返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5114 个

  • 瞬态抑制二极管,原理,特性详解-KIA MOS管

    瞬态抑制二极管TVS（Transient Voltage Suppressor），是一种具有双向稳压特性和双向负阻特性的过压保护器件，在处理电力电子设计电路中的瞬态尖峰方面起着至关重要的作用。

    0 次查看 原理 瞬态抑制二极管 特性详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/4459.html         2023-09-01

  • 1500V大功率场效应管 48150A​高压mos管参数-KIA MOS管

    大功率场效应管?KNX48150A：漏源击穿电压高达1500V，漏极电流最大值为9A；RDS (on) = 2.8mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4458.html         2023-08-31

  • 电子镇流器电路图，简单好用-KIA MOS管

    使用半导体电子元件，将直流或低频交流电压转换成高频交流电压，驱动低压气体放电灯(杀菌灯)、卤钨灯等光源工作的电子控制装置。应用最广的是荧光灯电子镇流器。

    2 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4457.html         2023-08-31

  • 12v开关电源电路图,原理,维修详解-KIA MOS管

    该开关电源属于小功率开关电源，输入220V交流市电，输出12V直流电，最大输出电流1.3A,主要应用于小型设备的供电，比如楼宇监控设备等。其电原理图如图1所示。

    0 次查看 12v开关电源电路图 原理 维修详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/4456.html         2023-08-31

  • 1200v 3a高压mos管,电源应用,42120A引脚图参数-KIA MOS管

    KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1200V，漏极电流最大值为3A；RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于适配器、充电器、SMPS备用电源等。封装形式：TO-220、TO-220F、TO-252；脚位排列位GDS。

    0 次查看 1200v 3a高压mos管 电源应用 42120A引脚图参数-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/4455.html         2023-08-30

  • 快速区分钽电容正负极,判断方法,标示图-KIA MOS管

    钽电解电容，又叫钽电容，属于电解电容中的一类，是一种有“极性”的电容。钽电容是一种以钽为主成分的电子元件，它具有体积小、容量大的诸多特点，被广泛应用在家电、数码产品的电路板上。

    0 次查看 快速区分钽电容正负极 判断方法 标示图-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/4454.html         2023-08-30

  • 大功率开关电源电路、原理图文-KIA MOS管

    大功率开关电源原理是通过电路控制开关使用高速导通和截止。开关电源电路将直流电转换成高频交流电，然后将其提供给变压器以进行电压变换，以产生所需的一组电压或电压组。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4453.html         2023-08-30

  • 静态功耗和动态功耗介绍、计算公式-KIA MOS管

    CMOS电路功耗是由静态功耗和动态功耗组成的，动态功耗远大于静态功耗。静态功耗是指漏电流功耗，是电路状态稳定时的功耗，其数量级很小。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4452.html         2023-08-29

  • 隔离驱动详解,和非隔离驱动的区别-KIA MOS管

    隔离驱动（isolated power）是指在输入端和负载端之间通过隔离变压器进行电气隔离，使输出端无法直接接触高压。因此触摸负载就没有触电的危险，隔离驱动的优点是安全。

    0 次查看 隔离驱动详解 和非隔离驱动的区别-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/4451.html         2023-08-29

  • 场效应管1000v 13a 64100A引脚图 mos管参数-KIA MOS管

    KNX64100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为13A；RDS (on) = 0.85mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于DC-DC转换，电机控制等。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4450.html         2023-08-28

  • sop8封装尺寸图,sop8封装详解-KIA MOS管

    SOP8是一种封装形式，SOP8封装通常用于集成电路 (IC) 的制造，其中SOP代表“Small Outline Package”，意味着该封装比传统的DIP封装更小，节省空间并提高线路密度。

    0 次查看 sop8封装尺寸图 sop8封装详解-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/4449.html         2023-08-28

  • n沟道mos管和p沟道mos管-KIA MOS管

    金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4448.html         2023-08-28

  • 1000V 10A电源应用 61100A​场效应管 mos管参数-KIA MOS管

    KNX61100A场效应管-漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为10A；RDS (on) = 1.0mΩ(typ)@VGS =10V。具有低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快等优点，适用于备用电源，充电桩等应用。封装形式：TO-247；脚位排列位GDS。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4447.html         2023-08-25

  • 无线发射电路原理及电路图详解-KIA MOS管

    于不同场合的遥控设备，发射电路的组成是不同的，如在近距离对家用电器或玩具进行遥控，发射电路输出的功率只要10～20mW就够了，没有必要有中间放大级及高频功率放大器，调制电路直接对高频振荡电路进行调制发射即可。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/4446.html         2023-08-25

878889909192
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号