IRF3205参数
功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的 导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在 各个方面。
D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装。
D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。
IRF3205特征
先进的加工技术
极低的导通阻抗
动态的dv/dt等级
175℃运行温度
充分的雪崩等级
IRF3205参数
漏极电流（连续）：110 A
脉冲漏极电流：390A
功率消散 ：200W
线性额定降低因数 ：1.3 W/℃
门极电压：±20
雪崩电流：62A
重复雪崩能量：20 mJ dv/dt
二极管恢复峰值电压变化率：5.0 V/nS
工作节点温度和保存温度： -55（to） +175℃
焊接温度，在10秒内：300（假设为1.6mm）℃
MOSFET选型指标
|
PartNumbe
|
VDss(V)
|
ID（A）
|
Max RDS(ON)
@60%ID(Ω)
|
Typical RDS(ON)
@60%ID(Ω)
|
|
IRF840
|
500
|
8
|
0.85
|
63
|
|
IRF7811
|
30
|
14
|
14
|
17
|
|
IRF610
|
200
|
3.3
|
1.5
|
8.2
|
|
IRF530
|
100
|
17
|
90
|
24.7
|
|
IRF634
|
250
|
8.1
|
0.45
|
54
|
|
IRF7413
|
30
|
13
|
11
|
44
|
|
IRF3710
|
100
|
57
|
23
|
86.7
|
|
IRF024
|
55
|
162
|
4
|
160
|
|
IRF630
|
200
|
9.5
|
300
|
23.3
|
|
IRf1404
|
40
|
162
|
4
|
160
|
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