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关于MOSFET这些一定要知道【图文分享】-KIA MOS管
我们通常选MOS管会希望其有如下的参数：1、耐压足够高，避免DS的击穿。 2、导通电流足够大，保证功率的输出足够。3、体积小发热低，避免过热损坏器件。4、开关速度要快，因为要经过可变电阻区，所以要尽快， 避免过多的发热损耗。www.kiaic.com/article/detail/3423.html 2022-03-24
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3A MOS管|KNL42150A参数资料，原厂直销-KIA MOS管
3A MOS管KNL42150A资料：1.产品特点，高速开关，RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V，全隔离塑料包装。2.应用，交换应用。www.kiaic.com/article/detail/2631.html 2022-03-23
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分析高速MOSFET中误启动的发生机制-KIA MOS管
误启动是因MOSFET的各栅极电容（CGD,CGS）和RG引起的现象，在串联2个MOSFET的桥式电路中，当位于开关侧的MOSFET导通（Turn-on）时，在原本为OFF状态的续流侧MOSFET发生了不应发生的导通，导致直通电流流过，损耗增大。www.kiaic.com/article/detail/3421.html 2022-03-23
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MOSFET双脉冲测试分析MOSFET反向恢复特性-KIA MOS管
为了评估MOSFET的反向恢复特性，我们使用4种MOSFET实施了双脉冲测试。4种MOSFET均为超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”），我们使用快速恢复型和普通型分别进行了比较。www.kiaic.com/article/detail/3420.html 2022-03-23
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N沟道mos管 KIA2302 3A20V资料 SOT-23 原厂价优-KIA MOS管
N沟道mos管 KIA2302 3A20V特性VDS =20V,RDS(on) =0.065Ω@VGS =4.5V,ID =3.0AVDS =20V,RDS(on) =0.090Ω@VGS =2.5V,ID =2.0Awww.kiaic.com/article/detail/3419.html 2022-03-22
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电源电路分析-过压保护电路设计-KIA MOS管
电源防护中的过压保护简单的保护，我们一般加个TVS之类的，当外部有瞬间高能量冲击时候它能够把这股能量抑制下来，虽然功率高，上千W都可以，但是维持抑制的时间很短很短，万一器件损坏或者长时间工作电压高于正常工作电压的时候，就力不从心了。www.kiaic.com/article/detail/3418.html 2022-03-22
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【分享】在模拟版图设计中堆叠MOSFET-KIA MOS管
在28nm以下，由于最大器件长度限制，模拟设计人员经常要对多个短长度的MOSFET串联来创建长沟道的器件。这些串联连接的器件通常被称为堆叠MOSFET或堆叠器件。www.kiaic.com/article/detail/3417.html 2022-03-22
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详细分析理解运算放大器输入失调电压-KIA MOS管
输入失调电压Vos(Voltage - Input Offset)，指的是为使运算放大器输出端为0V所需加于两输入端间之补偿电压。理想之运算放大器其Vos应该为0V。www.kiaic.com/article/detail/3416.html 2022-03-21
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【好文分享】如何防止MOSFET寄生导通？-KIA MOS管
功率MOSFET发生寄生导通（不希望发生的事件）的机率比我们的预计更高，造成的损失也更大。寄生导通通常会损坏MOSFET，且之后很难查出故障的根源。寄生导通机制取决于漏源和栅源电压间的电容分压比例 。www.kiaic.com/article/detail/3415.html 2022-03-21
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围绕二象限驱动器电路设计的PWM放大器电路-KIA MOS管
在此，R1和C1对晶体管Q4构成一个适度的滤波器。Q5发射极上的3.3V电压将对Q4的基极发射极结产生反向偏置，并使电流通过R11流向Q4的基极。流经Q4的电流驱动Q3和Q2，且该电流取决于PWM的水平。www.kiaic.com/article/detail/3414.html 2022-03-21
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【图文详解】如何处理MOSFET非线性电容-KIA MOS管
与MOSFET相关的三个电容的基本定义如图1a和1b所示。以VDS的函数的方式测量这些电容并不是一件直截了当的工作，在此过程中需要它们中的某些被短路或开路（left floating）。www.kiaic.com/article/detail/3413.html 2022-03-18
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【电路分享】常用的不对称半桥MOSFET驱动电路-KIA MOS管
图1为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低，适用于不要求隔离的小功率开关设备。其中一路直接接到下管，另外一路经反向器反向后驱动上管。RP1，RP2用于调节死区时间。www.kiaic.com/article/detail/3412.html 2022-03-18
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【图文】如何正确选择同步降压MOSFET电阻比？-KIA MOS管
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。因此，如果为 FET 分配一定的总面积，同时您让高侧面积更大（旨在降低其电阻），则低侧的面积必减小，而其电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/3411.html 2022-03-18
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P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V 参数资料 原厂现货直销-KIA MOS管
P沟道 MOS管KIA7P03A -7.5A-30V产品描述KIA7P03A是高密度沟槽p-CH MOSFET，提供出色的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅极电荷。www.kiaic.com/article/detail/3410.html 2022-03-17