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【实用电路】BTL功率放大器电路图-KIA MOS管
图所示是BTL功率放大器的电路结构示意图。这种功率放大器由两组功率放大器构成，扬声器BL1接在两组功率放大器的输出端之间。同时，要给两个功率放大器输入大小相等、相位相反的信号。www.kiaic.com/article/detail/4034.html 2023-02-02
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甲类功率放大器的功率计算详解-KIA MOS管
甲类功放不存在交越失真，音频信号可以完整地传输。甲类功放是发烧友追求的目标。一部甲类功放，一其输出功率是多少？功率损耗是多少？这些都是甲类功放制作的前期理论计算。甲类功放多采用NPN与PNP配对的推挽式工作方式。www.kiaic.com/article/detail/4033.html 2023-02-01
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一款功率放大器设计方案分享-KIA MOS管
下面是一款基于TPA3110D2的常见音频D类功放电路：www.kiaic.com/article/detail/4032.html 2023-02-01
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功率放大器分类图文详细介绍-KIA MOS管
甲类功率放大器又称为A类功率放大器（Class A），它是一种完全的线性放大形式的放大器。在纯甲类功率放大器工作时，晶体管的正负通道不论有或没有信号都处于常开状态，这就意味着更多的功率消耗为热量。www.kiaic.com/article/detail/4031.html 2023-02-01
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高频功率放大器电路图及原理分析-KIA MOS管
通常情况下LC的谐振回路一般是放大器的并联谐振网路，谐振网络的谐振频率是信号的中心频率，作用是滤波和匹配。VBB是VBB是基极电路的直流偏压，它的数值应该小于放大管导通电压Uon，一般VBB小于0，能够保证三极管在丙类工作状态。www.kiaic.com/article/detail/4030.html 2023-01-31
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几款OTL功率放大器电路图分享-KIA MOS管
OTL电路为推挽式无输出变压器功率放大电路。通常采用单电源供电，从两组串联的输出中点通过电容耦合输出信号。省去输出变压器的功率放大电路通常称为OTL（OutputTransformerLess）电路。www.kiaic.com/article/detail/4029.html 2023-01-31
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【收藏】常用的低频功率放大器电路图-KIA MOS管
功率放大器一般也被我们称为电压放大器，主要是把微弱信号进行电压放大，其输入输出的电压电流一般很小，不能够只能驱动功率较大的仪器。为了满足使用需求，需要在放大器末级增加功率放大器。www.kiaic.com/article/detail/4028.html 2023-01-31
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电源IC的功率损耗计算示例-KIA MOS管
图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外（因为电感是外置的）。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话，是不包括MOSFET和电感损耗的。www.kiaic.com/article/detail/4027.html 2023-01-30
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（DCDC）电源IC损耗计算方法简析-KIA MOS管
在很多情况下，电源IC的技术规格书中给出的是在标准的应用电路中测试得到的效率曲线图（效率 vs 输出电流）。如果所使用的电路条件与规格书中的效率曲线的条件相同或近似，则在自己设计的电路中也可能得到基本相同的效率曲线。www.kiaic.com/article/detail/4026.html 2023-01-30
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同步降压MOSFET电阻比正确选择-KIA MOS管
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/4025.html 2023-01-30
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不同封装造成的电压尖峰差异-KIA MOS管
Turn OFF 尖峰根据封装的不同而有差异。图是 SiC MOSFET 的代表性封装, (a)是被广泛采用的TO-247-3L，(b)是近几年渐渐扩大采用的用于驱动电路的源极端子（即所谓的开尔文接法）的TO-247-4L。www.kiaic.com/article/detail/4024.html 2023-01-29
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【电子精选】缓冲电路设计方法-KIA MOS管
图所示的缓冲电路是通过CSNB 吸收LTRACE 积蓄的能量。因此，在缓冲电路中形成的LSNB 必须比LTRACE 小。由于CSNB 中积蓄的能量基本不放电，静电容量越大电压尖峰抑制效果变好,但使用的电容器的等价串联电感 (ESL) 也必须考虑到LSNB 中。www.kiaic.com/article/detail/4023.html 2023-01-29
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MOSFET应用-缓冲电路种类介绍-KIA MOS管
RC 缓冲电路可在各开关元件附近能布局缓冲电路，不过，必须确保每次元件Turn ON 时CSNB 中积存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，当开关频率变高时，RSNB 所消耗的电力可能会变为数W，而CSNB 很难很大，所以抑制尖峰的效果也会变得有限。此外，RSNB 的尖峰吸收...www.kiaic.com/article/detail/4022.html 2023-01-29
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SiC MOSFET尖峰产生原因及抑制-KIA MOS管
半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制方法之一就是增加缓冲电路，其设计方法说明了漏极源极之间的电压尖峰是由于在Turn ON 时流过的电流的能量储存在线路和基板布线的寄生电感中，并与开关元件的寄生电容共振所产生的。www.kiaic.com/article/detail/4021.html 2023-01-13