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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5669 个

  • 3303mos,3303场效应管,30v90a,KCY3303S参数-KIA MOS管

    KCY3303S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流90A；采用先进的沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有高电流承载能力、符合RoHS和无卤素标准，?稳定可靠，绿色器件；广泛应用于台式计算机电源管理、...

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    www.kiaic.com/article/detail/6131.html         2025-12-29

  • 开关电源软启动电路,可控电源电路-KIA MOS管

    当首次接上开关电源时，C1将放电。10V开关电源线上逐渐增大的电压将使放大器A1反相输入端为正，禁止脉宽调制器的输出。晶体管Q1将通过R2导通，保持C1放电状态直到送到变换器电路的300V直流线上形成的电压超过200V。

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    www.kiaic.com/article/detail/6130.html         2025-12-29

  • mos管软启动电路,开关电源软启动-KIA MOS管

    MOS管软启动电路通过控制MOS管栅极电压缓慢上升来限制电源启动时浪涌电流，利用RC时间常数实现电源的平滑开启。软启动的核心目的是抑制浪涌电流，避免电源瞬间开启时因负载电容充电或感性负载导致的电流冲击，从而保护电路稳定性和元器件安全。

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    www.kiaic.com/article/detail/6129.html         2025-12-29

  • 3404mos,3404场效应管参数,40v80a,KNY3404C现货-KIA MOS管

    KNY3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术制造，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，高效低耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可靠；应用于太阳...

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    www.kiaic.com/article/detail/6128.html         2025-12-26

  • igbt驱动电路图,igbt工作原理详解-KIA MOS管

    Q1，Q3为NPN型三极管，Q2，Q4为PNP型三极管，D1～D4为保护二极管，二路PWM控制信号A，B为高电平或低电平，即A为高电平，B为低电平时，Q1、Q4导通，Q2、Q3关断，此时，Q1、Q4和T1原边绕组就形成通路，脉冲电压加在T1的原边，与原边同相位的次边得到开通驱动信号...

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    www.kiaic.com/article/detail/6127.html         2025-12-26

  • 贴片mos管封装类型,贴片mos管焊接方法-KIA MOS管

    表面贴装式封装是将MOSFET的管脚及散热法兰直接焊接在PCB板表面的焊盘上。这种封装方式具有安装密度高、重量轻、不易受损等优点。常见的表面贴装式封装类型包括晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）以及塑封有...

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    www.kiaic.com/article/detail/6126.html         2025-12-26

  • 2803场效应管参数,30v150a mos,to220封装,​KNP2803A-KIA MOS管

    KNP2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽加工技术，实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗，低栅极电荷，快速切换，?高效低耗；改进的dv/dt能力、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，无铅，符合RoHS标准，稳定可靠...

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    www.kiaic.com/article/detail/6125.html         2025-12-25

  • 单相全桥逆变电路图,工作原理详解-KIA MOS管

    单相全桥逆变电路由四个功率开关管（IGBT/MOSFET）组成H型桥式拓扑，每个开关管并联续流二极管。通过交替导通对角线开关管实现直流-交流转换：正半周Q1、Q4导通，负载获+Ud；负半周Q2、Q3导通，负载获-Ud。周期性交替导通形成交变方波，采用SPWM技术调整开关管...

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    www.kiaic.com/article/detail/6124.html         2025-12-25

  • 同步电机和异步电机的区别原理详解-KIA MOS管

    同步电机和异步电机是交流电动机的两大类型，核心区别在于转子转速是否与定子旋转磁场的同步转速一致：同步电机的转子转速严格等于同步转速，而异步电机的转子转速始终低于同步转速。

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    www.kiaic.com/article/detail/6123.html         2025-12-25

  • 2803场效应管参数,30v150a,to252,​KND2803B原厂现货-KIA MOS管

    KND2803B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽加工技术，极低的导通电阻RDS(on)为2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速切换、改进的重复雪崩额定值、?100%雪崩测试，稳定可靠；无铅，符合RoHS标准，节能环保，在锂电池保护板...

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    www.kiaic.com/article/detail/6122.html         2025-12-24

  • 全桥dcdc变换,全桥dcdc变换电路-KIA MOS管

    全桥式DC/DC变换器组成：脉宽调制器（PWM）：产生两路控制信号UA和UB，用于控制功率开关管的导通和关断。功率开关管（VT1,VT2,VT3,VT4）：在控制信号的作用下交替导通和关断。

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    www.kiaic.com/article/detail/6121.html         2025-12-24

  • 电源转换电路,dcdc转换电路图分享-KIA MOS管

    当MOS管截止时，就相当于S处断开。但是在L处的电流不会突然改变。这是电感L两端将会产生右端正左端负的自感电势阻碍电流下降，从而使得二级管D正向偏置导通，故L中的电流经过二级管D构成回路，电流值逐渐下降，L中所储存的磁能将转化为电能释放出来，以供给负载...

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    www.kiaic.com/article/detail/6120.html         2025-12-24

  • 2803场效应管参数,​30v150a mos,KIA2803AP现货特惠-KIA MOS管

    KIA2803AP场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，稳定可靠；广泛应...

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    www.kiaic.com/article/detail/6119.html         2025-12-23

  • 变频器控制电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    控制电路由以下电路组成：频率、电压的运算电路、主电路的电压、电流检测电路、电动机的速度检测电路、将运算电路的控制信号进行放大的驱动电路，以及逆变器和电动机的保护电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/6118.html         2025-12-23

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