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为了稳定性,我们一般会在MOS管的栅极加个下拉电阻,在上电的时候把栅极拉低,不让MOS管导通。不过,这个下拉电阻阻值的选择是很关键的。
www.kiaic.com/article/detail/4176.html 2023-04-11
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NMOS管内部结构图如下,导电沟道未形成前,漏极和源极之间有一反向PN结,在Ugs=0时,漏极和源极之间无电流(PN结击穿情况等不考虑)。
www.kiaic.com/article/detail/4175.html 2023-04-11
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栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件,因此灯负载要么“打开”,(V GS = +ve),要么处于将器件“关闭”的零电压电平,(V GS = 0V)。
www.kiaic.com/article/detail/4174.html 2023-04-10
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对于像mos管这样的半导体器件,要充当理想的开关,它必须具有以下特性:在 ON 状态下,它可以承载的电流量不应有任何限制。
www.kiaic.com/article/detail/4173.html 2023-04-10
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MOS 晶体管正在按比例缩小,以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少,进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下,泄漏电流变得很大,并有助于功耗。
www.kiaic.com/article/detail/4172.html 2023-04-10
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在MOS源极和漏极接交流地时,器件的小信号电流增益降至1的频率称为:“transit frequency”(fT)截止频率
www.kiaic.com/article/detail/4171.html 2023-04-07
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当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时,其功耗应该是寄生二极管的正向电压×电机电流。然而实际上,有时功耗可能会大于这个计算值。
www.kiaic.com/article/detail/4170.html 2023-04-07
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栅极电压ON/OFF之后,MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类,一般而言,规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
www.kiaic.com/article/detail/4169.html 2023-04-07
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在构造上,功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘,在DS(漏极、源极)间形成PN接合,成为内置二极管构造。其中,Cgs、Cgd的容量根据氧化膜的静电容量决定,Cds根据内置二极管的接合容量决定。
www.kiaic.com/article/detail/4168.html 2023-04-06
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MOSFET中用内部二极管,保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。
www.kiaic.com/article/detail/4167.html 2023-04-06
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对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量,无论充放电过程快或慢(栅极电压的上升和下降)。因此,MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOSFET栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
www.kiaic.com/article/detail/4166.html 2023-04-06
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使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候,由于高的峰值电流、驱动电压快的上升 / 下降时间以及电路板上长走线引起的电感,需要考虑额外的钳位电路。
www.kiaic.com/article/detail/4165.html 2023-04-04
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1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积,短路时候散热能力不及IGBT。2、IGBT短路后能够退饱和(desaturation)进入线性区,电流不再增加,能够自我限流。
www.kiaic.com/article/detail/4164.html 2023-04-04
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锂电池主要由两大块构成,电芯和保护板PCM(动力电池一般称为电池管理系统BMS),电芯相当于锂电池的心脏,管理系统相当于锂电池的大脑。电芯主要由正极材料、负极材料、电解液、隔膜和外壳构成,而保护板主要由保护芯片(或管理芯片)、MOS管、电阻、电容和PC...
www.kiaic.com/article/detail/4163.html 2023-04-04