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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5384 个

  • 逆变器mos管,30a500v场效应管,8150场效应管,KNH8150A-KIA MOS管

    KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，?低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷使开关损耗最小化；坚固的多晶硅栅极工艺，性能优越、?适合高集成度电路设计；广泛用于无...

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    www.kiaic.com/article/detail/5846.html         2025-08-08

  • 太阳能逆变器工作原理详解-KIA MOS管

    太阳能逆变器是太阳能发电系统的核心设备，主要用于将光伏电池板产生的直流电（DC）转换为可供电网或电器使用的交流电（AC），并承担调节电能质量的职能。

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    www.kiaic.com/article/detail/5845.html         2025-08-08

  • 温度补偿电路图,温度补偿电路原理-KIA MOS管

    温度补偿电路原理是利用正/负温度系数元件组合或反馈机制实现温度误差的动态修正。正负温度系数组合：正温度系数（PTC）元件在温度升高时电阻增大，负温度系数（NTC）元件电阻则减小，两者并联或串联可抵消温度引起的参数漂移。

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    www.kiaic.com/article/detail/5844.html         2025-08-08

  • 电源管理mos,40v130a,2904场效应管现货,KNY2904A​-KIA MOS管

    KNY2904A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 2mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，减少开关损耗，低交叉失真，高效稳定；高输入阻抗和跨导?，实现快速切换，100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力，坚固可靠，广泛用于PWM...

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    www.kiaic.com/article/detail/5843.html         2025-08-07

  • 逆变电路电压调节,逆变电路三种调压方式-KIA MOS管

    脉宽调制是一种通过改变脉冲宽度来调整输出电压的调压方式。在PWM调压中，逆变电路的开关器件在高频开关状态下工作，通过调整开关器件的导通时间，实现对输出电压的有效控制。

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    www.kiaic.com/article/detail/5842.html         2025-08-07

  • 单相逆变电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    单相逆变电路采用全桥（H桥）或半桥结构，通过控制四个开关器件的交替导通，将直流电转换为交流电。当对角开关（如Q1/Q4或Q2/Q3）导通时，负载两端分别呈现正、负直流电压，通过周期性切换形成方波交流输出。

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    www.kiaic.com/article/detail/5841.html         2025-08-07

  • 监视器应用,20a600v场效应管,KNF7160A参数现货-KIA MOS管

    KNF7160A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流20A，采用专有平面新技术制造，高输入阻抗、低噪声，?极低导通电阻RDS（ON）0.35Ω（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷，减少开关损耗；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高效低耗，稳定可靠；广泛...

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    www.kiaic.com/article/detail/5840.html         2025-08-06

  • ocl功率放大电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    OCL功率放大电路一般采用正、负对称的两组电源供电，电路内部直到负载扬声器全部采用直接耦合，中间无输入、输出变压器（人们将不用输入和输出变压器的功率放大电路称为单端推挽电路），也不需要输出电容器，其好处是通频带宽，信号失真最低。

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    www.kiaic.com/article/detail/5839.html         2025-08-06

  • otl功率放大器电路图,电路原理-KIA MOS管

    OTL (Output Transformer Less)，无输出变压器。otl功率放大器就是没有输出耦合变压器的功率放大器。otl功率放大器采用输出端耦合电容取代输出耦合变压器。

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    www.kiaic.com/article/detail/5838.html         2025-08-06

  • 直流直流转换器,190a40vmos管,KNB2404A场效应管参数-KIA MOS管

    KNB2404A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，减少开关损耗，高效低耗；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、?高雪崩电流，在高电压或大电流条件下稳定可靠，无铅环保型设备；广泛应...

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    www.kiaic.com/article/detail/5837.html         2025-08-05

  • ups逆变器,190a40v,2404场效应管,KNY2404A参数引脚图-KIA MOS管

    KNY2404A场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流190A，采用专有新型沟槽工艺制造，极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗，高效稳定；快速恢复体二极管、反向恢复时间短，高频性能优异?；广泛应用于高效DCDC转换器、同步...

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    www.kiaic.com/article/detail/5795.html         2025-08-05

  • ​高频逆变器和工频逆变器的区别-KIA MOS管

    高频逆变器通过高频开关技术（通常为几十kHz至几百kHz）实现能量转换。其核心是高频变压器或电感，配合MOSFET或IGBT等功率开关器件。输入直流电先通过高频逆变电路转换为高频交流电，再经高频变压器变换电压，最后通过整流和滤波输出工频交流电。

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    www.kiaic.com/article/detail/5836.html         2025-08-05

  • 开关稳压电源,稳压电源电路图分享-KIA MOS管

    交流电压经整流电路及滤波电路整流滤波后，变成含有一定脉动成份的直流电压，该电压进入高频变换器被转换成所需电压值的方波，最后再将这个方波电压经整流滤波变为所需要的直流电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/5835.html         2025-08-05

  • 600v超结mos管,600v24a,KLF60R135BD场效应管参数-KIA MOS管

    KLF60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，更利于提高效率；?极低导通电阻RDS（ON）110mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷（典型Qg=46nC)，减少开关损耗；具有高耐用性、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5828.html         2025-08-04

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