返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5090 个

  • 三端稳压器-三端稳压器7805参数-三端稳压器基础知识-KIA MOS管

    7805N沟道MOSFET 1.5A/30VTO-220封装,三端稳压集成电路有正电压输出的78××系列和负电压输出的79××系列,三端IC是指这种稳压用的集成电路,只有三条引脚输出,分别是输入端、接地端和输出端。它的样子像是普通的三极管,TO-220的标准封装。...

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/763.html         2018-03-29

  • mos管参考选型表

    mos管参考选型表

    431 次查看 mos管选型表

    www.kiaic.com/article/detail/244.html         2018-03-28

  • 超结MOSFET和Sic二极管 提高变换效率的技术趋势

    超级结MOSFET和SiC二极管的不断发展给设计人员在优化成本敏感的功率变换应用的性能和效率带来了更多的自由。电源设计要求效率增益及更多其他要求为了继续提高如PFC和开关电源等功率变换系统的工作效率,超级结MOSFET和宽禁带的sic二极管已成为具有节能意识的设...

    676 次查看 超结场效应管

    www.kiaic.com/article/detail/246.html         2018-03-28

  • 怎样读懂MOS管的参数,参数详解

    1.开启电压VT-开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压;-规范的N沟道MOS管,VT约为3~6V;-经过工艺上的改良,能够使MOS管的VT值降到2~3V。2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流...

    3338 次查看 mos管参数详解

    www.kiaic.com/article/detail/247.html         2018-03-28

  • MOS管当开关管是如何实用

    OS管是电压驱动,按理说只需栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但假如请求开关频率较高时,栅对地或VCC能够看做是一个电容,关于一个电容来说,串的电阻越大,栅极到达导通电压时间越长,MOS处于半导通状态时间也越长,在半导通状态内阻...

    www.kiaic.com/article/detail/249.html         2018-03-28

  • mos管mos管mos基础知识

    0 次查看

    1.MOS管驱动MOS管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用于需要电子开关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动电路,也有照明调光。现在的MOS驱动,有几个特别的需求:1. 低压应用当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于

    www.kiaic.com/article/detail/264.html         2018-03-28

  • mos管的用途|mos管的作用| mos管的原理

    0 次查看

    mos管的用途|mos管的作用| mos管的原理

    www.kiaic.com/article/detail/265.html         2018-03-28

  • 测试mos管和场效应管时的注意事项

    0 次查看

    测试mos管和场效应管时的注意事项

    www.kiaic.com/article/detail/277.html         2018-03-28

  • 功率MOSFET:

    0 次查看

    功率MOSFET:

    www.kiaic.com/article/detail/281.html         2018-03-28

  • MOS存储器结构

    0 次查看

    MOS存储器结构

    www.kiaic.com/article/detail/282.html         2018-03-28

  • 金半场效应晶体管MESFET|器件结构:

    0 次查看

    金半场效应晶体管MESFET|器件结构:

    www.kiaic.com/article/detail/283.html         2018-03-28

  • 非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)

    0 次查看

    非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)

    www.kiaic.com/article/detail/289.html         2018-03-28

  • 串联式太阳能电池(tandem solar cell)

    0 次查看

    串联式太阳能电池(tandem solar cell)

    www.kiaic.com/article/detail/295.html         2018-03-28

  • MOS管选型要求?PMOS与NMOS的栅极解决方法

    在CMOS中,阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷,如需高温工艺(超越1 050℃)及长扩散时间(超越8h)来到达所需2μm~31'm的深度,在这个工艺中,外表的掺杂浓度是最高的,掺杂浓度随着深度递加,为了...

    256 次查看 mos管选型要求

    www.kiaic.com/article/detail/297.html         2018-03-28

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号