），用于需要调节电路电流或需要改变电路阻值的场合。www.kiaic.com/article/detail/4551.html 2023-10-24
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电焊机原理,逆变电焊机原理图详解-KIA MOS管
在电焊机中，一个电极被接通到电源正极，另一个电极被接通到电源负极，电流在两个电极之间流动，产生强烈的热能，使接触的金属材料熔化并形成焊缝。www.kiaic.com/article/detail/4550.html 2023-10-23
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压敏电阻,压敏电阻符号-KIA MOS管
VI特性曲线类似于齐纳二极管，当压敏电阻上的电压增加到高于钳位电压时，电流突然增加。处于非导通状态的任何压敏电阻均具有电容，该电容与半导体本体的面积成比例并且与其厚度成反比。www.kiaic.com/article/detail/4549.html 2023-10-23
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单片机最小系统原理图【图文介绍】-KIA MOS管
导通的一瞬间，VCC由0到5，电容通交流阻直流，于是导通了，于是RST有了一段高电平，只要超过24个时钟周期就复位了。等充电一段时间后，电容饱和，RST对应为0，变为低电平。正常工作为低电平，高电平复位。www.kiaic.com/article/detail/4548.html 2023-10-23
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电动机正反转电路图【好文收藏】-KIA MOS管
图中SB2和SB3均为复合按钮，合上电源开关Q，按下起动按钮SB2,其常闭触点SB2断开，使接触器KM2不得电；常开触点SB2接通，使接触器KM1得电吸合并自锁，其主触点闭合，接通电源，电动机正向起动运转。www.kiaic.com/article/detail/4546.html 2023-10-20
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音频放大电路合集,音频放大电路设计-KIA MOS管
原理：图中用函数发生器模拟咪头产生mv级别的信号，C1起滤波作用，滤除直流噪音。R1与R4为咪头提供偏置电压。R3与R2决定放大倍数，Av=1+R3/R2,R3为电位器，实现放大倍数可调。www.kiaic.com/article/detail/4545.html 2023-10-20
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潜水泵控制板,50N03场效应管 TO-252 50A 30V-KIA MOS管
KIA50N03CD是一款漏源击穿电压30V, 漏极电流最大值为50A ,RDS(on) =6.5mΩ(typ)@VGS=10V，性能优质的场效应管，非常适合应用在潜水泵控制板上，KIA50N03CD可最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能。www.kiaic.com/article/detail/4544.html 2023-10-19
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自锁开关电路，自锁开关电路图分析-KIA MOS管
电路使用一个轻触开关来激活一个负载。图中的负载是用D1，R2来代替，实际使用中视电源的大小，负载可以是一个灯泡或者一个直流继电器。www.kiaic.com/article/detail/4543.html 2023-10-19
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过温保护详解,过温保护电路,原理和设计实例-KIA MOS管
过温保护电路通常由温度传感器、比较器、触发器和开关管等部分组成。温度传感器通常是一种热敏电阻器，其电阻值随着温度的变化而变化。比较器则用来比较传感器输出的电压信号和一个预设的阈值电压信号，当传感器输出的电压信号超过阈值电压信号时，比较器输出一...www.kiaic.com/article/detail/4542.html 2023-10-19
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wlp，wlp封装，wlp技术-KIA MOS管
晶圆级封装（WLP）就是在封装过程中大部分工艺过程都是对晶圆（大圆片）进行操作。传统的封装技术通常在芯片切割后进行，而WLP则在芯片仍然在晶圆上时进行封装，之后再进行切割。www.kiaic.com/article/detail/4541.html 2023-10-18
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cmos工艺详解，cmos工艺流程图文-KIA MOS管
CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“阱”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱C...www.kiaic.com/article/detail/4540.html 2023-10-18