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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5090 个

  • 电吹风电路图,电路原理详解-KIA MOS管

    当S1吹风档位打到下面,S2不开启时,220V通过D1的整流变成半波,然后半波经过D3Q给电机B1和LED进行供电后流出D3进入R6发热丝,最后回流到P1电源座子。

    www.kiaic.com/article/detail/5596.html         2025-04-07

  • dcdc转换器,40a300vmos管,KNH9130B参数引脚图-KIA MOS管

    KNH9130B场效应管采用专有新型平面技术,漏源击穿电压300V,漏极电流40A,低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω;具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性,能够在短时间内完成导通和截止状态的转换,减少开关损耗,提高电源的转换效率;在DC-DC转换器中用于能量转换和电...

    www.kiaic.com/article/detail/5597.html         2025-04-07

  • 电阻符号,电阻符号单位,公式-KIA MOS管

    电阻的符号是R,这是物理学中用于表示电阻器或电阻值的标准符号。电阻是导体对电流阻碍作用的物理量,其国际单位是欧姆,符号为Ω。

    www.kiaic.com/article/detail/5598.html         2025-04-07

  • dcdc转换器电路,dcdc电路原理图-KIA MOS管

    DC-DC转换器利用电容和电感的储能特性,通过可控开关(如MOSFET)进行高频开关动作,将输入的电能储存在电容(或电感)中,当开关断开时,电能再释放给负载,提供所需的能量。

    www.kiaic.com/article/detail/5599.html         2025-04-07

  • 保护板mos管,85v120a场效应管,3008mos管,KCB3008A参数-KIA MOS管

    锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A,漏源击穿电压为85V,采用先进的SGT技术,极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ,最大限度地减少开关损耗,提高效率;优秀的栅极电荷xRDS(开)产品(FOM),稳定可靠;在电机驱动器和DC/DC转换器、SR(同步整流)中能够高...

    www.kiaic.com/article/detail/5600.html         2025-04-07

  • 短沟道效应对阈值电压的影响,mosfet短沟道效应​-KIA MOS管

    随着MOSFET尺寸的缩小,特别是沟道长度的缩短,短沟道效应变得显著。这种效应包括直接隧穿、热载流子注入等,它们会改变沟道中的电荷分布和电场分布,进而影响阈值电压。短沟道效应通常导致阈值电压的降低和亚阈值摆幅的增大。

    www.kiaic.com/article/detail/5601.html         2025-04-07

  • 逆变器工作原理,电路图,原理图详解-KIA MOS管

    逆变器的工作原理步骤:1. 直流电源输入: 接收来自太阳能电池板或蓄电池的直流电。2. 电流转换: 内部电子开关快速切换电流方向,形成与交流电类似的波形。3. 交流电输出: 转换后的交流电输送至电器或电网,为生活和生产提供动力。

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    www.kiaic.com/article/detail/5602.html         2025-04-07

  • 高频电路mos,2908场效应管,KNP2908D参数引脚图-KIA MOS管

    KNP2908D场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流130A,极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ,最大限度地减少导电损耗,低电流以减少开关损耗,提高效率;具有卓越的电气参数,高雪崩电流,能够承受高功率负载;无铅设备,绿色环保;产品采用专有的新型技术,具有更高的功...

    www.kiaic.com/article/detail/5570.html         2025-03-24

  • hid安定器,汽车安定器,75a100v​,KIA3510AB场效应管参数-KIA MOS管

    hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源击穿电压100V,漏极电流75A,极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ,最大限度地减少导通损耗,?低栅极电荷有助于降低开关损耗,性能优越;100%雪崩测试,稳定可靠;提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准);广泛应用于汽车安定器、逆变电源、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5573.html         2025-03-21

  • 高频电路与低频电路的区别-KIA MOS管

    低频电路:通常工作在几十赫兹到几千赫兹的频率范围内,最多可以达到20kHz。高频电路:工作频率在几千赫兹到几兆赫兹甚至更高,通常达到GHz级别。

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    www.kiaic.com/article/detail/5572.html         2025-03-21

  • 反激电源工作原理,原理图详解-KIA MOS管

    当PMOS管导通时,高频变压器原边(Np)的上端是正电压,下端是负电压。副边(Ns)则是上端负电压,下端正电压。这时候,整流二极管是截止的,负载所需的能量由输出滤波电容C提供。

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    www.kiaic.com/article/detail/5571.html         2025-03-21

  • 线性电源和开关电源区别、优缺点详解-KIA MOS管

    线性电源是市电经过一个工频变压器降压成低压交流电之后,通过整流和滤波形成直流电,最后通过稳压电路输出稳定的低压直流电。电路中调整元件工作在线性状态。开关电源是输入端直接将交流电整流变成直流电,再在高频震荡电路的作用下,用开关管控制电流的通断,...

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    www.kiaic.com/article/detail/5569.html         2025-03-20

  • 功率因数校正电路原理,作用,pfc电路mos管-KIA MOS管

    有源PFC的基本原理是在开关电源的整流电路和滤波电容之间增加一个DC-DC的斩波电路,如下图(附加开关电源),对于供电线路来说该整流电路输出没有直接接滤波电容,所以其对于供电线路来说呈现的是纯阻性的负载,其电压和电流波形同相、相位相同。

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    www.kiaic.com/article/detail/5568.html         2025-03-20

  • bldc mos,电机驱动器mos,​25a500v,KNH7650A场效应管参数-KIA MOS管

    KNH7650A场效应管漏源电压500V,漏极电流25A,采用高级平面工艺制造,加固多晶硅栅极结构,能够提升设备性能,提高系统效率;低导通电阻RDS(开启) 170mΩ,低栅极电荷,最大限度地减少开关损耗;性能优越、高效稳定,广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效...

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    www.kiaic.com/article/detail/5567.html         2025-03-19

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