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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5075 个

  • PMOS管作电源开关注意事项:开关速度过快-KIA MOS管

    PMOS管用作电源开关注意事项:PMOS管作电源开关时因开关速度过快导致电源被拉下。

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    www.kiaic.com/article/detail/3835.html         2022-10-13

  • MOS管参数:TJ、TA、TC的计算分享-KIA MOS管

    一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*RjaP是芯片最大的功耗 Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻

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    www.kiaic.com/article/detail/3834.html         2022-10-12

  • 半导体器件的结温理解分析-KIA MOS管

    结温是处于电子设备中实际半导体芯片(晶圆、裸片)的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。

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    www.kiaic.com/article/detail/3833.html         2022-10-12

  • 【收藏】电源芯片温升计算分享-KIA MOS管

    芯片温度是指晶体管芯片本身的温度Tj(结温)。芯片温度Tj是周围(环境)温度Ta与芯片发热量相加后的温度,是考虑额定值和寿命时最重要的因素之一。

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    www.kiaic.com/article/detail/3832.html         2022-10-12

  • 电源芯片工作温度的计算、参数含义-KIA MOS管

    TJ:芯片结温(Die junction temperature, °C)TC:芯片封装表面温度(Package case temperature, °C)TB:放置芯片的PCB板温度(Board temperature adjacent to package, °C)

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    www.kiaic.com/article/detail/3831.html         2022-10-11

  • 【详细】开关电源元件参数中英文对照表分享-KIA MOS管

    开关电源关键元件的各个参数中英文对照表

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    www.kiaic.com/article/detail/3830.html         2022-10-11

  • MOS管参数计算:vth、UnCox计算-KIA MOS管

    一种方法直接看工艺库参数,但是现在的工艺库是基于BSIM,参数超级多,有考虑到很多二级效应。如果直接用工艺库的参数vth0,UnCox来计算的话,会发现计算的值和仿真的值相差比较大。

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    www.kiaic.com/article/detail/3829.html         2022-10-11

  • 栅极电阻、栅源电阻作用分享-KIA MOS管

    1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电,防止mos管产生误动作,甚至击穿mos管(因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压),起到了保护mos管的作用。

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    www.kiaic.com/article/detail/3828.html         2022-10-10

  • MOS管栅极与源极之间为什么要加一个电阻?详解-KIA MOS管

    MOS管栅极与源极加电阻作用1、为MOSFET提供一个供电,经过电阻分压从而得到分压值,也即所谓的提供一个偏置电压;

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    www.kiaic.com/article/detail/3827.html         2022-10-10

  • MOSFET驱动参数:最小门极电阻计算-KIA MOS管

    该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7,并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。

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    www.kiaic.com/article/detail/3826.html         2022-10-10

  • 【IC知识分享】-输入阻抗和输出阻抗、计算-KIA MOS管

    输入阻抗:通过在输入端加上一个电压源U,测试输入端的电流I,则输入阻抗Rin=U/I。输入阻抗越大越好,电阻越大,可以得到的分压越大,驱动能力越强。输入阻抗越大,相对应的电源内阻就会显得越小。

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    www.kiaic.com/article/detail/3825.html         2022-10-09

  • Cadence仿真:NMOS管的漏端输出电阻-KIA MOS管

    nmos管的输出电阻可以将栅端接地,在漏端加一个直流电压,测量Id ,然后作两者之间的比值即为漏端输出电阻。

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    www.kiaic.com/article/detail/3824.html         2022-10-09

  • Cadence仿真:MOS管参数名称解析-KIA MOS管

    region:MOS管的工作区域,可能值为 0~4,分别对应:0: 关断;1: 线性区;2: 饱和区;3: 亚阈值区;4: 击穿

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    www.kiaic.com/article/detail/3823.html         2022-10-09

  • 【电路设计】MOS管参数计算分享-KIA MOS管

    搭单个管子的电路,DC扫描栅极输入电压,得到电流值,用matlab处理得到拟合线性曲线,根据斜率和截距,计算unCox、upCox和Vtn、Vtp。

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    www.kiaic.com/article/detail/3822.html         2022-10-08

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