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CMOS,CMOS集成电路闩锁效应措施详解！
在CMOS应用中能同时将p沟道与n沟道MOSFET制作在同一片芯片上．需要额外的掺杂及扩散步骤，以便在衬底中形成“阱”或“盆(tub)”．阱中的掺杂种类与周围衬底不同．阱的典型种类有p阱、n阱以及双阱．阱技术的详细内容将于第14章中讨论．图6. 31为使用p阱技术制作...www.kiaic.com/article/detail/221.html 2018-03-29
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MOSFET基本结构
由于在栅极与半导体之间有绝缘二氧化硅的关系，MOS器件的输入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的应用相当引人注目，因为高输入阻抗的关系，栅极漏电流非常低，因此功率MOSFET不必像使用双极型功率器件一样，需要复杂的输入驱动电路．此外，功率MOSFET的...www.kiaic.com/article/detail/222.html 2018-03-29
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MOS管半导体器件
MOS二极管在半导体器件在物理中占有极其重要的地位，因为它是研究半导体表面特性最有用的器件之一．在实际应用中．它是先进集成电路中最重要的MOSFFT器件的枢纽．在集成电路中．MOS二极管亦可作为一储存电容器，并且是电荷耦合器件的基本组成部分，此节中我们首...www.kiaic.com/article/detail/223.html 2018-03-29
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MOS管半导体的函数差-半导体的函数是如何定义的-KIA MOS管
MOS二极管的能带图，我们由夹在独立金属与独立半导体间的氧化层夹心结构开始[图6.9(a)]．在此独立的状态下，所有的能带均保持水平，此为平带状况．在热平衡状态下，费米能级必为定值，且真空能级必为连续，为调节功函数差，半导体能带需向下弯曲，如图6.9(b)所...www.kiaic.com/article/detail/224.html 2018-03-29
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MOS管 MOS管电容器 MOSFET导通
半导体存储器可区分为挥发性与非挥发件性存储器两类．挥发性存储器，如动态随机存储器和静态随机存储器，若其电源供应关闭，将会丧失所储存的信息，相比之下，非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息，目前，DRAM与SRAM被广泛地使用于个人电脑以及...www.kiaic.com/article/detail/231.html 2018-03-29
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mos管源漏极 mosfet管栅极电压 P型mosfet管的分析
大部分MOSFET管指定了最大栅源极间电压(±20V）。假定超越这个限制，器件就容易被损坏。当MOSFET管工作时运用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中关断 ，就会呈现栅极电压超限的问题 。以一个工作于直流线电压为 160V （ 最大可为 186V） 电路...www.kiaic.com/article/detail/232.html 2018-03-29
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MOS晶体管种类 mos管种类名称详解！
N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N＋，沟道中载流子为电子。P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P＋，沟道中载流子为空穴。在正常青况下，只需一种类型的载流子在工作，因此也称其为单极晶体管。按工作方式分增强型晶体管：若在零栅压下不存在漏源...www.kiaic.com/article/detail/233.html 2018-03-29
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mos管工作用途是什么 开关是什么 通断注意方法
MOS管的开关条件”前而处置了MOS管的按法问题，接下来谈谈MOS管’ 的 开关条件·控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管导通 （饱和导通) 控制极电平为 “ 1_V ” 时MOS管截止这个问题触及到MOS管原理只记结果：不论N沟道还是Pr句道MOS管，G极电压都是与S极做比较...www.kiaic.com/article/detail/234.html 2018-03-29
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mos管是什么 三极管和mos管有时什么区别
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件的...www.kiaic.com/article/detail/235.html 2018-03-29
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CMOS的栅极 双极型晶体管 P沟道MOSFET
CMOS反相器，上方PMOS的栅极与下方NMOS的栅极相连，两种器件皆为加强型MOSFET；对PMOS器件而言，阈值电压VTn小于零，而对NMOS器件而言，阈值电压VTn大于零（通常阈值电压约为1/4VDD）．当输入电压Y1为接地或是小的正电压时，PMOS器件导通(PMOS栅极-地间的电势为...www.kiaic.com/article/detail/237.html 2018-03-29
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cmos反相器 工作原理是什么 特性是什么
CMOS反相墨为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS反相器中，p与n沟道晶体管的栅极衔接在一同，并作为此反相器的输入端，而此二晶体管的漏极也连接在一同，并作为反相器的输出端.n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地，而p沟道MOSFET的源极与衬底则衔接至电源供应端(V...www.kiaic.com/article/detail/238.html 2018-03-29
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mos管作用是什么？ 功率原理是什么？
MOSFET的中文称号是金属氧化物半导体场效应晶体管，也叫绝缘栅场效应晶体管，缩写为MOSFET，简称MOS管。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管，它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。它不只继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108?）、驱动...www.kiaic.com/article/detail/239.html 2018-03-29
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MOS的6大失效原因 ，以及解决方案答案
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在多数状况下，这个两个区是一样的，即便两端对调也不会影响器件...www.kiaic.com/article/detail/241.html 2018-03-29
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LED电源发热烧坏MOS管五大技术点分析
本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假定芯片耗费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会惹起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的耗费，简单的计算公式为I=cvf（思索充电的电阻效益，理论I=2cvf，其中c为...www.kiaic.com/article/detail/242.html 2018-03-29