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结果: 找到相关主题 5137 个

  • 直流电机驱动方式:H桥驱动、MOS管驱动-KIA MOS管

    4个三极管和一个电机。要使电机运转,必须导通对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况,电流可能会从左至右或从右至左流过电机,从而控制电机的转向。要使电机运转,必须使对角线上的一对三极管导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/3784.html         2022-09-15

  • H桥电路MOS管串联二极管作用分析-KIA MOS管

    因为MOS管的体二极管速度太慢,有反向直通,所以采用一个二极管串联在外面,外面再整体并联一个。

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    www.kiaic.com/article/detail/3783.html         2022-09-14

  • MOS管体二极管的应用:防反接、电源切换电路-KIA MOS管

    1. D接供电正,S接供电负,电路通电瞬间MOS管是关闭状态,但是由于体二极管的存在,D->S是有电流通过的,很快S电位升高,MOS管GS产生了负电压,进而MOS管导通,导通压降 Vds = 导通内阻 * 电流,一般远小于二极管压降。

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    www.kiaic.com/article/detail/3782.html         2022-09-14

  • 图文详解MOS管电流能反方向流吗?-KIA MOS管

    MOS管导通电流能否反着流?D到S,S到D方向随意?在学习MOS管的时候,一般都是从NMOS开始,电流的方向都是从D到S的。

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    www.kiaic.com/article/detail/3781.html         2022-09-14

  • MOS管耐压特性、栅极电荷的影响分析-KIA MOS管

    MOS管的耐压对导通电阻的影响:MOS管的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定,而MOS管是多数载流子导电器件,芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。

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    www.kiaic.com/article/detail/3780.html         2022-09-13

  • MOS管的检测方法及更换MOS管方法-KIA MOS管

    把红表笔接到MOS管的源极S;把黑表笔接到MOS管的漏极D,此时表针指示应该为无穷大,如图所示。如果有欧姆指数,说明被测管有漏电现象,此管不能用。

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    www.kiaic.com/article/detail/3779.html         2022-09-13

  • 详解MOS管中的体二极管的妙用-KIA MOS管

    PMOS管做开关用,S极作电源输入,D极作输出,当Vsg大于阈值电压,MOS管导通,一般MOS管的导通内阻都很小,毫欧级别,过几安培的电流,压降也才毫伏级别,此时体二极管是截至状态的。

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    www.kiaic.com/article/detail/3778.html         2022-09-13

  • MOSFET在MATLAB中的连接使用方法-KIA MOS管

    图中,MOSFET管充当开关时,将S,D端连入回路中;g,m端连接控制器或者信号发生器,通过输入信号来控制MOSFET的闭合和断开。

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    www.kiaic.com/article/detail/3777.html         2022-09-09

  • 详细分析直流有刷电机并联小电容作用-KIA MOS管

    当前时刻,电刷正极和换向器B1接触,电刷负极和换向器B2相连,同时MOS1和MOS4导通,MOS3和MOS2关闭,则线圈L1中有电流流过,如图2所示。此时电机开始转动,换向器也跟着转动。

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    www.kiaic.com/article/detail/3776.html         2022-09-09

  • 【图文分享】电源和地之间并联电容的作用-KIA MOS管

    储能:电路的耗电有时候大,有时候小,当耗电突然增大的时候如果没有电容,电源电压会被拉低,产生噪声,振铃,严重会导致CPU重启,这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来,稳定电源电压,就像河流和水库的关系。

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    www.kiaic.com/article/detail/3775.html         2022-09-09

  • 【图文详解】MOS管GS两端并联阻容-KIA MOS管

    如图所示MOS管驱动电路,定性分析可知,当MOS管关断时,MOS管两端应力为Vds,此时Vds向Cgd和Cgs充电,可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/3774.html         2022-09-08

  • MOS管强反型与弱反型、速度饱和区转换-KIA MOS管

    弱反型区,沟道消失,流过沟道的漂移电流变为扩散电流。模型的表达式变为指数特性而不是平方律弱反型区适合低功耗电路,因为电流很小,但问题在于较大的噪声以及低速(用增益带宽积表征)

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    www.kiaic.com/article/detail/3773.html         2022-09-08

  • MOS管模型-MOS管在强反型区作放大器-KIA MOS管

    对于NMOS,当衬源PN结正偏时,会带来闩锁效应(Latch-up),所以VBS<0,背栅效应会导致阈值电压变大,电流IDS减小。

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    www.kiaic.com/article/detail/3772.html         2022-09-08

  • 分析恒流源做电子负载、恒流电子负载电路图-KIA MOS管

    前级同向端输入电压信号给LM324,运放负自身负反馈需要动态平衡,此时,同相端、反相端电压相等(V+=V-)。由此R1上的电压就是同相端输入电压,R1采样电阻上流过的恒定电流,实现了自动控制恒流功能。

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    www.kiaic.com/article/detail/3771.html         2022-09-07

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