|
|
|
结果: 找到相关主题 5401 个
-
MOSFET可靠性测试图文分享-KIA MOS管
高温反偏测试主要用于验证长期稳定情况下芯片的漏电流，考验对象是MOSFET边缘结构和钝化层的弱点或退化效应。www.kiaic.com/article/detail/4185.html 2023-04-14
-
【精选】图文分析SiC MOSFET高频振荡-KIA MOS管
SiC MOSFET的振荡分别发生在开通瞬态的电流上升阶段和电压下降阶段、以及关断瞬态的电压上升阶段和电流下降阶段这四处。www.kiaic.com/article/detail/4184.html 2023-04-14
-
MOS管栅极驱动设计优化图文分析-KIA MOS管
优化栅极驱动设计，正是在互相矛盾的要求中寻求一个平衡点，而这个平衡点就是开关导通时漏极电流上升的速度和漏极电压下降速度相等这样一种波形，理想的驱动波形如图6所示。www.kiaic.com/article/detail/4183.html 2023-04-13
-
电路设计：使用MOS管实现防电源反接电路-KIA MOS管
电源正常接入，也就是电源没有正负反接，此时电源正常对负载供电。假设拿掉MOS管g极的电阻R1，此时MOS管将不导通，但Vin可以通过MOS管的体二极管对负载进行供电。www.kiaic.com/article/detail/4182.html 2023-04-13
-
MOS管静电击穿：电压型、功率型分析-KIA MOS管
静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。www.kiaic.com/article/detail/4181.html 2023-04-13
-
【电路分享】VMOS管电子镇流器电路图-KIA MOS管
电阻R1，电容C2，双向二极管D2构成锯齿波发生器，接通 电源 后，C2经R1充电，当C2的电压达到D2的击穿电压时，尖电流脉冲加到BG2的栅极，由于变压器的耦合作用，电路开始振荡，其振荡频率由L1，C4决定，此时，锯齿波发生器停止工作，C2经D1，BG1放电。www.kiaic.com/article/detail/4180.html 2023-04-12
-
NMOS管、PMOS防止电源反接电路-KIA MOS管
电源反接，会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避兔的。所以就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源，也不会损坏的目的。www.kiaic.com/article/detail/4179.html 2023-04-12
-
图文分析：Layout中的MOS管电容-KIA MOS管
当Gate的电压是一个负值时，在靠近衬底的氧化层面，会吸引空穴，这时候的NMOS管工作在积累区，形成了以Gate和空穴为极板，氧化层为介质的电容。www.kiaic.com/article/detail/4178.html 2023-04-12
-
无刷电机选型40V80A KNX3404C TO-252 送样-KIA MOS管
KNX3404C是一种高密度沟槽N-ch MOSFET，为大多数同步BUCK变换器的应用提供了优良的Rdson和栅电荷。KND3404C满足RoHS和绿色产品要求, 100%的EAS保证了全部功能的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/4177.html 2023-04-11
-
MOS管栅极下拉电阻的阻值选取-KIA MOS管
为了稳定性，我们一般会在MOS管的栅极加个下拉电阻，在上电的时候把栅极拉低，不让MOS管导通。不过，这个下拉电阻阻值的选择是很关键的。www.kiaic.com/article/detail/4176.html 2023-04-11
-
【MOS管结构】MOS管导电沟道的形成-KIA MOS管
NMOS管内部结构图如下，导电沟道未形成前，漏极和源极之间有一反向PN结，在Ugs=0时，漏极和源极之间无电流（PN结击穿情况等不考虑）。www.kiaic.com/article/detail/4175.html 2023-04-11
-
【精选图文】MOS管开关电路实例分享-KIA MOS管
栅极输入电压VGS被带到适当的正电压电平以打开器件，因此灯负载要么“打开”，（V GS = +ve），要么处于将器件“关闭”的零电压电平，（V GS = 0V）。www.kiaic.com/article/detail/4174.html 2023-04-10
-
MOS管理想的开关特性、实用开关特性-KIA MOS管
对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：在 ON 状态下，它可以承载的电流量不应有任何限制。www.kiaic.com/article/detail/4173.html 2023-04-10
-
MOS管各种泄漏电流的原因分析-KIA MOS管
MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，泄漏电流变得很大，并有助于功耗。www.kiaic.com/article/detail/4172.html 2023-04-10