|
|
|
结果: 找到相关主题 5408 个
-
纯电阻电路,公式,和非纯电阻电路的区别-KIA MOS管
纯电阻电路是指电流通过导体时，因导体的电阻把电能转化为热能的电路。纯电阻电路是除电源外，只有电阻元件的电路，或有电感和电容元件，但它们对电路的影响可忽略。电压与电流同频且同相位。电阻将从电源获得的能量全部转变成内能，这种电路就叫做纯电阻电路。...www.kiaic.com/article/detail/4740.html 2024-01-22
-
B值是什么，热敏电阻的B值详解-KIA MOS管
B值是指热敏电阻特定温度下阻值与该温度下对数阻值的斜率的倒数，通常以K为单位。B值越大，温度系数越小，温度变化时电阻值的变化幅度也就越小。热敏电阻是一种温度感应元件，其电阻值会随着温度的变化而发生改变。www.kiaic.com/article/detail/4739.html 2024-01-22
-
3串,4串保护板接线,保护板专用KNX3204A参数-KIA MOS管
KNX3204A场效应管是一种高性能的电子元件，非常适合应用于锂电池保护板。该场效应管具有漏源电压40V和漏极电流100A的特点，可以承受较大的电压和电流。其特殊设计的新沟槽技术使其具备低门电荷，从而减小了开关损耗。此外，它还具备快恢复体二极管，能够更快地...www.kiaic.com/article/detail/4738.html 2024-01-19
-
bat54c参数,bat54c 5V转3.3V,bat54c电路-KIA MOS管
bat54c参数直流反向耐压(Vr): 30V平均整流电流(Io): 200mA正向压降(Vf): 1V @ 100mA反向电流(Ir): 2μA @ 25Vwww.kiaic.com/article/detail/4736.html 2024-01-19
-
汽车LED透镜MOS管,KNX3703A场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KNX3703A是一款采用先进的沟槽工艺技术的N沟道增强型场效应管，这款mosfet是具有超低导通电阻的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、卓越的开关性能。KNX3703A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，RDS（开启）（典型值）=7.5mΩ，VGS=10V，封装形式：D...www.kiaic.com/article/detail/4735.html 2024-01-18
-
串联电路电压,串联电路电压公式、规律-KIA MOS管
串联电路的总电压等于各部分电路两端电压之和。串并联电路的电压规律是电路连接的一种理论知识，分为串联电路和并联电路，其中串联电路的总电压等于各部分电路两端电压之和，在并联电路中各支路用电器两端的电压相等，且等于总电压。www.kiaic.com/article/detail/4734.html 2024-01-18
-
延时电路图，555延时电路图设计分享-KIA MOS管
555构成的简易长延时电路当按下按钮SB 时，12V 的电源通过电阻器Rt 向电容器Ct 充电，使得6 脚的电位不断升高，当6 脚的电位升到5 脚的电位时，电路复位定时结束。www.kiaic.com/article/detail/4733.html 2024-01-18
-
2串保护板专用MOS管,KND3502A场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
KNX3502A场效应管采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V。这款场效应管适用于多种应用，是2串保护板专用料(低启1.8V)。KNX3502A场效应管漏源击穿电压20V，漏极电流70A，RDS(on)=7m?(typ.) @ VDS=4.5V，具有高功率和电流处理能...www.kiaic.com/article/detail/4732.html 2024-01-17
-
平带电压详解，MOS平带电压图文分享-KIA MOS管
当半导体内没有能带弯曲时所加的栅压，此时表面势为零,净空间电荷为零，但由于功函数差和氧化层内可能存在的陷阱电荷，此时穿过氧化物的电压不一定为零。www.kiaic.com/article/detail/4731.html 2024-01-17
-
正向恢复时间和反向恢复时间详解-KIA MOS管
主要在恒流负载的驱动下，假设电流比较大，阶跃速度比较快。此时由于二极管尚未完全导通，导致阻抗较高，因此会引起比较高的正向压降，在做大电流，快速阶跃的应用时应当注意这种现象。www.kiaic.com/article/detail/4730.html 2024-01-17
-
单片机的工作原理，单片机的作用详解-KIA MOS管
单片机是由微处理器、存储器、输入输出接口、定时计数器、模拟数字转换器等多种功能模块组成的微型计算机系统。它的核心部分是微处理器，它可以执行各种指令，进行数据处理和控制操作。存储器用于存储程序和数据，输入输出接口用于与外部设备进行数据交换，定时...www.kiaic.com/article/detail/4729.html 2024-01-16
-
rcd电路,剩余电流保护器（RCD）详解-KIA MOS管
剩余电流动作保护装置（RCD）是具有漏电保护功能的开关设备，当电气线路和电气设备发生单相接地故障时，利用这个剩余电流来动作切断故障线路和电气设备电源的保护装置。www.kiaic.com/article/detail/4728.html 2024-01-16
-
影响MOS管开关速度的因素:米勒效应-KIA MOS管
当驱动开通脉冲加到MOSFET的G极和S极，等效于给输入电容Ciss充电(由于Cgs>>Cgd，主要是为Cgs充电)，由于输入电容的存在，VGS只能以一定的斜率上升，这也是限制MOS管开关速度的一个因素；www.kiaic.com/article/detail/4727.html 2024-01-16
-
hy3410场效应管参数,锂电池保护板MOS管KNX2710A-KIA MOS管
KNX2710A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流160A，RDS(ON)=4.5mΩ(typ.)@VGS=10V ，能够替代hy3410进行使用，在锂电池保护板、电动车、电动工具领域热销，极低导通电阻，最小化开关损耗，确保产品的性能稳定可靠。www.kiaic.com/article/detail/4726.html 2024-01-15