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首先根据波形的振荡频率来计算电路中总的寄生电容值 ( C)和寄生电感值 ( L) ,然后再计算出 RC吸收电路的电阻值 ( RSN) 和电容值 ( CSN) ,RC吸收电路原理如图
www.kiaic.com/article/detail/4162.html 2023-04-03
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SiC MOSFET具有输入阻抗高、高频性能好、单个驱动功率小和无需并联均流控制等显著优势。随着 SiC MOSFET 的发展和成熟,变流产品向着高频、高功率密度、高可靠性的方向快速发展。
www.kiaic.com/article/detail/4161.html 2023-04-03
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SiC MOSFET对驱动电路的基本要求主要有:①驱动电流要足够大,以缩短米勒平台的持续时间使驱动脉冲前后沿足够陡峭,尤其在多管并联的工况下;
www.kiaic.com/article/detail/4160.html 2023-04-03
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对于电机驱动来说,MOSFET是实现电流输出的关键器件,MOS驱动电路作为控制电路和功率电路的接口,其作用至关重要,它决定了这个电机驱动板卡的性能。
www.kiaic.com/article/detail/4159.html 2023-03-31
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KIA5N50H 5A500V MOS管是一种高压、低内阻、低开关损耗的MOS管,适用于各种高功率应用场合,如无刷电机、安定器等。
www.kiaic.com/article/detail/4158.html 2023-03-31
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光耦MOSFET是一种全固态继电器,由输入侧的发光二极管(LED)和触点的MOSFET组成。因此,通常将其称为SSR(固态继电器)。
www.kiaic.com/article/detail/4157.html 2023-03-31
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上面是Nch MOSFET和二极管组合的子电路模型示例,其中包括电路连接、MOSFET的器件模型、二极管的器件模型。“模型内部的电路连接”的描述,由实例名、连接引脚以及模型名组成。
www.kiaic.com/article/detail/4156.html 2023-03-30
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通常,热模型在仿真中较慢,因为除了正常电气和电子行为的计算之外,仿真器还必须处理系统的所有热方程,这涉及大量计算工作。
www.kiaic.com/article/detail/4155.html 2023-03-30
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对于MOSFET,电流只有一种情况,就是流经D/S之间的电路,记为IDS,电压有VGS和VDS。MOSFET的特性I-V曲线有两种情况:VGS-IDS和VDS-IDS。
www.kiaic.com/article/detail/4154.html 2023-03-30
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由MOS管的特性可知,MOS管输入阻抗很大。输入阻抗大,对于微弱信号的捕捉能力就很强(简单地把干扰源等效为一个理想电压源和一个内阻的串联,输入电阻越大输入的分压越大),所以悬空时很容易受周围信号的干扰。
www.kiaic.com/article/detail/4153.html 2023-03-29
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一种是广泛应用的制造商提供SPICE模型,这种模型在制造商的官网可以免费下载。另外一种是基于Simplorer模型新开发的SPICE模型。后一种模型可以成功描述SiC MOSFET寄生电容与极间电压的非线性关系。
www.kiaic.com/article/detail/4152.html 2023-03-29
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对于一般的设计或者常规思路,调整电平是最简单的,无非增加一个电平转换芯片,一种通用的电平转换芯片如下,只需要做好reference voltage与input signal voltage的匹配,其他的芯片内部的逻辑电路就可以完成了。
www.kiaic.com/article/detail/4151.html 2023-03-29
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在电路设计中,电平转换电路是不可缺少的部分。在供电方面,除了系统供电以外,其他很多情况都是需要通过电平转换电路,来得到我们所需的电压。
www.kiaic.com/article/detail/4150.html 2023-03-28
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米勒电容(Miller capacitance)通常用于运算放大器频率补偿的方法中。目前最广泛使用的频率补偿技术称为米勒频率补偿(Miller frequency compensation),我们将在本文中探讨它。
www.kiaic.com/article/detail/4149.html 2023-03-28