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电路设计：电源和地之间接电容的作用-KIA MOS管
电源与地之间接电容的原因有两个作用，储能和旁路储能：电路的耗电有时候大，有时候小，当耗电突然增大的时候如果没有电容，电源电压会被拉低，产生噪声，振铃，严重会导致 CPU 重启，这时候大容量的电容可以暂时把储存的电能释放出来，稳定电源电压；www.kiaic.com/article/detail/3856.html 2022-10-19
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【详细图文】电源模型及其等效变换分析-KIA MOS管
电路图如图2-1-1(a)所示，其中us为电压源的电压，Rs为它的内电阻（也称电压源的输出电阻），u和i分别为其端电压和端电流，箭头表示电流的参考方向（注意，对电压源支路而言，此处u的"+"和"-"极规定与i的参考方向规定为不关联）。www.kiaic.com/article/detail/3855.html 2022-10-19
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【模拟集成】详解小信号模型中的跨导-KIA MOS管
举个例子，比如输入的栅源信号是Vgs+VGS，分析小信号时，只看Vgs，这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS（直流信号）求偏导后乘以Vgs，这里的IDS关于VGS求偏导就定义为跨导gm。对于一个mos，常见的跨导有三类：gm、gds、gmb。www.kiaic.com/article/detail/3854.html 2022-10-19
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ESD防护-ESD保护电路优缺点分析-KIA MOS管
回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控硅(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。非回滞类的ESD器件包括二极管、二极管串、沟道工作的MOS管、PNP三极管、栅极接电源的PMOS(GDPMOS)等，与回滞类ESD器件相比，其TLP...www.kiaic.com/article/detail/3853.html 2022-10-18
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ESD防护-几种ESD静电保护方法分享-KIA MOS管
齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） ：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。www.kiaic.com/article/detail/3852.html 2022-10-18
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【收藏】PCB板常用的ESD保护电路、措施-KIA MOS管
在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线,能够很好地防范ESD。www.kiaic.com/article/detail/3851.html 2022-10-18
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ESD器件防护原理、性能参数分享-KIA MOS管
1、最大工作电压(Max Working Voltage)允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。www.kiaic.com/article/detail/3850.html 2022-10-17
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SiC MOSFET短路特性、短路保护分析-KIA MOS管
短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一，尽管SiC MOSFET具有较好的导热性能，但与Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比，SiC MOSFET的短路保护在以下几个方面更具挑战性。www.kiaic.com/article/detail/3849.html 2022-10-17
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开关电源电路：防雷击、防浪涌电路-KIA MOS管
输入浪涌电流：通常在开关电源启动时，可能需要输入端的主电网提供短时间的大电流脉冲，这种电流脉冲通常被称为输入浪涌电流。www.kiaic.com/article/detail/3848.html 2022-10-17
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MOS管防倒灌电路 防反接电路优缺点-KIA MOS管
正向接：VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路www.kiaic.com/article/detail/3847.html 2022-10-14
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【MOS管电路】usb保护电路图-KIA MOS管
利用比较器并结合外围电路，设计出一种可以自动探测USB电源输出线是否发了对12V电源或地短路，并且可以在短路故障发生时自动切断电源供应的保护电路。www.kiaic.com/article/detail/3846.html 2022-10-14
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以电路分析开关电源Layout原则-KIA MOS管
SM和RM两管互补导通，SM导通时电源给电感充电，SM电流i1线性上升；当RM导通时，i1变为0，电感给负载放电，RM电流i2线性下降，具体波形如下图所示。www.kiaic.com/article/detail/3845.html 2022-10-14
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KNX2906B N沟道场效应管代换 60V130A HY3306参数代换-KIA MOS管
?KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间，低导通电阻，低栅电荷，特别是优异的雪崩特性。www.kiaic.com/article/detail/3844.html 2022-10-13
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【电源电路】PMOS防浪涌抑制电路分析-KIA MOS管
防浪涌抑制电路的基本原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加，缓慢的为输出侧电容充电，直至场效应管完全导通，从而避免由于输出侧电容的瞬间短路特性导致产生的大电流。www.kiaic.com/article/detail/3836.html 2022-10-13