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IRF3205供应商 IRF3205技术参数信息 IRF3205中文资料 KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-01-22 

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IRF3205参数

功率金属氧化物半导体场效应晶体管,利用先进的处理技术达到每个硅片极低的 导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上,使设计师能够非常高效,可靠的应用在 各个方面。

D2Pak表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装。

D2Pak适合与大电流应用场合,是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力,是典型的贴片封装应用。

IRF3205特征

先进的加工技术

极低的导通阻抗

动态的dv/dt等级

175℃运行温度

充分的雪崩等级

IRF3205参数

漏极电流(连续):110 A

脉冲漏极电流:390A

功率消散 :200W

线性额定降低因数 :1.3 W/℃

门极电压:±20

雪崩电流:62A

重复雪崩能量:20 mJ dv/dt

二极管恢复峰值电压变化率:5.0 V/nS

工作节点温度和保存温度: -55(to) +175℃

焊接温度,在10秒内:300(假设为1.6mm)℃

MOSFET选型指标

PartNumbe

VDss(V)

ID(A)

Max RDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RDS(ON)

@60%ID(Ω)

IRF840

500

8

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF610

200

3.3

1.5

8.2

IRF530

100

17

90

24.7

IRF634

250

8.1

0.45

54

IRF7413

30

13

11

44

IRF3710

100

57

23

86.7

IRF024

55

162

4

160

IRF630

200

9.5

300

23.3

IRf1404

40

162

4

160

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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3205

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