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MOS管如何分析电路工作原理
P沟道MOS管工作原理金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极...www.kiaic.com/article/detail/158.html 2018-03-29
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MOS管参数大全
Mosfet参数意义阐明 Features: Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的增加而下降 Vgs: 最大GS电压.通常为：-20V~+20Vwww.kiaic.com/article/detail/159.html 2018-03-29
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mos管参数大全,mos管功率各种参数大全
向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90% 开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻. Tr ...www.kiaic.com/article/detail/160.html 2018-03-29
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如何估算MOS管电压驱动
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升时刻。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时刻td(on)：MOS导通延迟时刻，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时刻。Ton=t3-t0≈td(on)+trwww.kiaic.com/article/detail/161.html 2018-03-29
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MOS管跨导测试
用测电阻法区分结型场效应管的电极对VMOSV沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就持平于在源、漏极之间加了一个反向电压。此刻栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此刻...www.kiaic.com/article/detail/162.html 2018-03-29
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什么是N沟道MOS管场效应管
N沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS管的结构基本相同。差别在于耗尽型MOS管的Si02绝缘层中掺有大量的正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺人负离子），故在UCs=0时，这些正离子产生的电场作用下，漏极一源极间的P型衬底表面也能感应天生N沟道（称为初始沟道...www.kiaic.com/article/detail/163.html 2018-03-29
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MOS管在电路中有什么作用
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（DepletionMOS），另一种为增强型（EnhancementMOS）。因为场效应管拓展器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不必运用电解电容器。能够利便地用作恒流源也能够用作电子开关。它作用特征:开关速度快、高频任机能好，输入阻...www.kiaic.com/article/detail/164.html 2018-03-29
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MOS管基本知识,详细详解mos管基本知识的作用
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，英文MOSFET，属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。沟道下边的p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一...www.kiaic.com/article/detail/170.html 2018-03-29
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关于LED开关损耗与功率MOS 管
开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发烧可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为12...www.kiaic.com/article/detail/181.html 2018-03-29
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常用电感-解析电感的基础知识介绍-KIA MOS管
(1)通过调节线圈巾磁芯或铜芯的相对位置改变线电感量；(2)通过滑动在线圈触点~f位置来改变线圈匝数，从而改变电感量；(3)将两个串联线圈的相位置进行均匀改变以实现互感量的改变，从使线圈的总电}值随着变化。www.kiaic.com/article/detail/183.html 2018-03-29
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体二极管的 N 型 MOSFET
MOSFET管的内部构造中，漏源极之间存在一个固有的寄生二极管，如图9.18所示。体二极管的极性能够阻止反向电压经过MOS阻T管，其正向电流接受才能和反向额定电压与MOS目T管的标称值分歧。它的反向恢复时间比普通的交流电源整流二极管短，比快’恢复型二极管的长。...www.kiaic.com/article/detail/189.html 2018-03-29
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MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构与工作原理-KIA MOS管
功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是使用大都载流子导电的半导体器材，且导通时只要一种极性的载流子参加导电，是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ，不存在存储效应 ，因而其关断进程十...www.kiaic.com/article/detail/206.html 2018-03-29
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晶体管的驱动 MOSFET 管
如上所述 ，栅极驱动电路必须能输出电流 ，即成为 “ 源”。同时，为了提供栅极反向电 压，驱动电路必须能从栅极抽取电流 ，即成为 “ 汇”。大部分早期的 PWM 芯片 （ SG1524 系列） 的驱动电路，不能同时抽取和输出电流。即不 能同时成为漏极导通和关断的 “...www.kiaic.com/article/detail/211.html 2018-03-29
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MOSFET栅极电压
MOSFET没有存储时间 ，只存一个关断延迟时间 。关断延迟时间是栅极电压从最高电压（约为OV ） 下降到电压 Vd1 图 9.3 b所需的时间 。在这个时间段内漏极电流保持不变 ，当栅极电压下降到 Vd1 时，MOS管开始关断 。所以漏极电流F降时间是栅极电压从 Vd1下降到阔...www.kiaic.com/article/detail/218.html 2018-03-29