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耗尽型场效应管根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸收到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,构成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结
www.kiaic.com/article/detail/505.html 2017-10-30
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(1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐渐增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,发生电流较大。另一方面,耗尽层展广大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。(2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此刻源端的载流子注...
www.kiaic.com/article/detail/509.html 2017-10-27
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MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:如果MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发热严重,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,如果G信号驱动能力不够,将严重影响波形跳变的时间.
www.kiaic.com/article/detail/147.html 2017-10-26
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当vGS数值较小,吸收电子的才能不强时,漏——源极之间仍无导电沟道呈现,vGS增加时,吸收到P衬底外表层的电子就增加,当vGS到达某一数值 时,这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间构成N型导电沟道,其导电类型...
www.kiaic.com/article/detail/504.html 2017-10-23
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TO-92Part NumbeID(A)VDSS(V)MaxRDS(ON) @60%ID(Ω)Typical RDS(ON) @60%ID(Ω)
www.kiaic.com/article/detail/498.html 2017-10-17
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存储器为了记忆、改写大量的数据,需求运用存储器。关于将数据写入、读出存储器单元的控制电路和输入输出电路,采用耗费功率低、容易集成化、微细化的CMOS技术。存储器的制造工程和设计规格是以CMOS为根底,存储器单元和周边的部分模仿电路,采用存储
www.kiaic.com/article/detail/442.html 2017-09-12
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基本逻辑电路CMOS IC基本逻辑电路列于表10.1。逻辑符号有两种表示法,一种是人们已经熟习的美国MIL-STD标准,另一种是最近展开起来的IEC/JIS标准(IEC60617/JIS C 0617)。IEC/JIS标准主要用在设计大范围逻辑电路的场所,以及
www.kiaic.com/article/detail/443.html 2017-09-12
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漏极电流与VGS呈指数关系 至此,所考虑的MOS晶体管的工作,都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时,在栅氧化膜下方构成反型层(沟道),在漏极-源极间有电流活动,这种状态称为强反型状态。 &nbsp
www.kiaic.com/article/detail/445.html 2017-09-12
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第三季度旺季来临,MOSFET供不应求加剧,早前供应链消息,台湾MOSFET芯片大厂富鼎先进电子公司率先酝酿第三季度调涨产品售价。没想到这么快,长电科技已经启动了MOSFET涨价…国际电子商情获得消息,长电科技于2017年9月1日发出通知对所有MOS管价格上调2
www.kiaic.com/article/detail/432.html 2017-09-06
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CMOS器件的接口构成计算机、便携式电话、光盘唱机、汽车驾驶导向系统等各种电子设备的主要进行逻辑处理的CMOS器件(CMOS逻辑)的输入、输出必须要与其他器件相连接。电子设备是人操作的,其结果也必须是人的视觉、听觉能够感受到的。
www.kiaic.com/article/detail/429.html 2017-09-05
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MOSFET供需紧张 原厂酝酿新一轮涨价进入智能手机传统旺季,快充话题持续发酵,大陆四大天王OPPO、Vivo、华为、小米将陆续导入更多快充功能,另一方面,AMD、英特尔、NVIDIA新款服务器平台、显示卡等产品陆续进入市场。MOSFET做小功率电路保护出现部分
www.kiaic.com/article/detail/422.html 2017-08-31
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能够在低电压下工作/工作电压范围宽图]0.11示出典型的CMOS规范逻辑IC的工作电源电压范围。与双极型TTL(Transistor Transistor Logic)的5v土o. zsv相比,工作电压范围宽。这是因为CMOS器件的构造设计是p沟MOS与n沟MOS对称的/互补的,即便电源电压
www.kiaic.com/article/detail/408.html 2017-08-25
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CMOS反相器的特性 反相器的意思就是“反转”,是将输入的信号电平反转输出的电路。图10.5是将MOS晶体管置换为开关的反相器电路。就是说p沟/n沟MOS晶体管承担这个开关的任务。1.Vin=Vss的场合n沟MOS晶体管的VGS为OV,处于OFF状态。p沟M
www.kiaic.com/article/detail/406.html 2017-08-24
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小功率JFET 小功率并无严厉定义,约定俗成的凶素比较多,在不同的范畴,概念上也有所不同。就晶体管而言,普通是指电流规格小于1A的器件。 小功率JFET的用途主要是低噪声高频放大,如VHF( Very High Fre-quency,
www.kiaic.com/article/detail/402.html 2017-08-22