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MOS管KIA3402 4.0A30V SOT-23 参数详情 原厂直销-KIA MOS管
KIA3402采用了先进的沟槽技术，提供了优越的RDS(on)，低门电荷门极电压低至2.5V。该产品适合用作负载开关或用于脉宽调制应用。KIA3402（绿色产品）采用无铅包装。www.kiaic.com/article/detail/3452.html 2022-04-07
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【经典电路】限流保护电路图文分析-KIA MOS管
Q1 和 Q2 构成互锁电路，即 Q1 导通时 Q2 截止，Q2 导通时 Q1 截止。在上电之后，这两个晶体管的导通顺序由 C1-R2-R3，C2-R1 决定。即在上电之后，由于电容两端电压不能突变，Q1 的基极电压将由电容 C1 负极电压 VCC 经过 R2，R3 逐渐减小至 0V；而 Q2 的基极电...www.kiaic.com/article/detail/3451.html 2022-04-07
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电路分析-NMOS管应用于高边开关(high-sidedriver)-KIA MOS管
NMOS是控制电路中常用的开关器件，当然也有用于放大电路的场景。NMOS作为开关时，常用于低边控制(low-sidedriver)，如下所示的电路图。www.kiaic.com/article/detail/3450.html 2022-04-07
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负载寄生电容对MOS管输出波形的影响-KIAMOS管
调试一个模拟电路时，发现MOS管的输出波形的上升沿和下降沿总是出现不对称的情况，且两者的斜率相差较大。通过仔细分析，发现问题出在负载的寄生电容上，也就是说负载的寄生电容会影响MOS管的充放电时间，进而导致MOS管输出波形出现不对称的情况。www.kiaic.com/article/detail/3449.html 2022-04-06
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实例分析MOS管最大工作频率计算方法-KIA MOS管
上图是一个控制MOS管开关的简单电路图，根据之前的分析，MOS管栅极与源极之间有寄生电容，栅极与漏极之间也有寄生电容。另外，MOS管源极接地，漏极输出，这种情况下会产生米勒效应，使得从栅极向MOS管看进去的电容增加很多。www.kiaic.com/article/detail/3448.html 2022-04-06
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【MOS管分享】逻辑门电路的延时分析-KIA MOS管
NMOS是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。www.kiaic.com/article/detail/3447.html 2022-04-06
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【收藏】使用自供电运算放大器创建低泄漏整流器-KIA MOS管
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻，就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出电压为有源电路供电，因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。www.kiaic.com/article/detail/3446.html 2022-04-02
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自动防击穿保护MOSFET器件在H桥配置中的应用-KIA MOS管
MOSFET作为功率开关元件广泛应用于调节器和马达控制器。在各种H桥配置中，它们不仅可是分立器件也可集成到IC。www.kiaic.com/article/detail/3445.html 2022-04-02
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常用的MOSFET栅极电路及作用图文分享-KIA MOS管
MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的应用于开关电源、电机控制、电动工具等各行各业。栅极做为MOSFET本身较薄弱的环节，如果电路设计...www.kiaic.com/article/detail/3444.html 2022-04-02
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4.8A30V场效应管 MOS管KIA3400价格 资料 SOT-23封装-KIA MOS管
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅极电压下运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3400是无铅的（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3400是一款绿色产品订购选项。KIA3400在电气上是相同的。www.kiaic.com/article/detail/3443.html 2022-04-01
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轻负载时开关元件MOSFET工作的注意事项-KIA MOS管
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的导通损耗。www.kiaic.com/article/detail/3442.html 2022-04-01
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MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素-KIA MOS管
例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主导因素，当耐受电压是30V时，因素Rch的比例较高。www.kiaic.com/article/detail/3441.html 2022-04-01
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N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管参数 SOT-23 原厂直销送样-KIA MOS管
N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特征VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5AVDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A功率MOSFET100%测试www.kiaic.com/article/detail/3440.html 2022-03-31
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集成电路设计：MOS器件物理模型-KIA MOS管
通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。通常NMOS器件衬底接地（或最低电平），相对应PMOS器件衬底接电源（或最高电平）。衬底电压不同会影响沟道电流。www.kiaic.com/article/detail/3439.html 2022-03-31