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mos管漏极电流电压与什么有关
漏极电流与VGS呈指数关系 至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时，在栅氧化膜下方构成反型层（沟道），在漏极-源极间有电流活动，这种状态称为强反型状态。 &nbspwww.kiaic.com/article/detail/445.html 2017-09-12
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长电MOSFET价格上调20%！功率器件市场紧俏有增无减
第三季度旺季来临，MOSFET供不应求加剧，早前供应链消息，台湾MOSFET芯片大厂富鼎先进电子公司率先酝酿第三季度调涨产品售价。没想到这么快，长电科技已经启动了MOSFET涨价…国际电子商情获得消息，长电科技于2017年9月1日发出通知对所有MOS管价格上调2www.kiaic.com/article/detail/432.html 2017-09-06
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cmos器件的输入输出的特征是什么它的答案全在这里
CMOS器件的接口构成计算机、便携式电话、光盘唱机、汽车驾驶导向系统等各种电子设备的主要进行逻辑处理的CMOS器件(CMOS逻辑)的输入、输出必须要与其他器件相连接。电子设备是人操作的，其结果也必须是人的视觉、听觉能够感受到的。www.kiaic.com/article/detail/429.html 2017-09-05
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MOSFET供需紧张 原厂酝酿新一轮涨价
MOSFET供需紧张 原厂酝酿新一轮涨价进入智能手机传统旺季，快充话题持续发酵，大陆四大天王OPPO、Vivo、华为、小米将陆续导入更多快充功能，另一方面，AMD、英特尔、NVIDIA新款服务器平台、显示卡等产品陆续进入市场。MOSFET做小功率电路保护出现部分www.kiaic.com/article/detail/422.html 2017-08-31
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cmos低电压下工作、CMOS规范逻辑IC的工作电源电压范围
能够在低电压下工作／工作电压范围宽图]0.11示出典型的CMOS规范逻辑IC的工作电源电压范围。与双极型TTL(Transistor Transistor Logic)的5v土o. zsv相比，工作电压范围宽。这是因为CMOS器件的构造设计是p沟MOS与n沟MOS对称的／互补的，即便电源电压www.kiaic.com/article/detail/408.html 2017-08-25
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CMOS反相器工作原理及传输特性的分类
CMOS反相器的特性 反相器的意思就是“反转”，是将输入的信号电平反转输出的电路。图10.5是将MOS晶体管置换为开关的反相器电路。就是说p沟/n沟MOS晶体管承担这个开关的任务。1．Vin＝Vss的场合n沟MOS晶体管的VGS为OV，处于OFF状态。p沟Mwww.kiaic.com/article/detail/406.html 2017-08-24
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JFET技术参数与VMOS比较相似之处，两者差异主要参数是有由器件组成的
小功率JFET 小功率并无严厉定义，约定俗成的凶素比较多，在不同的范畴，概念上也有所不同。就晶体管而言，普通是指电流规格小于1A的器件。 小功率JFET的用途主要是低噪声高频放大，如VHF( Very High Fre-quency，www.kiaic.com/article/detail/402.html 2017-08-22
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CMOS OP放大器的构造、差动放大电路与源极接地电路组合
根本电路是差动放大+源极接地 图9.1示出最根本的CMOS OP放大器的构造。它是由差动放大电路与源极接地电路组合而成的2级放大OP放大器(2-stage op-amp)。差动放大电路作为OP放大器的输入级（初级），第2级的源极接地电路兼有输出级的作用。www.kiaic.com/article/detail/401.html 2017-08-22
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解析“MOS管的本征增益gmro”的特征和频率
栅源放大电路源极接地放大电路是最常用的放大电路，它最大的电压增益是gmr。（MOS晶体管的本征增益），也就是不超越几十倍的程度。所谓“本征”，就是说具有比ro大得多的负载电阻Rload的放大电路的电压增益与这个负载电阻的值无关，只由MOSwww.kiaic.com/article/detail/397.html 2017-08-21
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mos管模型及三个小信号参数
小信号等效电路 模仿电路解析包括直流解析和交流小信号解析。这里导入小信号解析时所需要的小信号等效电路。小信号等效电路模型是使计算简单化的线性模型。三个小信号参数gm、gmb、go 如前所述，模仿电www.kiaic.com/article/detail/394.html 2017-08-18
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CMOS逻辑电路，CMOS标准逻辑电路是什么？
CMOS规范逻辑CMOS规范逻辑的历史与MOS型半导体的开展历史有着亲密的关系。图11.l示出规范逻辑IC从降生到开展的树状生长过程。规范逻辑IC大致能够分为用双极工艺制造的TTL( Transistor Transistor Logic)、ECL( Emitter Coupledwww.kiaic.com/article/detail/391.html 2017-08-17
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mos晶体管的沟道长度影响 增加漏极-源极件电压会受到什么影响呢
MOS管夹断与沟道长度调制实践工作中，晶体管的沟道长度对特性式有一定的影响，这叫做沟道长度调制。1．MOS晶体管在非饱和区的行为下面以NMOS晶体管为例，讨论MOS晶体管处于导通状态时的沟道厚度。图1www.kiaic.com/article/detail/388.html 2017-08-16
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如何正确理解mos管衬底偏置效应
由于MOS晶体管M1的源极与基底都接地，所以不发作衬底偏置效应。而M2源极的电位VS比接地的基底的电位VB=0要高，这就意味着VSB>0。其结果，M2发作基底偏置效应，使M2的阈值电压比M1高。www.kiaic.com/article/detail/389.html 2017-08-16
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MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声
MOS晶体管的噪声MOS晶体管自身产生的噪声中，特别重要的是热噪声和闪烁噪声（1／f噪声）。沟道电阻产生的热噪声电子在电阻巾作随机运动，因此电阻的两端会产生噪声电压，这种噪声电压称为热噪声。MOS晶体管的沟道具有电阻成www.kiaic.com/article/detail/390.html 2017-08-16