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负电压的产生电路图原理分析-KIA MOS管
上面的电路是一个最简单的负压产生电路。使用的原件是最少的，只需要给它提供1kHz左右的方波就可以了，相当简单。这里需要注意这个电路的带负载能力是很弱的，同时在加上负载后电压的降落也比较大。www.kiaic.com/article/detail/4239.html 2023-05-12
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【电源电路】几种产生负电源的方法分享-KIA MOS管
电源电路是电路设计的重要环节，一般情况下，单电源能实现功能的用单电源就行，可选的方案很多，DC-DC、LDO等芯片很多。有时候，单电源无法满足需求时，就必须用到负电源。www.kiaic.com/article/detail/4238.html 2023-05-12
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MOS管RDS(on)与VGS(th)温度特性图文分析-KIA MOS管
可以看出，不管是NMOS还是PMOS，导通电阻RDS（on）都随着温度的升高而增大，阈值电压绝对值都随温度的升高而降低。www.kiaic.com/article/detail/4237.html 2023-05-11
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600V快恢复二极管KIA06TB60D HID安定器专用 TO-252参数-KIA MOS管
HID 600V KIA06TB60D该系列是最先进的器件，设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。www.kiaic.com/article/detail/4236.html 2023-05-11
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结电容Cgd Cgs Cds与分布参数Ciss Crss Coss-KIA MOS管
结电容”的定义适用于所有的FET，并不局限于VMOS，也适用于所有的VMOS晶体管，只是测定方法与标识方法有差异。实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与封装之间的分布电容。www.kiaic.com/article/detail/4235.html 2023-05-11
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超结MOSFET输出电容迟滞效应产生原因-KIA MOS管
从图5可以发现，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应，与其漏极源极所加电压VDS直接相关，这种效应大多发生在低压阶段，这也表明，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应和超结柱状结构在低于100V发生的三维耗尽有关。www.kiaic.com/article/detail/4234.html 2023-05-10
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超结功率MOSFET输出电容迟滞效应分析-KIA MOS管
理论上，ZVS软开关过程中，COSS电容充放电，基本上没有损耗。实际应用中却发现，功率MOSFET在ZVS软开关过程中，COSS电容充放电过程存在一定的额外损耗，无法恢复存储在输出电容COSS中的全部能量，这个现象称为超结功率MOSFET输出电容的迟滞（滞洄）效应。www.kiaic.com/article/detail/4233.html 2023-05-10
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MOS管寄生电容如何形成？图文详解-KIA MOS管
1. 势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）；www.kiaic.com/article/detail/4232.html 2023-05-10
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先进工艺下MIM电容和MOM电容的比较分析-KIA MOS管
单位面积容值相同的单位面积容值，电容值 MIM < MOM，MIM 约是1/3 MOS电容值。www.kiaic.com/article/detail/4231.html 2023-05-09
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MIM、MOM和MOS电容的区别图文详解-KIA MOS管
MOS 电容：两端结构的mos管，电容值不精确，可以实现随控制电压变化而变化的容值，上下极板接法不可互换。www.kiaic.com/article/detail/4230.html 2023-05-09
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HID氙气灯热销KIA08TB70D 快恢复二极管8A700V-KIA MOS管
HID氙气灯 KIA08TB70D-描述该系列是最先进的设备，设计用于开关电源、逆变器和续流二极管。www.kiaic.com/article/detail/4229.html 2023-05-09
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【集成电容】MOS电容与平板电容分析-KIA MOS管
在CMOS工艺中,通常采用平板电容和MOS电容两种不同的类型,此外还有与偏置电压有关的PN结非线性电容和引线寄生电容等。www.kiaic.com/article/detail/4228.html 2023-05-08
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【电路设计】MOS管电容近似计算方法-KIA MOS管
在电路设计零极点计算中，我们经常需要对MOS管的栅电容进行理论估算，栅电容Cgg=Cox*W*L，W和L我们可以直接从器件参数得到，接下来我们需要知道MOS管的Cox具体值。www.kiaic.com/article/detail/4227.html 2023-05-08
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MOS管C-V电容变化曲线分享-KIA MOS管
MOS管电容分别由氧化层电容和半导体电容串联组成，Cox为固定电容值，和电容极板的厚度以及面积有关。Cs为可变电容，与MOS管的工作状态有关。www.kiaic.com/article/detail/4226.html 2023-05-08