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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5401 个

  • 1000V场效应管代换2sk119参数 41100A引脚图-KIA MOS管

    ??KNX41100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119；RDS (on) = 9.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于LED照明驱动电源，充电桩等应用。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-25...

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    www.kiaic.com/article/detail/4438.html         2023-08-22

  • 碳膜电阻详解,碳膜电阻金属膜电阻的区别-KIA MOS管

    碳膜电阻器是膜式电阻器(Film Resistors)中的一种，采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。

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    www.kiaic.com/article/detail/4437.html         2023-08-22

  • ttl电路-ttl电路图,工作原理-KIA MOS管

    ttl电路--ttl（Transistor-TransistorLogic）双管逻辑电路，是一种广泛使用的数字电子电路类型。TTL电路采用双极型工艺制造，具有低功耗、高噪声抑制、高稳定性等特点。

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    www.kiaic.com/article/detail/4419.html         2023-08-22

  • 电路板原理,电路板原理图、设计-KIA MOS管

    电路板也叫主板，可称为印刷线路板或印刷电路板，英文名称为(PrintedCircuitBoard)PCB、(FlexiblePrintedCircuitboard)FPC线路板(FPC线路板又称柔性线路板柔性电路板是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性，绝佳的可挠性印刷电路板。

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    www.kiaic.com/article/detail/4436.html         2023-08-22

  • 900V场效应管6990A 引脚图 900V MOS管参数手册-KIA MOS管

    KNX6990A 900V 18A场效应管参数：ID（A）：18A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.65mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等应用。封装形式：TO-247，...

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    www.kiaic.com/article/detail/4435.html         2023-08-21

  • 锂电池充电电路,电路图设计-KIA MOS管

    根据锂电池的结构特性，最高充电终止电压应为4.2V，不能过充，否则会因正极的锂离子拿走太多，而使电池报废。其充放电要求较高，可采用专用的恒流、恒压充电器进行充电。通常恒流充电至4.2V/节后转入恒压充电，当恒压充电电流降至100mA以内时，应停止充电。

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    www.kiaic.com/article/detail/4434.html         2023-08-21

  • s9018,s9018参数管脚图,电路图-KIA MOS管

    S9018是一种小功率NPN型硅高频三极管，常用于放大和开关电路。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性；属于通用型晶体三极管。其一般用于分立元件的收音机或无线电遥控电路中作为高频放大管或振荡管。

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    www.kiaic.com/article/detail/4433.html         2023-08-21

  • 900V 12A场效应管6390A 引脚图TO-247 参数手册-KIA MOS管

    900V 12A场效应管6390A型号参数：ID（A）：12A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 0.75mΩ(typ)@VGS =10V。KNX6390A采用高级平面工艺，具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等应用。封装形式：TO-247，...

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    www.kiaic.com/article/detail/4432.html         2023-08-17

  • 施密特电路,施密特触发器电路原理-KIA MOS管

    施密特触发器是一种具有迟滞的比较器电路，通过向比较器或差分放大器的同相输入端施加正反馈来实现。施密特触发器使用两个输入不同的阈值电压电平来避免输入信号中的噪声，这种双阈值的作用称为滞后。

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    www.kiaic.com/article/detail/4431.html         2023-08-17

  • 功放原理、结构、特点、作用详解-KIA MOS管

    功率放大器简称功放，功率放大器是一种电子设备，用于将输入信号放大到更大的电压、电流或功率级别，以便驱动更大的负载或产生更大的输出功率。常用于音频、无线电通信、雷达、声呐、医疗设备和其他应用中。

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    www.kiaic.com/article/detail/4430.html         2023-08-17

  • 900V高压MOS管4590A 引脚图TO-220 900V场效应管-KIA MOS管

    900V高压MOS管4590A型号参数：ID（A）：6A；BVdss（V）：900V；RDS (on) = 1.6mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点。封装形式：TO-220/TO-220F，脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4429.html         2023-08-16

  • 独石电容结构作用,独石电容和瓷片电容区别-KIA MOS管

    独石电容器是多层陶瓷电容器的别称，是一种多层叠片烧结成整体独石结构的陶瓷电容器。具有电容量大(电容值可以做到1uF)、体积小、电容量比较稳定，温漂系数小、寿命长、等效直流电阻小、允许脉动电流大、可靠性高、高频阻抗低、耐高温、绝缘性好、成本低等特点...

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    www.kiaic.com/article/detail/4428.html         2023-08-16

  • 运放积分电路图,运放积分电路设计分享-KIA MOS管

    积分器电路根据电路时间常数和放大器的带宽，在一个频率范围内输出输入信号的积分。

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    www.kiaic.com/article/detail/4427.html         2023-08-16

  • 6180参数800V 10A场效应管 高电压MOS管-KIA MOS管

    MOS场效应管6180参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：2-4；ID（A）：10A；BVdss（V）：800V；RDS (on) = 0.72mΩ(typ)@V GS =10V。具有低电荷，低反向传输电容，开关速度快等优点。主要封装形式是TO-220/TO-220F，脚位排列位GDS。

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    www.kiaic.com/article/detail/4426.html         2023-08-15

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