返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5081 个

  • MOS管的开关模型图文分享-KIA MOS管

    1、栅极长度L是载流子必须经源到漏的距离,因此L直接关系到器件的速度,L越小,器件的速度越快,功耗越低。2、沟道宽度W决定了器件的强度,器件越宽,并行穿过器件的载流子越多。W值越大,晶体管的导通电阻越小,电流越大,负载电容放电越快,从而器件速度越快...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3438.html         2022-03-31

  • MOS管结构及其I/V特性详细分析-KIA MOS管

    以NMOS为例介绍MOSFET的基本结构,如下图所示,器件以p型硅为衬底,并扩散形成两个重参杂n+的区域,分别为源端(Source)和漏端(Drawn),应当注意的是,对于单个器件,源端和漏端是人为定义的,两者是对称可交换的。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3437.html         2022-03-30

  • 电路中的GND和GROUND与VCC等符号详解-KIA MOS管

    DCpower一般是指带实际电压的源,其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3436.html         2022-03-30

  • 场效应晶体管的特征频率及提高ft的措施-KIA MOS管

    对于元器件而言,特征频率是指其主要功能下降到不好使用时的一种截止频率。例如,对于用作为放大的有源器件——双极型晶体管以及场效应晶体管而言,特征频率就是指其电流放大系数下降到1时的频率,这是共发射极组态作为放大使用的截止频率。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3435.html         2022-03-30

  • MOS管三个工作状态及三极管工作状态-KIA MOS管

    当MOS管工作在变阻区内时,其沟道是“畅通”的,相当于一个导体。在 Vds Vds < Vgs - Vth时近似满足V-I的线性关系,即有一个近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制,故称变阻区域。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3434.html         2022-03-29

  • 串联电路讲解及电压、电流关系分析-KIA MOS管

    在串联电路中,各段电压与电阻成正比。几个电路元件沿着单一路径互相连接,每个节点最多只连接两个元件,此种连接方式称为串联。以串联方式连接的电路称为串联电路。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3433.html         2022-03-29

  • ​功率MOSFET功耗计算-KIA MOS管

    在设计大电流电源时,MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显著,这样的环境中,散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样,电源设计常常要面临狭小的空间、静止的气流以及来自于附近其它元件的热量等不利因素的挑战。而且,除了电...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3432.html         2022-03-29

  • 【必看】如何正确选择MOSFET?-KIA MOS管

    为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3431.html         2022-03-28

  • SOT-23MOS管 SOT23引脚顺序 SOT23封装MOS管型号-KIA MOS管

    SOT-23 MOS管无论是P沟道还是N沟道,1脚为栅极,2脚为源极,3脚为漏极。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3430.html         2022-03-28

  • MOS管2300 6A20V SOT23 参数规格书 现货直销-KIA MOS管

    MOS管2300 6A20V SOT23-特性VDS=20V,RDS(on)=30mΩ@VGS=10V,ID=6.0AVDS=20V,RDS(on)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.0AVDS=20V,RDS(on)=55mΩ@VGS=2.5V,ID=2.0A

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3428.html         2022-03-25

  • ​如何计算电源IC的功率损耗?实例分享-KIA MOS管

    图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外(因为电感是外置的)。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话,是不包括MOSFET和电感损耗的。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3427.html         2022-03-25

  • 【开关电源设计】如何为电源选择合适的工作频率?-KIA MOS管

    为电源选择最佳的工作频率是一个复杂的权衡过程,其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说,低频率设计往往是最为高效的,但是其尺寸最大且成本也最高。虽然调高频率可以缩小尺寸并降低成本,但会增加电路损耗。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3426.html         2022-03-25

  • 【分享】功率MOSFET的几种电流感知方法-KIA MOS管

    SPIC集控制逻辑、保护电路、功率器件于一体,如图1所示,在很多领域如电机驱动器,电子镇流器,DC-DC转换器,功率因数校正器,开关电源等都有应用,并体现出了明显的优势。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3425.html         2022-03-24

  • 双极性电源如何提供电流?原理分析-KIA MOS管

    双极性电源提供电流的工作原理是怎么样的呢?下图的波形显示了双极性电源电路的工作状态。在 VIN 端施加输入电压时,如果输入降至 12 V 以下,升压转换器会将其输出 VINTER 调节至 12 V。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/3424.html         2022-03-24

Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号