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irf3205,80nf70场效应管,KNX3206A参数,引脚图,代换-KIA MOS管
KNX3206A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流110A，RDS（ON）=6.5mΩ（典型值）@VGS=10V，低RDS（ON）以最大限度地减少导电损耗，能够替代irf3205以及80nf70型号进行使用，用于快速开关应用的低栅极电荷，优化的BVDSS能力。封装形式：TO-252、TO-263、TO-220、T...www.kiaic.com/article/detail/4711.html 2024-01-08
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irf3205场效应管,3205场效应管参数,irf3205场效应管代换-KIA MOS管
irf?3205场效应管代换KNX3206A漏源击穿电压60V，漏极电流最大值为110A；RDS (on) = 6.5mΩ(typ)@VGS =10V。KNX3206A具有低RDS（ON)以减小导电损耗、低门电荷在快速开关中的应用、优化的BVDSS性能等特性，导通电阻极低，适用于逆变器、电机速度控制器、DC-DC 转...www.kiaic.com/article/detail/4627.html 2023-11-28
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IRF3205规格书详情-IRF3205替代/封装/MOS管原厂专业制造-KIA MOS管
MOS管KIA2906替代IRF3205，MOS管IRF3205的电流、电压为110A/55V，其可以用可易亚（KIA）MOS管KIA2906替代，KIA2906的电流、电压为130A/60V，文中会具体描述MOS管两个型号的参数、封装及附带规格书，请仔细查阅。www.kiaic.com/article/detail/1625.html 2019-05-08
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IRF3205供应商 IRF3205技术参数信息 IRF3205中文资料 KIA官网
TRF3205由自行提供 TO-262表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。www.kiaic.com/article/detail/625.html 2019-02-26
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场效应管irf3205供应商 技术参数信息-场效应管irf3205中文资料-KIA MOS管
场效应管irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得场效应管irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。TO-220封装的场效应管irf3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使场效应管irf3205...www.kiaic.com/article/detail/1343.html 2018-12-18
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KNX3206A 110A/60V替代IRF3205详细PDF中文资料-免费送样-KIA MOS管
MOS管KNX3206A替代IRF3205MOS管IRF3205的电流电压为110A，55V，其可以用可易亚的MOS管KNX3206A替代IRF3205，KNX3206A的电流电压为110A,60V。下面就具体的介绍一下这两个型号的具体参数和封装等。www.kiaic.com/article/detail/1210.html 2018-10-22